微波脉冲与带缝嵌套腔体耦合的研究

为了解带缝腔体内耦合场分布特性,利用时域有限差分方法对微波脉冲与带缝嵌套矩形腔体系统(系统1)和带缝嵌套圆柱形腔体系统(系统2)的耦合过程进行了数值计算。计算表明两系统的外、内孔缝附近均存在场增强现象;两系统耦合过程存在相同的外孔缝耦合主脉冲、外孔缝场增强因子和脉宽展开现象,其内部腔体(Q2)中心点耦合场强峰值接近相等。相比各自的外部腔体(Q1)以及相同入射脉冲下的孔缝、同体积单层腔体内的耦合场强,两嵌套腔体的Q2内耦合场要弱。对两个系统的共振峰、共振频率点以及最大耦合函数曲线的研究结果表明,系统2在耦合过程中的腔体调制现象更明显,且在两种系统中,内孔缝使Q2内耦合波基于Q1内耦合波平均衰减约10 dB。     

浅谈釉下五彩瓷的继承与发展

<正>釉下彩是在未成瓷的生坯或素烧坯上进行彩绘,然后罩透明釉入窑经1300℃以上高温烧成。因色彩在釉层下面,故曰釉下彩。釉下彩包括青花、釉里红、釉下五彩等。本文浅述的是"醴陵釉下五彩",它因其色彩丰富,表现力强、瓷质细腻,画     

低温下应变外延层的单层生长

用接触式原子力显微镜来观察 4 6 0℃低温下生长的 In0 .35Ga0 .6 5As/ Ga As外延层形貌 .实验发现 ,这种 4 6 0℃低温生长材料的失配外延层既不是层状的 Fvd M生长模式也不是岛状的 SK自组织生长模式 ,而是由原子单层构成的梯田状大岛 .原子力显微镜测试表明台阶的厚度为 0 .2 8nm,约为一个原子单层 ,这种介于层状和岛状生长之间的模式有助于了解失配异质外延的生长过程     

在纪念吴寿祺先生诞辰123周年座谈会上的讲话

醴陵釉下彩很早就有了，上世纪40年代我在廖煜康、廖香馥家学徒时便在李丕熊的家画釉下铬渌江水。三班除铬渌山水外，是平图点虱多色的柳燕、紫藤雀、野菊花等画面。元器有青花渔樵耕读鸡爪莲等花面，釉上有三多四季金松鹤、贴花金雀和新花。由于重庆客多订金花、贴花和新彩，釉上彩也就随之多起来了。那时我也转到师兄肖子林店画新花。当时技术较好的是原瓷业学校毕业的廖煜康、易瑞芹、彭银秋、游先理和程炳生等人。易瑞芹爱画芦鸭，后来开了店，学徒有彭步青，肖邦建，相效基、巫兽连、罗修玉、张昌正、刘正兴等20多人；彭银秋爱画菊花，     

低温下应变外延层的单层生长

用接触式原子力显微镜来观察460℃低温下生长的In0.35Ga0.65As/GaAs外延层形貌.实验发现,这种460℃低温生长材料的失配外延层既不是层状的FvdM生长模式也不是岛状的SK自组织生长模式,而是由原子单层构成的梯田状大岛.原子力显微镜测试表明台阶的厚度为0.28nm,约为一个原子单层,这种介于层状和岛状生长之间的模式有助于了解失配异质外延的生长过程.     

自组织量子点的优化生长

在不同生长条件下,生长低组分InGaAs/GaAs自组织量子点并且使用接触式AFM进行测量.通过对生长条件的优化,得到高密度、高均匀性的量子点MBE生长条件,这对于自组织量子点在器件方面的应用,比如量子点红外探测器和量子点激光器,是非常重要的.同时,还与优化的InAs/GaAs生长条件进行了比较.     

内蒙古索伦—林西地区林西组泥页岩储层特征

内蒙古索伦—林西地区发育有较好生烃潜力的巨厚上二叠统林西组暗色泥页岩,泥页岩厚度高值带主要分布于官地—巴彦花—索伦一线的西北部,累厚可达911 m,单层最大厚度63 m。场扫描电镜、X-射线衍射分析等实验结果表明:林西组暗色泥页岩发育较多的脆性矿物,平均含量62.9%,最大可达70.8%;黏土矿物平均含量37.1%,最大可达41.5%;泥页岩中的微孔隙、微裂隙发育,孔隙类型以粒间孔隙和粒内孔隙为主,孔隙直径一般为1~3μm,最大为8μm;孔隙度平均为1.288%,最大为4.42%;基质渗透率平均为0.026 2×10-3μm2,最大为0.275 8×10-3μm2。与国内外已发现页岩气盆地相比,林西组泥页岩储层具有一定的页岩气储集条件,并具有可开发造缝的岩石学特征。推测区内查干淖尔—白音诺尔一线的西北地区是较为有利的目标区。     

快速率生长MBE InAs/GaAs(001)量子点

用快速率(1.0ML/s)生长MBE InAs/GaAs(001)量子点。原子力显微镜观察结果表明,在量子点体系形成的较早阶段,量子点密度N(θ)随InAs沉积量θ的变化符合自然指数形式N(θ)∝ek(θ-θc),这与以前在慢速生长(≤0.1ML/s)条件下出现的标度规律N(θ)∝(θ-θc)α明显不同。另外,在N(θ)随θ增加的过程中,快速率生长量子点的高度分布没有经历量子点平均高度随沉积量θ逐渐增加的过程。这些实验观察说明,以原子在生长表面作扩散运动为基础的生长动力学理论至少是不全面的,不适用于解释InAs量子点的形成。这些观察和讨论说明,即使在1.0ML/s的快速率生长条件下,量子点密度也可以通过InAs沉积量有效地控制在1.0×108cm-2以下,实现低密度InAs量子点体系的制备。