9μm截止波长128×128 AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列

报道了128×128 AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列的设计和制作.采用金属有机化学气相淀积外延技术生长外延材料,并在GaAs集成电路工艺线上完成工艺制作.为得到器件参数,设计制作了台面尺寸为300μm×300μm的大面积测试器件;77K下2V偏压时暗电流密度为1.5×10-3A/cm2;80K工作温度下,器件峰值响应波长为8.4μm,截止波长为9μm,黑体探测率DB 为3.95×108(cm·Hz1/2)/W.将128×128元 AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列芯片与相关CMOS读出电路芯片倒装焊互连,在80K工作温度下实现了室温环境目标的红外热成像,盲元率小于1%.     

9μm截止波长128×128 AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列

报道了128×128 AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列的设计和制作.采用金属有机化学气相淀积外延技术生长外延材料,并在GaAs集成电路工艺线上完成工艺制作.为得到器件参数,设计制作了台面尺寸为300μm×300μm的大面积测试器件;77K下2V偏压时暗电流密度为1.5×10-3A/cm2;80K工作温度下,器件峰值响应波长为8.4μm,截止波长为9μm,黑体探测率DB 为3.95×108(cm·Hz1/2)/W.将128×128元 AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列芯片与相关CMOS读出电路芯片倒装焊互连,在80K工作温度下实现了室温环境目标的红外热成像,盲元率小于1%.     

基于MOCVD技术的长波AlGaAs/GaAs 量子阱红外焦平面探测器

采用n型掺杂背面入射AlGaAs/GaAs量子阱结构，用MOCVD外延生长和GaAs集成电路工艺，设计制作了大面积AlGaAs/GaAs QWIP单元测试器件和128×128、128×160、256×256 AlGaAs/GaAs QWIP焦平面探测器阵列。 用液氮温度下的暗电流和傅里叶红外响应光谱对单元测试器件进行了评估，针对不同材料结构，实现了9 μm和10.9 μm的截止波长; 黑体探测率最高达到2.6×109 cm·Hz1/ 2·W-1 。 将128×128 AlGaAs/GaAs QWIP阵列芯片与CMOS读出电路芯片倒装焊互连，成功演示了室温环境下目 标的红外热成像；并进一步讨论了提高QWIP组件成像质量的途径。     

中国推进清洁工程 治理农村“脏、乱、差”

<正>一栋栋白墙黑瓦的民族建筑依山顺势而建,错落有致。弯弯的水泥路面被打扫得干干净净。寨脚下,一条清澈的小河蜿蜒而过。小河旁边的一块稻田养鸭示范田里,成群的鸭子扑棱棱地向远处游去。     

洋快餐频陷“安全门”

近日,世界知名快餐连锁企业麦当劳热卖的食品麦乐鸡,被美国媒体揭露含有两种橡胶类化学成分,可能对人体健康造成损害。近年来,洋快餐频频卷入食品安全事件正迅速在国内引发广泛讨论,也一次次冲击着消费者食品安全的敏感神经。洋快餐频频卷入食品     

洋快餐频陷“安全门”

近日,世界知名快餐连锁企业麦当劳热卖的食品麦乐鸡,被美国媒体揭露含有两种橡胶类化学成分,可能对人体健康造成损害。近年来,＂洋快餐＂频频卷入食品安全事件正迅速在国内引发广泛讨论,也一次次冲击着消费者食品安全的敏感神经。     

稳定工作的二次模半导体激光器

首次报道了一种稳定工作的二次模半导体激光器,该器件具有全新的远场特性.该器件的设计中采用了模式扩展层结构.利用模式扩展层抑制基模,加强二次模,并避免了模式不稳定的问题.使用常规的工艺手段成功制作了该器件,初步测试结果显示该器件的模式稳定,远场光斑为对称的三瓣结构,并且光功率与阈值电流均为正常水平.这种新器件的研制成功表明,这种特殊的器件结构能够造成半导体激光器的远场模式,而特殊的远场模式可能带来一些新的应用.     

提高SiC MESFET功率增益的研究

在高纯半绝缘衬底上采用国产的外延技术和自己开发的器件设计及工艺技术,研制出在S波段连续波输出功率大于10 W、功率增益大于9 dB、功率附加效率不低于35%的性能样管,比研制初期的3～5 dB的功率增益得到了较大幅度的提高,初步显现了SiC器件在S波段连续波大功率、高增益方面的优势。采用亚微米光刻和低欧姆接触形成及减小附加寄生参量,使器件在更大功率输出的情况下,功率增益和功率附加效率得到了明显提升,证明采取的措施是有效的。     

S波段连续波输出功率20W的SiC MESFET

采用自主开发的SiC外延材料和工艺技术,相继实现了S波段连续波状态下输出功率瓦级和10 W的SiC MESFET。经过版图设计的改进和工艺条件的优化,取得了S波段连续波状态下输出功率大于20 W,功率增益大于12 dB,功率附加效率大于30%的SiC MESFET研制结果。器件的功率增益和输出功率较以往的研制结果均得到显著提高,器件的反向截止泄漏电流也大幅度降低。由于器件未采用内匹配结构,其体积也比一般内匹配器件的体积小。研制结果为多胞合成实现更大功率输出的器件创造了条件,也使S波段连续波大功率输出器件的研制水平上了一个新的台阶。     

贯州：防震教育纳入中小学日常课程

笔者近日从贵州省地震局获悉,今年起,这个省将把防震教育课程纳入全省中小学的日常课程。贵州省地震局、教育厅近日联合向全省教育系统发文称,从2009年开始,全省中小学要将防震避震知识纳入教学计划,组织学生开展形式多样、内容广泛的地震科普活动,并要求根据校园实际情况,制订校园地震应急预案,每学年至少举行一次应急避险和紧急疏散演练。同时对学校防震减灾宣传教育的实施情况,相关部门要将其纳入考核内容。