9μm截止波长128×128 AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列

报道了128×128 AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列的设计和制作.采用金属有机化学气相淀积外延技术生长外延材料,并在GaAs集成电路工艺线上完成工艺制作.为得到器件参数,设计制作了台面尺寸为300μm×300μm的大面积测试器件;77K下2V偏压时暗电流密度为1.5×10-3A/cm2;80K工作温度下,器件峰值响应波长为8.4μm,截止波长为9μm,黑体探测率DB 为3.95×108(cm·Hz1/2)/W.将128×128元 AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列芯片与相关CMOS读出电路芯片倒装焊互连,在80K工作温度下实现了室温环境目标的红外热成像,盲元率小于1%.     

基于MOCVD技术的长波AlGaAs/GaAs 量子阱红外焦平面探测器

采用n型掺杂背面入射AlGaAs/GaAs量子阱结构，用MOCVD外延生长和GaAs集成电路工艺，设计制作了大面积AlGaAs/GaAs QWIP单元测试器件和128×128、128×160、256×256 AlGaAs/GaAs QWIP焦平面探测器阵列。 用液氮温度下的暗电流和傅里叶红外响应光谱对单元测试器件进行了评估，针对不同材料结构，实现了9 μm和10.9 μm的截止波长; 黑体探测率最高达到2.6×109 cm·Hz1/ 2·W-1 。 将128×128 AlGaAs/GaAs QWIP阵列芯片与CMOS读出电路芯片倒装焊互连，成功演示了室温环境下目 标的红外热成像；并进一步讨论了提高QWIP组件成像质量的途径。     

原油加工过程中氯化物分布的调查分析

近年来国内原油中的有机氯化物组分有不断增加的趋势,对炼油加工装置的腐蚀危害较大。本文对惠州炼化原油与助剂的氯含量及一二次加工装置的氯分布做了调查分析。新近加工的原油中陆丰原油和新文昌原油的氯含量较高;常减压和焦化助剂中,除焦化破乳剂氯含量偏高外,常减压装置助剂的氯均在10 mg/kg以下。常顶油中的氯主要为有机氯。焦化破乳剂对放空水和冷切焦水中的氯离子贡献较大。煤柴油加氢和汽柴油加氢单元酸性水中的氯主要来源于重整氢,蜡油加氢裂化单元酸性水中的氯主要来源于原料,重整预加氢单元酸性水中的氯来源于原料与重整氢。催化与焦化装置酸性水中的氯基本全部来源于原料中氯化物的分解。     

670nm发光二极管材料的MOCVD外延生长

重点介绍了670nm LED材料的结构与制备方法,用MOCVD方法生长了较高压应变的670nm多量子阱。分析比较了670nm量子阱室温光荧光谱线宽度的影响因素,指出室温光荧光主要来源于带-带复合,荧光谱线宽度的减小是应变量子阱轻重空穴能级分离的结果,并不意味着量子阱界面质量的改进。同时介绍了二乙基锌(DEZn)的掺杂技术和掺杂浓度,通过优化掺杂条件和退火条件,p型AlInP材料获得了0.9×1018/cm3的空穴密度。外延材料制作成200μm×200μm尺寸的LED管芯,在20mA工作电流下亮度为22～24mcd。器件结果表明,用5个压应变量子阱的有源区并且采用DEZn掺杂可以制作出高亮度的670nm LED外延材料。     

9μm截止波长128×128 AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列

报道了128×128 AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列的设计和制作.采用金属有机化学气相淀积外延技术生长外延材料,并在GaAs集成电路工艺线上完成工艺制作.为得到器件参数,设计制作了台面尺寸为300μm×300μm的大面积测试器件;77K下2V偏压时暗电流密度为1.5×10-3A/cm2;80K工作温度下,器件峰值响应波长为8.4μm,截止波长为9μm,黑体探测率DB 为3.95×108(cm·Hz1/2)/W.将128×128元 AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列芯片与相关CMOS读出电路芯片倒装焊互连,在80K工作温度下实现了室温环境目标的红外热成像,盲元率小于1%.     

