过量TiO2助烧剂对Ba0.998La0.002TiO3陶瓷晶粒生长的影响

采用电性能测定和微观结构分析等方法研究了过量TiO2助烧剂对Ba0.998La0.002TiO3陶瓷晶粒生长的影响.结果表明:对于Ba0.998La0.002TiO3陶瓷在有液相参与烧结的晶粒溶解-淀析过程中,晶粒生长的必要条件是不仅要有液相的形成,而且BaTiO3晶粒必须在液相中有一定的溶解度.由于BaTiO3晶粒在Ba6Ti17O40和Ba2TiSi2O8液相中有足够的溶解度,促进了晶粒的生长,同时旌主掺杂离子进入晶格而释放氧,形成半导性的陶瓷,而BaTiO3晶粒不能溶解于Ba2Ti2SiP2O13液相中,抑制了晶粒的生长.     

碳酸钙晶须在涂料中的应用

碳酸钙晶须加入硅溶胶、VAE(乙烯-乙酸乙烯酯共聚物)乳液、苯丙乳液等基体中，不仅可以显提高复合体系的黏度，而且可以改善抗开裂性、附着力、强度等     

纳米尺度下钯元素的催化效应及气敏机理

在研究了贵金属Pd和离子Pd2+催化剂对纳米结构厚膜材料气敏特性的影响之后,提出了纳米催化效应的见解。认为将微量Pd2+的水溶液加入到纳米晶SnO2-x粉体中,可使Pd2+离子均匀地分布。所形成的PdO1-x纳米晶,能更均匀地存在于纳米结构厚膜材料载体中,有望对可燃性气体起到最有效的纳米催化作用。实验结果表明当Pd2+离子最佳的引入量为1.04mol%时,对3000×10-6甲烷的灵敏度可达9～11。     

热液环境下氢氧化镁结晶形态机理研究

研究了热液环境下氢氧化镁结晶形态形成机理。根据负离子多面体配位生长理论,构造了氢氧化镁的生长基元,计算了相应于不同维数和多重数n的水镁石生长基元稳定能。根据不同生长基元稳定能的计算结果,发现氢氧化镁的生长基元稳定能在1维方向(n×1×1),随着n值的增大而较快地增大,而二维方向生长基元稳定能为负值,这说明:氢氧化镁晶体是在1维方向(此方向平行于氢氧化镁晶体结构的基本层)优先生长,形成氢氧化镁针状或纤维状结晶形态。并由此推断,陕南黑木林的天然纤维状水镁石矿最初应该是在地壳局部形成的1种热压的环境里,在1种热液状态下生成的。     

耐电晕聚酰亚胺薄膜的可靠性研究

为了评价聚酰亚胺/纳米TiO2复合薄膜的耐电晕寿命,对自制的聚酰亚胺/纳米TiO2薄膜进行加速寿命试验,并对得到的实验结果用两参数Weibull分布解析法计算,得出了该薄膜在(15士3)℃,770 V、20 kHz的脉冲电压条件下的累积失效概率方程和可靠度方程等可靠性参数。Weibull假设检验结果表明,所得试验结果服从Weibull分布。     

烧制工艺对氧化镁活性的影响

为获取高活性氧化镁，以提供镁铝水滑石阻燃剂制备的实验依据，采用X射线衍射研究烧制工艺与氧化镁的结晶状态的关系，结果发现烧制温度和烧制时间对氧化镁的活性有较大的影响，而不同活性的氧化镁对镁铝水滑石有决定性影响。在500℃-750℃的范围内，镁盐的烧制温度为500℃-550℃，保温时间2h，这样的氧化镁的活性最大，用其制备镁铝水滑石试样纯度较高。     

涂敷型碳化硅防晕漆防晕性能的试验研究(摘要)

在电机线圈端邙直接用碳化硅防晕漆涂布在其绝缘表面上,再在其上面涂敷一层特殊的面漆,经加热或气干后即可使用的防晕方法,工艺简便,维修容易,不增加线棒     

电机线棒内腐蚀原因的探讨

一、引言电机线棒电腐蚀妨碍发电机安全运行,引起电机制造行业和发电部门广泛注意。国内把槽部放电腐蚀分为内腐蚀和外腐蚀。1970年刘家峡会议提出了解决外腐蚀的六条措施,取得了良好的效果。1971年国内对电腐蚀进行了研究,提出     

水热处理对固相合成的钛酸钡粉体的影响

以采用固相法合成的BaTiO3粉体为前驱物，研究了3种不同配料方式的水热条件进行水热处理后粉体的化学组成、颗粒形貌以及粒度分布的变化。结果表明，经过BaTiO3＋HzO＋NaOH＋BaCl2水热处理，原始粉体中的大颗粒发生裂解，小颗粒发生溶解，外加的Ba^2＋与颗粒表面的Ti（OH）6^2-发生水热反应而生成新的BaTiO2晶粒，使粉体的粒度变小，粒度分布范围变窄，颗粒形貌变得规则，粉体化学组成更符合化学计量，实现了高温高压下水热反应的“整形”作用。     

Ba1-xLaxTiO3陶瓷的晶界再氧化机理研究

不同La施主掺杂浓度的BaTiO3陶瓷在H2／Ar的还原气氛下烧结后，再在氧分压PO2=260Pa的气氛（Ar和O2的混合气体）下进行氧化，通过氧流量计检测还原样品在再氧化过程的吸氧行为；用TEM分析样品氧化后显微结构的变化，测定了在不同最高氧化温度下氧化样品的PTCR效应以及复阻抗图谱．结果表明；氧流量计在升温阶段检测到三个不同行为的吸氧峰，峰Ⅰ（起始温度-250℃）为氧空位的填充过程；峰Ⅱ（起始温度-800℃）和峰Ⅲ（起始温度-1250℃）为还原相的氧化过程，具体来说，峰Ⅱ是通过晶界扩散提供氧使靠近晶界附近的区域被氧化；而峰Ⅲ是由晶格扩散过程控制，氧化过程从晶界逐渐向晶粒内部区域扩展，并伴随着富Ti的Ba6Ti17O40相的沉淀．在还原相向氧化相的转变过程中，于晶界处形成了两个具有晶界势牟的电结构单元而使陶瓷旱现强PTCR效应．