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应用强磁场控制Zn薄膜取向研究 总被引:1,自引:1,他引:0
在不同磁场下,用真空蒸发法制备了不同方向放置的Zn薄膜。对样品进行X射线衍射分析表明,在大于3T的磁场环境下,垂直于磁场放置的基片上制备的Zn薄膜最强衍射峰为(002),而平行于磁场方向放置的基片上制备的试样最强衍射峰为(101)。Zn的磁各向异性引起了晶体在磁场环境下的择优生长,磁能较低的c轴方向是Zn薄膜的优先生长方向。利用磁场诱导晶体取向这一特性,提出了一种控制薄膜取向的新方法,通过调整基片与磁场方向的放置角度即可对制备薄膜的取向进行调整。 相似文献
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Zn取向对氧化法制备ZnO薄膜光致发光性能的影响研究 总被引:1,自引:0,他引:1
先利用电阻加热真空蒸发法制备(101)和(002)优先取向的金属Zn薄膜,而后氧化处理制备ZnO薄膜。并对制备的ZnO薄膜进行了XRD,SEM,紫外-可见光吸收谱和光致发光(PL)分析。XRD结果显示制备的ZnO薄膜中有未完全氧化的金属Zn。吸收谱结果发现未完全氧化的ZnO薄膜具有强烈的紫外吸收。PL谱结果显示该法制备的ZnO薄膜具有很高的PL强度,而且(101)前驱金属膜制备的ZnO比(002)前驱金属膜制备的试样具有更高的PL强度。未完全氧化的Zn所形成的缺陷是PL强度较高的原因,SEM结果显示的ZnO薄膜表面粗糙度较大引起强烈的紫外吸收也是激发光强度高的原因之一。 相似文献
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分别在1T,2T和3T强磁场下采用真空蒸发沉积制备了三种相同厚度的Zn薄膜,并和无磁场下制备的薄膜进行了对比研究.SEM对薄膜表面形貌研究发现,施加磁场制备的Zn薄膜表面晶粒要比无磁场条件下制备的薄膜有明显的细化作用.对磁场下Zn原子团形成进行了热力学分析,推导了磁场作用下的临界形核半径r*M和临界形核自由能ΔG*M,引入了磁场对临界形核自由能作用因子fM.对磁场导致晶粒形核能的变化以及形核浓度的影响作了深入分析,r*M和ΔG*M减小从而增加临界形核浓度和形核速率是Zn晶粒细化的原因.另外,磁场对扩散的抑制作用也对晶粒细化起到了作用. 相似文献
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