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1.
用等离子喷涂工艺制备了 Y-Ba-Cu-O 高临界温度超导涂层,涂层的初始转变温度为101K、零电阻温度为86K。电阻率与磁化率的测量结果表明这种超导涂层具有与烧结超导块体相类似的性能,X 光衍射谱显示出涂层主要由 YBa_2Cu_3O_(?)单相化合物组成。  相似文献   
2.
本文研究了烧结助剂Ni对C-B_4C-SiC复合材料显微结构与性能的影响.X射线衍射表明Ni在烧结温度下与SiC,B_4C人发生反应在晶界生成Ni_(4.6)Si_2B,并产生液相,有效地促进了C-B_4C-SiC复合材料的烧结,抑制了晶粒的长大,使复合材料密度与强度大幅度地增加,电阻率下降;同时Ni_(4.6)Si_2B在氧化时生成致密的2NiO·B_2O_3,包裹了易氧化的B_4C和C,有效地防止了复合材料的氧化,从而大大提高了制品的抗氧化性能.  相似文献   
3.
金刚石涂层超精加工车刀的研制   总被引:9,自引:1,他引:8  
使用热丝CVD法研究了金刚石涂层生长速度、晶粒大小和结合强度与生长工艺参数的关系,在此研究基础上,选择氮化硅材料作为刀具基底材料,并优化生长工艺参数,使热丝CVD法生长金刚石膜的速度提高到20μm/h,膜层平均晶粒度〈1μm,划痕临界载荷达到了50N,然后进行内应力消除及机械研磨、抛光,这样制成的超精加工刀具有来加工铝合金部件。被加工件的表面不平度〈0.1μm,光洁度达到了△↓12,加工光洁度与寿  相似文献   
4.
本文就烧结助剂Ti对C-B4C-SiC碳/陶复合材料显微结构与性能的影响进行了研究,X射线衍射表明Ti在烧结温度下与B发生反应在晶界生成TiB2,并产生液相,有效地促进了C-B4C-SiC复合材料的烧结,抑制了晶粒的长大,使复合材料密度与强度大幅度地增加,电阻率下降;同时TiB2在氧化时生成致密的TiO2,包裹了易氧化的B4C和C,使制品难氧化,从而大大提高了制品的抗氧化性能.  相似文献   
5.
SiC和SiC-WC复相陶瓷高温自润滑特性及其机理   总被引:1,自引:1,他引:1  
周松青  肖汉宁  杨巧勤 《硅酸盐学报》2004,32(12):1470-1475
研究了SiC和SiC-WC在真空中的自对偶高温摩擦性能。随着温度的升高,SiC/SiC的摩擦系数变化不大,比磨损率(自对偶体积磨损量与接触压力和摩擦路程之比)从20℃到800℃保持为4.0×10~(-8) mm~3/(N·mm)(模式Ⅰ),从800℃到1 200℃减少(模式Ⅱ),自对偶的高温磨损机理由轻微的粘着磨损控制,磨损由模式Ⅰ向模式Ⅱ转化,呈现出高温自润滑特性。SiC-WC/SiC-WC显示了较低的摩擦系数,直到1 200℃均不高于0.35,在1 000℃、0.4 MPa压力下自对偶的比磨损率仅为SiC/SiC的比磨损率的50%左右。在600℃SiC/SiC摩擦氧化明显,氧化物主要为无定形的SiO_2,在摩擦表面形成一层由微米或亚微米级无定形平滑薄膜层,这就是样品出现自润滑的机理。  相似文献   
6.
杨巧勤  赵立华 《炭素》1995,(2):13-17
本文使用热丝CVD法着重研究了基底表面的处理、工作气压、碳化物的含量、基底温度、灯丝温度以及基底与灯丝间距离等对金刚石膜生长速度所产生的影响,并在以上研究的基础上采取措施,使热丝CVD法生长金刚石膜的速度提高了4倍。  相似文献   
7.
X射线衍射研究球磨Si3N4粉末的特征   总被引:1,自引:0,他引:1  
Si3N4粉末在行星球磨机中以酒精为研磨液进行湿磨,直至195小时。采用X射线粉末衍射研究了Si3N4粉末晶块尺寸值和晶烃量与研磨时间的关系,晶块尺寸值与晶格畸变量的分离基于两项宽化效应对布拉格角的依赖不同。结果表明:在最初50小时的左磨中,晶块细化很快,超过170小时后,晶块不再减小;经195小时球磨,粉末晶块尺寸值从未磨样的0.23μm减少到0.074μm;经计算得未磨样最小位错密度为ρD=5  相似文献   
8.
对原位反应合成的C-SiC-TiC-TiB_2复合材料在600~1200℃空气中的抗氧化性能进行了研究。在不同材料组成和试验温度下,试样分别出现氧化增重和失重,这主要取决于碳相和陶瓷相的氧化速率及氧化层的结构特征。在600℃该材料几乎不被氧化;800℃时TiB_2被优先氧化,形成B_2O_3液相;在1000℃以上B_2O_3与SiO_2生成硼硅酸盐玻璃,形成一致密氧化层。氧化过程中液相的出现和致密氧化层的形成显著降低了氧化速率,使材料进入钝氧化,表现出优良的抗氧化能力。  相似文献   
9.
采用 YBa_2Cu_3O_(7-x)靶材,用离子束溅射法在多种衬底上得到了接近化学计量的YBa_2Cu_3O_(7-x)单相超导薄膜。  相似文献   
10.
我们已经在高频等离子体中生长出C—膜,硬度约为兰宝石的2.5倍;并提出了活性离子碰撞形成C—膜的机制。  相似文献   
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