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等离子法制备氮化铝粉末原料的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
以金属铝粉和氮气为原料通过直流电弧等离子法制备氮化铝粉末, 经羧酸与盐酸混酸在常温超声条件化学纯化后, X衍射分析表明制备出纯度高的氮化铝粉末;样品SEM照片显示处理后AlN粉末粒度为2~5 μm存有少量氮化铝晶须. 相似文献
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采用X射线光电子能谱(XPS)对比分析纯氧化锌陶瓷和氧化锌压敏电阻的界面特性。结果表明,纯氧化锌陶瓷晶粒平均尺寸小于10 祄,掺杂材料有利于ZnO晶粒均匀生长。界面上O/Zn原子数量比值等于2.58,但界面势垒不到10 mV,其体电阻率在2.36~47.97佟m。价电子谱发现:室温下仅纯ZnO费米能级附近有载流子分布,这表明:压敏电阻界面有陷阱态,氧化锌压敏电阻界面电输运特性需用载流子陷阱对双肖特基势垒进行补充。 相似文献
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薄膜太阳电池以其低成本吸引越来越多的研究者。CIGS薄膜作为光伏材料,其光电转化效率高,性能稳定,CIGS薄膜太阳能电池成为各国研究的热点之一。近来研究主要关注CIGS薄膜太阳电池大面化、薄膜效率影响因素和工艺研究。本文主要介绍CIGS薄膜电池近年来的研究进展。 相似文献
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纳米氧化铋粉体的制备及对ZnO压敏电阻性能的影响 总被引:16,自引:0,他引:16
采用直流电弧等离子法可以制备出包含有a和β相,尺寸约为70 nm的纳米氧化铋粉体,收率可达30%。利用制备的纳米氧化铋粉体替代微米级材料制备氧化锌压敏陶瓷后,研究了其对器件电学性能和陶瓷微观结构的影响。实验发现:纳米氧化铋使用量为1.6%摩尔分数时其压敏电压梯度和通流值分别为185 V/mm和4 700 A/cm2,而达到相同值所需微米氧化铋用量则分别为1.9%和1.85%。可见,如采用纳米氧化铋替代微米氧化铋可以减少用量10%~20%,而达到相同的电性能。 相似文献
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