K4体系KTP晶体的制备及其性能研究

本文选用K4P2O7助溶剂体系生长KTP晶体,所生长的晶体具有低吸收率和蓝、绿光波段抗灰迹性能,确定其最佳生长配比为KTP/K4 =0.8 mol/mol,测定其饱和点为850℃左右,从饱和点缓慢降温到820℃所生长晶体质量最佳,并对其进行了PCI抗灰迹吸收测试、倍频效率测试、电导率测试.结果表明:在同样原料纯度的情况下,吸收系数只有普通K6体系KTP晶体的十几分之一;1064 nm调Q到绿光的转化效率为61.8％(普通KTP转化效率为50％);在1 kV直流长时间加压条件下,Z向电导率达到10-10S/cm量级,较普通K6体系生长的KTP晶体低2～3个数量级.     

氧化钇透明陶瓷的烧结工艺研究

采用自制高性能氧化钇粉体,分别添加0.5％～3％(质量分数,下同)氟化锂,0.5％～3％无水氯化钙与氟化锂作为助烧剂,采用钢模压制成型,然后进行真空热压烧结,真空热压温度1300～1550℃,保温时间2h,然后再进行热等静压处理,制成氧化钇陶瓷.采用X射线衍射仪(XRD)分析样品的物相组成;采用扫描电子显微镜(SEM)观测Y2O3透明陶瓷的晶粒形貌,尺寸及断口形貌;测试了抛光后样品的可见光及红外透过率.结果表明:以LiF为助烧剂,采用真空热压烧结,结合热等静压的方法烧结出Y2O3透明陶瓷,陶瓷内部气孔极少,晶界线宽度很窄.陶瓷的红外透过率达82％.     

增强型镁铝尖晶石透明陶瓷的制备

以溶胶-凝胶法结合热压及热等静压工艺制备了一系列增强型镁铝尖晶石透明陶瓷(MgO·n Al2O3),研究了n值对粉体物相的影响以及与陶瓷红外透过率、抗弯强度的关系.n值为1.5、2、4时,MgO· nAl2O3粉体仍可保持纯尖晶石相,增强型镁铝尖晶石透明陶瓷MgO·1.5Al2O3在具备与镁铝尖晶石透明陶瓷(MgAl2O4,即MgO· Al2O3)相当的优良中波红外透过率的同时,抗弯强度有大幅提高.     

石英晶体的条纹缺陷及其对透过率的影响

采用正交偏光条纹检测仪观察了水热法生长的光学石英晶体中的条纹缺陷,分析了光学石英晶体中条纹缺陷产生的原因和对晶体样品的透过率的影响。结果表明:晶体中的条纹缺陷主要是由在生长过程中籽晶中缺陷的遗传和高压釜中局部生长条件变化引起的。有条纹和无条纹缺陷晶体在400～800nm波段存在最高吸收峰,800～2500nm波段存在最低吸收峰。有条纹缺陷和无条纹缺陷晶体样品的透过率存在0.64%的差异。