制备条件对反应溅射制备的a—SIC：H膜结构和特性的影响

通过红外透射谱，可见－紫外透射反射谱和电导率的测量，研究制备条件（射频功率Ｐ和ＣＨ４流量比ｒｃ）对反应溅射法制备的ａ－Ｓｉｃ：Ｈ膜的结构和特性的影响。结果发现，当Ｐ＝３２０Ｗ，ｒｃ＝３．４１％时，膜的质量较好：带尾较窄，膜中Ｃ成四配位，ＳｉＣ键数目较多，Ｅｏｐｔ〉２ｅＶ。对实验结果作了初步讨论。     

射频功率对反应溅射淀积的a－Ge：H薄膜特性的影响

本文通过红外透射谱（ＩＲ）、拉曼散射谱（Ｒａｍａｎ）、电子自族共振谱（ＥＳＲ）、光吸收谱、电导率和淀积速率的测量，比较全面地研究了射频功率对反应溅射法淀积的ａ－Ｇｅ：Ｈ薄膜特性的影响．发现ａ－Ｇｅ：Ｈ膜的淀积速率、氢量、膜结构、光电性能随功率发生规律性的变化．对实验结果作了初步讨论．     

用思想影响世界

近日,美国著名的《外交政策》（Foreign Policy）杂志选出2009年度全球100名顶尖思想者,认为他们的思想塑造了2009年的世界。其中美联储主席伯南克、美国总统奥巴马位居前两位,中国人民银行行长周小川位列第九,大陆媒体人胡舒立、华裔学者裴敏欣也入选。思想是一种力量。能用思想影响世界,     

消费者偏好的变化对欧盟农业和食品政策的影响:一个宏观概览

由于经济福利的改善、农业生产率的提高、消费者健康意识的增强和食品安全危机等多重影响,欧盟消费者对食品的偏好特征发生了改变,推动了欧盟农业和食品政策关注点从传统的供给和收入问题向食品质量和安全问题转变。本文在论述了消费者偏好变化和欧盟农业与食品政策变革的基础上,分析讨论了消费者对欧盟政策和标准的影响。     

阳极氧化法制备多孔硅中的正电子湮没及扫描电子显微镜研究

用正电子湮没技术和扫描电子显微镜研究研究了阳极氧法法制备的多孔硅材料。正电以实验表明，随着阳极氧化时间的延长，平均寿命值增大，空位缺陷增多，长寿命成分较少。扫描电子显微显示，在阳极氧化过程中有尺寸为几μｍ的单晶球形成。     

创意阶层在中国崛起

我们正进入一个全新的时代,这将是一个创意可以带来一个产业、改变整个世界的创意时代.以计算机、电子通信和互联网为核心的第三次科技革命即将成为历史,它们将不再是新的经济大浪潮的主角,而是已经转型为载体和驱动力.     

高温退火对反应溅射制备的a-SiC:H薄膜结构的影响

通过红外透射谱、拉曼散射谱和X射线衍射谱的测量,研究了反应溅射制备的氢化非晶硅碳膜（SP-a-SiC：H）高温退人处理后的结构变化。发现在等时退火的情况下,退火温度对薄膜结构影响明显,H原子的逸出温度与键合有关,H从CH_n中逸出要比从SiH_n键中追出需要更高的温度,样品经800℃退火后,a－SiC：H膜转化为μc－SiC膜     

射频功率对反应溅射淀积的a—Ge：H薄膜特性的影响

本文通过红外透射谱（ＩＲ）、拉曼散射谱、电子自旋共振谱（ＥＳＲ）、光吸收谱、电导率和淀积速率的测量，比较全面地研究了射频功率对反应溅射法淀积的ａ－Ｇｅ：Ｈ薄膜特性的影响。发现ａ－Ｇｅ：Ｈ膜的淀积速率、氢量、膜结构、光电性能随功率发生规律性的变化。对实验结果作了初步讨论。     

氩离子轰击对射频溅射法制备的a—SiC：H膜退火形成6H—SiC的影响

本对射频溅射法沉积的ａ－ＳｉＣ：Ｈ膜热退火形成６Ｈ－ＳｉＣ相进行了研究。我们采用红外透射谱、喇曼背散射谱和Ｘ光衍射谱来研究退火形成６Ｈ－ＳｉＣ的过程。在较高的射频功率下沉积的ａ－ＳｉＣ：Ｈ膜经８００℃６０分钟等时退火后转变为６Ｈ－ＳｉＣ相，该温度低于在低功率下制备的ａ－ＳｉＣ：Ｈ形成６Ｈ－ＳｉＣ（１０００℃）。高功率可导致６Ｈ－ＳｉＣ形成温度的降低与膜中硅及石墨团簇的消失，同时高能量的氩离子轰击     

氩离子轰击对射频溅射法制备的a-SiC∶H膜退火形成6H-SiC的影响

本文对射频溅射法淀积的ａ－ＳｉＣ∶Ｈ膜热退火形成６Ｈ－ＳｉＣ相进行了研究．我们采用红外透射谱、喇曼背散射谱和Ｘ光衍射谱来研究退火形成６Ｈ－ＳｉＣ的过程．在较高的射频功率下淀积的ａ－ＳｉＣ∶Ｈ膜经８００℃６０分钟等时退火后转变为６Ｈ－ＳｉＣ相，该温度低于在低功率下制备的ａ－ＳｉＣ∶Ｈ形成６Ｈ－ＳｉＣ的温度（１０００℃）．高功率可导致６Ｈ－ＳｉＣ形成温度的降低与膜中硅及石墨团簇的消失，同时高能量的氩离子轰击可使膜中氢含量减少及各组分均相．通过改变射频功率，本文研究了氩离子轰击对ａ－ＳｉＣ∶Ｈ膜及形成６Ｈ－Ｓｉ