C/SiC复合材料有序多孔陶瓷接头的制备及其连接技术研究

采用stöber法制备出单分散氧化硅小球, 并以此为模板, 结合先驱体转化技术成功制备出C/SiC复合材料纳米有序多孔陶瓷接头, 并对该接头制备工艺条件作了优化。对制备出的C/SiC多孔陶瓷接头分别采用先连后浸法(SJM)和直接浸渍法(DSM)进行了连接。结果显示, 两种方法连接的连接件的抗弯强度分别达82.4和20.5 MPa, 表明C/SiC多孔陶瓷接头采用SJM连接较好。     

纤维用含硼SiC陶瓷先驱体的研究进展

综述了硅硼碳(SiBC)先驱体、硅硼碳氧(SiBCO)先驱体和硅硼碳氮(SiBCN)先驱体等纤维用含硼碳化硅(SiC)陶瓷先驱体的合成方法,分析了不同陶瓷先驱体的组成、结构和性能,比较了几种合成含硼SiC先驱体方法的优缺点,提出了纤维用含硼SiC陶瓷先驱体的合成新思路。