室温光荧光谱分析中的几个典型问题

根据光荧光谱的测试原理,针对具体的化合物半导体材料的层次结构,归纳、总结出两个实用的分析模型:光荧光谱的厚度干涉模型和透明衬底发光模型。应用厚度干涉模型,对GaN外延材料、带DBR结构的MQW材料的光荧光谱曲线进行了分析,并解释了AlGaInP LED结构PL扫描图的强度分布。应用透明衬底发光模型,分析并解释了InGaAs材料的发光强度图案。实验结果表明,这两个分析模型能很好地解释薄膜外延层的PL光谱曲线,能够分析光荧光谱的曲线形状和强度分布与材料结构及表面状态的关系,对判断材料品质有较大帮助,具有一定的实用价值。     

高斜率效率隧道结叠层激光器的研制

隧道结叠层激光器技术具有广泛的应用空间,如高斜率效率、高功率密度、多波长激光器等。采用LP-MOCVD系统生长隧道结材料,CCl4作为p型掺杂源,SiH4作为n型掺杂源,并采用δ掺杂技术,使得n+-GaAs的掺杂浓度大于1×1019/cm3,隧道结的面电阻率小于2×10-4Ω.cm2。设计生长了双叠层、三叠层材料,该材料制作的900nm双叠层激光器在200ns脉宽、20A工作电流下输出功率35W,斜率效率1.8W/A,是单层材料的1.8倍,隧穿结引入的压降约为0.15V;860nm三叠层激光器的斜率效率大于2.7W/A,是单层材料的2.7倍。     

高纯半绝缘SiC电阻率影响因素

采用物理气相传输(PVT)法进行高纯半绝缘SiC晶体生长,利用高温真空解吸附以及在系统中通入HCl和H2的方法,有效降低了系统中N、B和Al等杂质的背景浓度。使用二次离子质谱(SIMS)对晶体中杂质浓度测试,N、B和Al浓度分别小于1×1016、1×1015和2×1014 cm-3。对加工得到的晶片进行测试,全片的电阻率均在1×1010Ω·cm以上,微管密度小于0.02 cm-2,(004)衍射面的X射线摇摆曲线半高宽为34″。结果表明,该方法可以有效降低SiC晶体中N、B和Al等杂质浓度,提升SiC晶片的电阻率。使用该方法成功制备了4英寸(1英寸=2.54 cm)高纯半绝缘4H-SiC晶体。     

惠州炼化轻污油系统存在问题与优化

轻污油系统的平稳运行对炼厂应急工况处置很重要。惠州炼化轻污油来源主要有：脱硫联合装置二硫化物油、酸性水汽提装置污水脱油、煤柴油加氢裂化装置反冲洗油和蜡油加氢裂化装置PSA脱液凝缩油。且轻污油中,钠离子含量高,各装置回炼困难。对轻污油系统存在的问题进行分析,并提出解决措施。因二硫化物油夹带较多的N8＋。进焦化和催化装置回炼时,会造成催化剂失活或污染侧线产品,故将二硫化物油改为随减顶油进原油罐．避免污油被Na＋污染,解决了污油不能去催化或焦化装置回炼的问题;性质较好的轻污油,如减顶油和二硫化物油,去原油罐区回炼,其他轻污油进催化或焦化装置回炼,黑色的轻污油一般进催化提升管回炼,以免污染焦化侧线产品;催化装置加工不脱水轻污油,降低对污水处理场的影响;污水汽提装置污油及煤柴油加氢装置反冲洗油．可通过技改措施,单独引入焦化装置放空塔进行处理,降低对轻污油系统的影响。     

EVA型降凝剂的应用及对柴油润滑性能的影响

低温流动性是柴油调和的重要性能指标之一,为满足当前生产要求以及追求更好的生产灵活性和经济效益,惠州石化对作为其主要产品之一的0号车用柴油调和方案做出调整,即用一定密度的EVA型降凝剂替代煤油的调入,从而得到具有良好低温流动性以及润滑性能的高质量0号国Ⅳ柴油的新调和方案。结果显示,EVA型降凝剂的调入能有效改善0号车用柴油的低温流动性能,降低其凝点和冷滤点,但降凝剂的加入也对脂肪酸型抗磨剂的润滑性能产生一定的负协同效应,即其分子表面的强碱性极性官能团与抗磨剂的酸性官能团发生中和反应,破坏抗磨剂胶体中心,增加了对金属表面的磨损。采用新调和方案后的车用柴油产品,其凝点、冷滤点及磨痕直径指标完全满足0号国Ⅳ柴油的质量标准要求,并最终为煤、柴油平衡乃至整个公司的物料平衡提供技术支持。