硫酸钙晶须的制备及其在聚丙烯树脂中的应用

论述晶须及硫酸钙晶须的特性.以生石膏为原料,采用水热合成法,研究反应温度、反应时间、料浆浓度、Ca/Mg摩尔比等工艺条件对晶须形态的影响.在反应温度150℃、反应时间5 h、料浆质量分数为4%、n（Ca）/n（Mg）为10条件下,制备出了直径为1-5μm、长度为30-100μm的硫酸钙晶须.X-射线衍射分析表明,产品为无水硫酸钙晶须;同时对硫酸钙晶须的应用进行初步研究.根据实验结果,当晶须的填充量为5%时,聚丙烯的力学性能最佳,拉伸强度为39.18 MPa,断裂伸长率为125.41%.     

OLED:切入时机已到 技术选择是关键

如何对待很可能成为下一代平板显示技术发展方向的AM-OLED(有源矩阵有机发光二极管)技术是近两年困扰我国FPD(平板显示)产业的一个重要问题,尤其是随着今年商用OLED电视的若隐若现,这一话题在不同场合被产业链不同人士多次提起,有关是否应该不再发展"全球性亏损的、产能过剩的"TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器)产业而重点投资OLED产业的讨论更是不绝于耳。《中国电子报》在近日就此事深入采访了数位知名专家,又受液晶分会之邀参加了相关话题的专家座谈,现将几次采访的观点刊登如下,以飨读者。     

与硅平面工艺兼容的p~-/p~+型多孔硅的发光特性研究

ｐ－／ｐ＋型多孔硅电致发光器件对实现硅基光电子集成具有重要的意义，我们通过改变样品衬底的离子注入浓度和阳极氧化条件，在ｐ－／ｐ＋型单晶硅衬底上生长了不同的多孔硅样品后，在纯氧和稀氧氛围下对样品进行了８００℃高温退火处理．通过测量样品的光致发光谱，研究了样品衬底离子注入浓度，阳极氧化条件及后处理条件等对ｐ－／ｐ＋型多孔硅样品发光的影响，为研制与硅平面工艺兼容的多孔硅发光器件，提供了重要的参考设计参数和进一步改进工艺的依据     

多晶硅超薄沟道薄膜晶体管研制

提出了一种新结构的低温多晶硅薄膜晶体管 ( poly- Si TFT) .该 poly- Si TFT由一超薄的沟道区和厚的源漏区组成 .超薄沟道区可有效降低沟道内陷阱密度 ,而厚源漏区能保证良好的源漏接触和低的寄生电阻 .沟道区和源漏区通过一低掺杂的交叠区相连接 .该交叠区使得在较高偏置时 ,靠近漏端的沟道区电力线能充分发散 ,导致电场峰值显著降低 .模拟结果显示该TFT漏电场峰值仅是常规 TFT的一半 .实验结果表明该 TFT能获得好的电流饱和特性和高的击穿电压 .而且 ,与常规器件相比 ,该 TFT的通态电流增加了两倍 ,而最小关态电流减少了3.5倍 .     

层次状态机及协处理状态机的Verilog HDL描述方法研究

为实现复杂多层次和并行的有限状态机(FSM),进而实现信息通信和自动化控制等复杂系统设计,层次有限状态机(HFSM)和协处理状态机(CFSM)是解决这类问题的有效方法。深入剖析HFSM和CFSM的构成,设计相应的同步及协作机制,并给出基于Verilog HDL描述和实现的整体解决方案。实际测试表明,系统具有稳定性好和结构简单等特点。     

磁悬浮流体机械喘振控制研究

针对磁悬浮流体机械喘振问题,依据流体机械系统喘振状态时质量流量和压升的波动,采用基于质量流量的喘振控制策略。具体来说,利用喘振控制器求出叶轮轴向调节间隙值,并作为悬浮位置参考信号输入至轴向磁悬浮轴承闭环控制系统中,从而在轴向磁悬浮轴承系统作动下改变磁悬浮流体机械转子轴向位置,即改变叶轮叶尖间隙,以实现喘振的主动控制。仿真结果表明,当施加喘振控制时,可以扩展流体机械的稳定运行范围,由未控制下的15.5%节流阀开度扩展至喘振控制下的14%。通过模拟激振的方式辨识了喘振频率,并研究了PID控制器中控制参数对喘振控制性能的影响规律。     

新型亚50纳米硅栅制作技术

提出并演示了一新型的低成本亚 5 0纳米多晶硅栅制作技术 .该技术的特点是它与光刻分辨率无关 ,即不需要高分辨率光刻技术 .纳米尺度的栅掩膜图案是由台阶侧壁图形的转移所形成 .实验结果表明 ,该技术制成的硅栅的栅长由形成侧壁图形的薄膜之厚度所决定 ,大致为该厚度的 75 %— 85 % .SEM照片显示硅栅的剖面为倒梯形结构 .与其它结构 (如矩形或正梯形 )相比 ,该结构有利于减少栅电阻 .     

新型亚50纳米硅栅制作技术

提出并演示了一新型的低成本亚50纳米多晶硅栅制作技术.该技术的特点是它与光刻分辨率无关,即不需要高分辨率光刻技术.纳米尺度的栅掩膜图案是由台阶侧壁图形的转移所形成.实验结果表明,该技术制成的硅栅的栅长由形成侧壁图形的薄膜之厚度所决定,大致为该厚度的75%—85%.SEM照片显示硅栅的剖面为倒梯形结构.与其它结构(如矩形或正梯形)相比,该结构有利于减少栅电阻.     

变频控制在潜油电泵中的应用

本文主要从变频控制技术的工作原理出发,探讨变频控制在潜油电泵中的应用。     

驱动视频TFT—LCD的CMOS集成电路

北京大学微电子所于1991年4月在国内首次研制成功了用于驱动薄膜晶体管(TFT)有源矩阵液晶电视显示屏的专用GMOS集成电路。它包括栅驱动器——扫描电极总线驱动电路BDD1001和漏驱动器——信号电极总线驱动电路BDD2001两块IC。适合于驱动200线左右的TFT有源矩阵液晶电视显示屏。 用于TFT有源矩阵液晶电视显示屏的专用IC的具体结构参数、性能要求是由矩阵驱动方式、扫描方法、液晶材料的性质及电光特性、TFT的性