抽油杆防偏磨多角度可调式扶正器研制

在分析研究抽油杆扶正器井下工作原理和多种扶正器应用优势的基础上,研制了一种抽油杆防偏磨多角度可调式扶正器。介绍了该扶正器的总体结构、主要部件,并进行了强度校核。该扶正器设计合理,安全可靠,使用方便。     

城市生态区控制性详细规划编制及管控作用探讨

编制城市生态区控制性详细规划,有利于明晰生态用地"保护"与"开发"界限、弥补法定规划对生态区管控引导不足的缺陷及明确多元的管理权限,有利于解决城市生态区管控难的问题。研究建议按照管控的手段和强度,将城市生态区划分为生态保育区、生态建设区和生态协调区,探讨城市生态区控规分区划分原则、编制流程、控制内容体系和生态要素控制指标等内容;提出将城市生态区控制性详细规划作为利益协调的工具、土地出让和规划实施监控的依据。     

粉煤灰基固废胶凝材料流变特性机理研究

为研究适用于高浓度废弃尾矿砂浆充填体的胶凝材料，通过扩展度等试验检测不同粉煤灰掺量下砂浆流变特性，并分析试验方法的适用性；通过检测砂浆微观性质探究粉煤灰基胶凝材料作用机理。结果表明：扩展度与L管模型试验的相关性为0.985,说明扩展度可作为L管的预试验，协同表征砂浆流变性能；掺入10%粉煤灰的砂浆屈服应力降低了13.06%～24.74%,3 d强度提升了40%,7 d强度提升了9.9%,使固废综效得以充分发挥；随粉煤灰含量逐渐增加，浆液离子浓度逐渐降低，导致胶凝颗粒间斥力增加，颗粒更为分散；同时10%掺量粉煤灰的浆液3 d水化放热累计量261.696 J/g,提升了2.9%,孔隙率15.15%降低了4.02%,即粉煤灰的“滚珠”特性一定程度上改善了流动性并提升了硬化体强度。     

MBE自组装量子点生长和结构形态研究

综述了对自组装量子点形态和生长过程所做的探讨和研究。介绍了关于量子点成核和形态的热力学理论、量子点生长过程的计算机模拟及Ge/Si(001)和InAs/GaAs(001)量子点生长和形态的实验观察。鉴于InAs/GaAs(001)体系的复杂性,把对InAs量子点的观察和研究分为"微观"和"宏观"两种。微观研究对象包括量子点原子尺度上的结构、量子点表面小晶面的晶体学的精确取向等,这些性质可能受热运动的影响比较大,在一定程度上是随机的,它们代表了量子点生长行为的复杂性;宏观研究的对象是指量子点密度、纳米尺度形态等大量粒子统计意义上的集体行为,这些性质和行为可能更具有实际意义。因此作者认为,目前研究量子点生长和形态更为有效的方法应该是探寻以量子点宏观行为所表征的简单性。重点介绍中科院半导体所半导体材料重点实验室最近所做的对InAs/GaAs(001)量子点生长过程的实验观察。结果表明,在一般生长条件下(富As,500℃,0.1ML/s),InAs量子点成核和生长应该都是连续的,没有经历被普遍认为的不连续(一级)相变。按照作者的观察,把InAs量子点成核看作是连续(二级)相变更为贴切。     

MBE生长高电阻率GaAs基InAlAs组分渐变缓冲层

研究了用分子束外延(MBE)方法,在SI-GaAs衬底上不同低温生长的台阶式组分渐变InAlAs缓冲层结构.用原子力显微镜(AFM)观测表面形貌,生长温度为340℃时,外延层表面粗糙度为1.79nm.用Van der Pauw方法研究了材料的电学特性,室温电阻率ρ:2.6× 10Ω·cm.(电学性能测试表明200V电压间距1mm时,漏电流仅为0.3μA).高分辨X射线测试样品显示为良好的层状结构,晶体质量随生长逐渐变好.首次用变温Hall测试研究多层InAlAs缓冲层材料内部的载流子传输机制,并用热激电流谱(TSC)分析了其高阻机制.     

仿铜金属光泽釉的结构分析

作者利用x光衍射分析技术和扫描电子显微镜分析技术研究了仿铜金属光泽釉的结构,分析结果表明:在釉层表面有大量金属氧化物——尖晶石类矿物析出,其主要晶形为三角形、六边形及树枝状的微晶集合体;而且尖晶石晶体呈定向生长,其{111}晶面与釉层表面平行,尖晶石晶体在釉层中的规则排列,表明仿铜金属光泽釉的结构是一种平衡结构(晶体)和耗散结构(晶体的有序排列)组成的混合结构。其产生金属光泽的机理是,在釉层表面有大量的尖晶石晶体析出,且尖晶石晶体结构中原子密度较大的{111}晶面与釉层表面平行,从而对光线产生强烈反射作用的结果。     

洪涝安全视角下的山地城市用地布局规划研究——以福建省连城县城为例

洪涝灾害是影响城市安全的重要因素。由于生态敏感性高、资源短缺、灾害频发、用地结构不合理等原因,山地城市在城市安全方面面临巨大挑战。以福建省连城县城为例,山地城市的总体规划应充分利用GIS空间分析技术对洪涝灾害风险进行评估,以此确定城市的用地规模、发展方向、功能布局、基础设施安排等,为土地利用调整和优化提供依据,从而从土地利用角度确保城市安全。     

褐煤基活性焦的脱色性能试验研究

研究了褐煤基活性焦对碱性品红和酸性黑两种染料溶液的脱色特性。结果表明,在上述两体系中,吸附时间分别为50、120 min时,脱色率可分别达到95.9%、91.6%;活性焦投加量及染料浓度变化对脱色率产生不同影响;褐煤基活性焦对碱性品红和酸性黑的吸附规律可用拟二级动力学方程及Langmuir方程描述。     

ECCP干法刻蚀条件下的TFT基板绝缘层过孔腐蚀的改善

过孔搭接失效一直是TFT-LCD行业中重点改善的不良之一。为了解决该不良,本文分析了不同刻蚀模式(ICP和ECCP)对过孔形貌的影响,利用四因子法研究ECCP模式刻蚀参数(压力、偏置/源极射频功率及O_2/SF_6气体比例)对刻蚀速率和均一性的影响,并得出ECCP过孔改善的最佳刻蚀参数。结果表明:ECCP模式下,氮化硅刻蚀过程中物理轰击对GI截面的下沿与Cu接触区域形成损伤后产生的缺陷,是诱发过孔腐蚀的主要因素,ICP模式无腐蚀。反应腔压力增大刻蚀速率增大,均一性下降;偏置射频功率增大,速率增大,均一性提高;源极射频功率增大,速率变化小,均一性下降;O_2/SF_6气体比例对速率影响小,O_2含量越高,均一性越高。为达到PR胶保护GI下沿截面的目的,反应压力增大到1.7Pa,偏置射频功率减小到30kW,源极功率增加到30kW,O_2/SF_6气体保持比例1∶1后,增加了氮化硅的刻蚀量,减小PR胶的内缩量,避免物理溅射表面损伤;同时刻蚀速率达到750nm/s,均一性达到10%,腐蚀发生率为10%～0,使ECCP刻蚀模式对过孔的腐蚀影响得到有效解决。