激光晶体中的一种新型夹杂物

在BeAl_2O_4:Cr~(3+)晶体生长中发现一种新型夹杂物。用电子探针进行了组分分析并对其形成机制作出了解释。     

生长掺铬铝酸铍晶体的温度条件

本文研究了生长BeAl_2O_4:Cr~(3+)晶体时出现的白色物相,认为它是多晶铝酸镀物相。根据不同保温装置的条件下生长晶体的实验结果,认为如果晶体生长时的过冷度大于5.0℃,温度波动大于±5.0℃,则都容易生成多晶铝酸铍相。     

Mg_2SiO_4:Cr~(3+)晶体的生长及其特性

介绍了用提拉法生长的Mg_2SiO_4:Cr~(3+)单晶的生长、结构和形态特征,测定了该晶体的吸收谱和荧光谱。荧光谱电子振动边带在800～1400nm,吸收谱中有一定的Fe~(3+)吸收。     

丰满水电站重建工程施工期洪水调度及供水保障方案研究

丰满水电站重建工程施工期仍由原丰满大坝承担挡水、泄洪任务,并兼作上游围堰。丰满水库的防洪、供水任务不能因为重建工程施工而改变,期间丰满三期水电站独立运行改造后承担发电和保下游供水任务。为了更好地解决重建工程施工期间防洪供水矛盾,在确保原工程承担的防洪、供水及发电等社会责任的同时,为重建工程提供可靠的施工条件是本洪水调度及供水调度保障方案研究的目的,其研究成果可作为重建工程施工期间水库调度运用的依据。本文结合梯级水电站特点和重建工程施工期防洪和供水任务、临时建筑物施工度汛及极端工况等约束条件,研究提出了相关方案,其研究思路综合考虑的各方面因素可供类似工程借鉴参考。     

Cr,Ca:YAG晶体中Cr的吸收和退火特性

用Czochralski法生长了Cr4+:YAG可调谐激光晶体,对样品进行氧化气氛高温退火实验,分析比较了退火前后Cr4+吸收特性的变化,发现退火后样品中Cr4+的吸收显著增强；Cr3+的主要吸收峰值红移,并提出相应模型对此现象进行了解释。     

引上法生长Cr：Mg2SiO4晶体中铬的分布和价态

Cr：Mg2SiO4晶体作为一种新的激光基质，以其独特的性能，引起了广泛的关注。在该晶体中，铬离子的分凝系数很小，因此在用提拉法生长的Cr：Mg2SiO4晶体中，铬离子存在轴向浓度梯度，在凸界面生长的晶体中，晶体的生长界面上出现小面，由于小面和非小面区域的反常分凝等原因，造成晶体中铬离子浓度的经向分布不均，在小面与非小面的交界处存在着较大的浓度梯度，造成晶体中宏观缺陷的出现。Cr：Mg2SiO4晶体中，铬离子主要表现为两种形式：Cr^3 和Cr^4 。不同的生长气氛决定着晶体中两种离子的比例。在晶体中，Cr^3 离子取代Mg^2 离子，Cr^4 离子取代Si4 离子。在氧化性气氛下退火不能使晶体中的Cr^3 离子氧化成Cr^4 离子。     

导向温梯法生长优质兰宝石单晶

评述了各种生长兰宝石晶体的工艺技术,着重指出采用Czochralski技术生长兰宝石晶体过程中存在的坩埚中熔体对流效应对晶体质量的严重影响,提出了生长兰宝石晶体的导向温梯法。 采用导向温梯法生长兰宝石晶体所得结果表明,其位错密度、光学均匀性、应力和散射中心等品质均优于Verneuil和Czochralski技术生长的晶体。还讨论了选用该法生长大尺寸、高质量兰宝石单晶的优缺点。     

Cr，Ca：YAG晶体中Cr~（4＋）的吸收和退火特性

用Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ法生长了Ｃｒ４＋：ＹＡＧ可调谐激光晶体，对样品进行氧化气氛高温退火实验，分析比较了退火前后Ｃｒ４＋吸收特性的变化，发现退火后样品中Ｃｒ４＋的吸收显著增强；Ｃｒ３＋的主要吸收峰值红移，并提出相应模型对此现象进行了解释。     

铝酸铍晶体中夹杂物与晶体生长习性的关系

本文论述了铝酸铍晶体生长中的夹杂物与晶体生长习性间的关系.观察到夹杂物沿晶体生长最快的方向分布,并作了初步解释.