用光学位相补偿法测定微下击暴流冰表面电荷密度

用光学位相补偿法测定微下击暴流冰表面电荷密度张开锡，赵庆勋，董丽芳，尚勇（河北大学物理系保定０７１００２）张平（中国科学院物理研究所北京１０００８０）微下击暴流（Ｍｉｃｒｏｂｕｒ响是一种小尺度风暴，航空学界对于这种强烈的、局部性的、变化迅速的风暴予以...     

高温超导交流磁体气冷电流引线的优化设计和实验

通过研究交流超导磁体气冷电流引线两段式模型的优化设计,使得其向低温系统的漏热达到最小,并自行设计热测法实验装置进行了实验研究.结果表明在引线顶端温度为300 K、引线下端温度为77 K、引线传输电流为460 A的情况下,得到最佳引线直径为7.9 mm,与实验值8 mm符合.对交流电流引线的趋肤效应进行了分析和讨论.     

Monte Carlo Simulation of Electron Swarm in the Diamond Film Growth via EACVD

Monte Carlo simulations are adopted to study the electron transport porcess in the non-uniform electric field.Some important parameters of electrons in diamond films dynamic process at low temperature via EACVD such as angle distribution,energy distribution,average energy of electrons are given.The results indicate that the electron scattering near the substrate is mainly of a large-angle scattering,exhibiting a double-peaking distribution .All of the conclusions provide some theoretical data referential to the vapor dynamic model of diamond film growth at low temperature via EACVD.     

弥散介质在强激光辐照下的质量与热量的Onsnger转移势

弥散介质在强激光辐照下的质量与热量的Ｏｎｓｎｇｅｒ转移势张平，张开锡，傅广生，薛国良，赵庆勋（河北大学物理系，保定０７１００２）本文利用不可逆过程热力学Ｏｎｓａｓｅｒ势转移方程，在第一类边界下，研究了在强激光辐照下热量和质量转移势。得到了转移势场分布...     

以Ni-Al为底电极的P(VDF-TrFE)铁电电容器的结构与性能

应用磁控溅射法制备Ni-Al和Pt薄膜,溶胶-凝胶法制备P(VDF-TrFE)铁电共聚物薄膜,在SiO2/Si(001)衬底上首次构架了Pt/P(VDF-TrFE)/Ni-Al异质结电容器。X射线衍射(XRD)结果表明:Ni-Al薄膜为非晶结构,P(VDF-TrFE)薄膜具有较好的结晶质量。研究发现,在20 Hz测试频率下,Pt/P(VDF-TrFE)/Ni-Al电容器具有饱和的电滞回线,在90 V驱动电压下,剩余极化强度与矫顽场分别为7.6μC/cm2和45.7 V。在外加电压为40 V时,薄膜的漏电流密度约为5.37×10-6 A/cm2。漏电机制研究表明,Pt/P(VDF-TrFE)/Ni-Al电容器满足欧姆导电机制。铁电电容器经过109极化反转后没有发现明显的疲劳现象。     

硅基集成电路中Cu互连阻挡层的研究

随着集成电路向超大规模的发展,Cu互连技术已成为硅工艺领域的热点话题,其关键技术之一--扩散阻挡层的研究越来越受到人们的关注.结合课题组阻挡层的研究工作,介绍了当前Cu互连技术中难熔金属及其氮(碳、硅、氧)化物、多层膜、三元化合物等各类扩散阻挡层材料的研究发展现状,论述了阻挡层的厚度问题、阻挡层研究过程中的分析表征方法以及当前Cu互连的理论研究现状,归纳并分析了阻挡层的失效机制.     

准分子激光低温淀积金刚石薄膜

金刚石薄膜以其优异的力、热、电、声、光等性质而具有广泛的应用前景。近年来，一系列化学气相淀积（CVD）技术被用于金刚石薄膜的合成，并取得了一系列的进展．但目前多数CVD方法中基片温度较高（大于800℃），这极大地限制了金刚石薄膜在光学、半导体和光电子学等方面的应用．因此，低温生长高质量的金刚石薄膜已成为目前重要的研究课题．本工作在EACVD基础上，辅以准分子激光（XeCl308nm）溅射C靶产生激光等离子体，在较低温度（500～600℃）下生长了高质量的晶态金刚石薄膜．工作气体为CH4／H2，浓度比为0．7％～1％；热灯丝温…     

磁约束等离子体的高分辨光谱诊断

磁约束等离子体的高分辨光谱诊断赵庆勋（河北大学物理系保定０７１００２）李赞良，郑少白（中国科学院物理研究所北京１０００８０）光谱诊断已成为磁约束高温等离子体诊断中最为有效的方法之一。对于磁约束等离子体，其内部电场与离子温度关联着等离子体内部的粒子输运...     

Al,Ni掺杂ZnO的电子结构与光学性质

利用基于密度泛函理论的第一性原理方法计算了纯ZnO和分别掺摩尔分数均为6.25%Al,Ni的ZnO的能带结构、电子态密度分布及光学性质。计算结果表明:ZnO掺杂Al,Ni后,其Fermi面均上移并进入导带;Zn0.9375Ni0.0625O的能带结构在导带底附近出现了4条杂质带。纯ZnO,Zn0.9375Al0.0625O和Zn0.9375Ni0.0625O的光学性质在低能处有较大的差异,其中Zn0.9375Al0.0625O在可见光区的吸收系数和反射率较之另外两种材料都相对较低,但三者的光学性质在高能处却非常相似。Zn0.9375Al0.0625O的吸收边有蓝移的趋势,而Zn0.9375Ni0.0625O的吸收边红移。掺杂Ni对ZnO的吸收系数等光学性质的改变更为明显。