晶体中光电子涨落的影响因素

针对晶体中光电子涨落的特点,分析了光吸收激发和热激发中影响光电子产生的因素.在光电子的衰减阶段,不同的电子陷阱所起的作用不同,浅电子陷阱由于延长了光电子在导带的弛豫时间,使光电子的衰减变缓;而深电子陷阱由于对光电子形成强束缚或作为复合中心加速了光电子的衰减.     

基于ANN方法的煤巷掘进前方小构造预报技术

利用煤巷掘进过程中所暴露出的大量的煤层信息，确定了与煤巷掘进前方小构造存在密切关系的影响因素，分析了煤层倾角、煤层厚度、涌水量、瓦斯等各个影响因子，选出主控因子，建立主控因子与煤巷掘进前方小构造预测危险性指数间的人工神经网络（ANN）分析模型，求取了各影响因素对前方小构造预测的权重系数，并建立了煤巷掘进前方小构造预测预报的ANN模型及其判据．对鹤壁十矿煤巷掘进前方小构造进行了预测，结果表明：ANN技术可用于煤矿巷道掘进前方小构造预测．     

长余辉发光材料中掺杂中心参数的理论估算

采用复合体模型,探讨了长余辉晶体Y2O2S:Eu中碱土金属离子M2 和Ti4 离子对Y3 离子的取代,离子间价电子数的差异,会造成掺杂中心的净电荷效应,当掺杂中心的净电荷为正时,掺杂中心起电子陷阱作用;当掺杂中心的净电荷为负时,掺杂中心起空穴陷阱作用.利用量子力学变分原理获得了碱土金属离子M2 和Ti4 掺杂中心的势阱深度和捕获半径的对应关系,利用所得结论估算出共掺杂的空穴陷阱[MgY]和电子陷阱[TiY] 的有效捕获半径分别为0.117 nm和0.071 nm.     

染料前体对光热敏微胶囊光聚合的影响

利用界面聚合技术获得了新型光信息记录材料光热敏微胶囊。借助荧光光谱及红外光谱技术研究了染料前体ODB-2对光引发剂激发态及光热敏微胶囊内部光聚合特性的影响。实验结果表明染料前体在紫外的光吸收竞争造成光引发剂荧光激发谱与发射光谱强度的降低,引起光引发剂激发态分子数的减少,进而影响到光引发剂初级自由基的量子产率以及光聚合的反应过程;在光热敏微胶囊内部发现单体光聚合速度与最终聚合程度随染料前体浓度的增加均减小,且不同种类染料前体对微胶囊内部光聚合的影响程度也不相同。     

隐色染料微胶囊涂层的热敏显影特性研究

使用界面聚合法制备了含有不同质量囊芯物质的热敏染料微胶囊;对比微胶囊的热相变特性,研究了染料含量对纸基热敏微胶囊涂层显影密度的影响。热重分析结果显示：聚脲囊壁在120℃左右达到玻璃点转化温度,渗透性增强,当温度达到255．8℃时微胶囊囊壁结构分解。变温红外光谱检测结果显示：在170℃以下所测微胶囊囊壁在玻璃态与高弹态之间转化,此变温范围内囊壁分子的分子结构和键合特性的变化是可逆的。影像密度检测结果显示：随着荧烷类染料（ODB-2）含量的增加,纸基热敏微胶囊涂层显影密度增加,但随染料包覆量增加,显影密度提高变慢。     

ICP-MS和ICP-AES联合分析63Ni活度浓度

将电感耦合等离子体质谱法（ICP-MS）与电感耦合等离子体原子发射光谱法（ICP-AES）联合使用,结合2种仪器的优势,建立仪器分析和数据处理方法。采用建立的联合方法实测了辐照后镍金属制备63Ni β放射源工艺监控样品的63Ni活度浓度,并将所测结果与液体闪烁计数器法（LSC）测量结果进行对比。结果表明,2种方法所测结果的最大偏差为5.1%,测量结果的不确定度为4.4%（k=2）,证明该联合测量方法准确可行。      

岩巷工序转移、分区快速施工关键技术

介绍了岩巷工序转移、分区快速施工关键技术要点及应用情况.该项技术克服了传统岩巷施工工艺的缺点,可有效地释放巷道围岩压力,保护支护层,减小锚喷巷道返修率;并且掘装运支工作量相匹配,可使岩巷施工速度提高30%以上,取得良好的技术经济效益.     

光热敏微胶囊的光信息记录与再现特性

采用界面聚合技术获得了新型光信息记录材料光热敏微胶囊。利用红外光谱及热显影技术对微胶囊光信息记录过程及再现特性进行了研究。实验结果表明,曝光瞬间自由基型光引发剂引发单体分子间交联聚合,从而造成不饱和碳碳双键含量呈双指数衰减,同时碳碳单键含量增加,从微观体现了微胶囊对光信息的记录;光聚合产物对染料分子形成包裹,降低了染料前体与显色剂的反应几率,造成曝光区微胶囊涂层显色密度的下降,与未曝光区显色密度形成明显的密度反差,从宏观体现了微胶囊对光信息的再现。     

热敏型微胶囊显示材料的渗透与显影特性研究

利用界面聚合技术制备了以聚脲为壁材的热显影微胶囊。采用热重-差示扫描量热分析技术(TG/DSC)研究了聚脲囊壁的热稳定特性;利用红外光谱技术对显色剂D-8在不同温度及时间条件下热渗透结果进行了检测,并与微胶囊显影密度随加热时间及温度的变化进行了对比。实验结果表明,由IPDI聚合形成的聚脲囊壁热稳定温度在250℃左右,在170℃附近发生玻璃态到高弹态的相转变;显色剂D-8的渗透率随加热温度升高呈单指数增长而随加热时间的延长呈线性增长;微胶囊显影密度随加热温度及时间的增加而增大,且热显影结果与红外检测结果具有较好的一致性。     

利用变分法对卤化银微晶中掺杂中心参数的估算

从量子力学出发利用变分原理采用尝试波函数,探讨了不同情况下卤化银微晶中掺杂中心的势阱深度和捕获半径之间的对应关系。利用得出的结论估算了室温下浅电子陷阱掺杂剂[Fe(CN)6]4-引入的电子陷阱捕获截面为70 A2,而掺杂剂[IrBr6]3-引入的电子陷阱势阱深度为1.07eV。