抗晃电交流接触器在阴、阳极液泵供电回路中的应用

介绍了抗晃电交流接触器及其在阴阳极液泵供电回路中的应用,为解决晃电导致的离子膜跳闸问题提供参考。     

多孔PDMS基底复合柔性互连导线拉伸时3D变形行为研究

目的 探究多孔聚二甲基硅氧烷(PDMS)基底复合柔性互连导线的透气性能和延展性能,以使其更好地应用在医疗领域。方法 本文采用三维数字图像相关(3D-DIC)方法检测了25 ℃下不同孔隙率的多孔PDMS基底复合柔性互连导线单轴拉伸过程中导线与基底的面内应变失配和离面位移特征。在此基础上,本文引入平均位移(wm)和位移幅(wa)作为量化表征复合柔性电子离面变形的指标,并结合多孔PDMS基底的气密性实验结果评价了不同导线样品。结果 研究结果表明,多孔PDMS材料作为基底能显著降低复合柔性电子的离面变形程度,并使复合柔性电子具有良好的透气性。在相同拉伸载荷(20 N)和拉伸距离下,PDMS与去离子水质量比为6∶1时的多孔PDMS基底复合柔性互联导线具有稳定的离面变形变化量。结论 多孔PDMS基底复合柔性电子不仅具有良好的透气性,而且可以有效地增强金属互联层与柔性基底的粘连程度。本文所获得的PDMS与去离子水最佳掺杂质量比,可为制造高延展性多孔基底柔性电子器件提供参考。     

软起动器在离心机上的应用

介绍了软起动器在离心机上的应用和与传统的自耦降压起动器相比所具有的优点，为其它重载设备的起动提供借鉴。     

雷电干扰引起膜整流电流波动的原因及解决方法

我公司分别在１９９１年和１９９８年扩建投产了２万ｔ／ａ离子膜Ⅱ期和Ⅲ期工程的烧碱装置，遇到打雷天气时，同期运行的Ⅱ期两套机组运行电流非常稳定，而Ⅲ期两套机组电流却同时波动，就这一问题我们进行了比较分析和解决。１　比较两期机组的不同情况（１）供电线路防雷状况不同我公司地处于夏季多雷地区，线路防雷好坏直接影响着离子膜运行的稳定，Ⅱ期整流机组和Ⅲ期整流机组分别由榆化甲线和齐化线供电，榆化甲线全长４．７ｋｍ，并且全程避雷；齐化线长１９．６ｋｍ，只在从进户往前３．５ｋｍ这段线路架设了避雷线，这就使齐化线受…     

硒化Cu,In双层膜制备CuInSe2薄膜

采用超声波电沉积方法在钼衬底上制备了Cu,In双层膜,随后硒化得到了CuInSe2薄膜.采用扫描电镜( SEM)、能谱仪(EDS)和X射线衍射仪(XRD)研究了薄膜的表面形貌、化学成分和相组成.结果表明:利用超声波电沉积可以得到颗粒细小、均匀致密的Cu层和In层;采用不同的工艺参数可以调节双层膜的Cu/In比率;双层膜在130C下,退火6h后进行硒化,可得到符合化学计量比的CuInSe2薄膜.     

粉末涂敷法制备CuInSe_2薄膜的硒化烧结过程研究

用粉末涂敷法在Mo箔上涂敷CuInSe2前驱体薄膜,进而在H2气氛中热处理制备了太阳能薄膜电池吸收层用CuInSe2薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和其配备的能谱仪(EDS)对CuInSe2薄膜进行分析和表征,对硒化烧结过程中化学反应的可能性进行了热力学计算.结果表明:硒化烧结过程分为三个阶段:二元化合物CuSe和三元化合物CuInSe2的形成均出现在硒化烧结的前两个阶段;第三个阶段主要是CuInSe2晶粒长大和薄膜的致密化过程.H2气氛在CuInSe2薄膜烧结过程中可能起到催化剂的作用.     

超声电沉积-硒化制备CuInSe_2薄膜

采用超声电沉积法在钼基底上制备了Cu-In合金预制膜,随后在硒蒸汽进行硒化处理,得到了CuInSe2(CIS)薄膜.分别用SEM、EDS和XRD分析了合金预制膜和CuIrISe2薄膜的表面形貌、成分及相组成.结果表明:超声电沉积可以得到晶粒细小、均匀致密的Cu-In合金薄膜,并且可以利用电流密度控制预制膜中的Cu/In比率;随着Cu含量的增加,CIS薄膜的结晶性变好;富铜的CIS薄膜中除了CuInSe2以外还有CuSe相,CuSe的含量随铜含量的增加而增加.     

Cu-In合金的制备和表征

使用感应熔炼法制备cu山合金,并尝试使用单辊甩带法制备连续均匀的cu-In合金薄带,利用XRD,SEM和EDs对制得的Cu-In合金进行表征.结果表明:cu-In合金凝固过程存在偏析现象,合金内部呈现出不连续的富cu区域和连续的富In区域,并且在富In区域中心部位存在着许多细小裂纹,单质In仅存在于裂纹周围.感应熔炼的cu-In合金具有Cu11In9和In混合物相结构,它为研究CulnSe2薄膜太阳电池提供了一种新材料;但使用单辊甩带法无法制备In含量为55%(摩尔分数)的连续均匀cu-In合金薄带.     

3200kW主风机的起动

简要介绍了3200kW主风机的供电方式,并通过实际起动分析了水电阻起动的优越性.     

超声电沉积制备Cu-In合金膜

采用超声电沉积-热处理两步法和超声共沉积一步法在钼基底上制备了致密的Cu-In合金薄膜。分别用SEM,EDS和XRD分析了Cu/In双层膜以及Cu-In合金膜的表面形貌、成分及相组成。结果表明:采用不同的电沉积工艺参数可以调节合金膜的Cu/In比率;超声电沉积可以得到晶粒细小、均匀致密的Cu,In以及Cu-In合金薄膜;两步法中超声电沉积得到的双层膜为CuIn和Cu或In相,经过热处理后转变为Cu11In9和Cu或In相;一步法超声共沉积得到的合金膜主要为CuIn相,根据Cu/In比率的不同,还会含有少量的Cu11In9或In相。