高纯Fe中氢损伤规律的研究

本文采用正电子湮没技术研究了高纯Fe中的氢损伤规律,实验结果表明,在0.5mol/L H_2SO_4溶液中不加毒化剂电解充氢时,产生氢损伤的临界电流密度为20 mA/cm~2;而在0.5mol/L H_2SO_4溶液中加少量As_2O_3作为毒化剂电解充氢时,即使很小的电流密度也会产生氢损伤,配合慢拉伸试验,还发现试样内部产生氢损伤以后,它将控制随后的形变和断裂过程     

Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶合金化过程的X射线衍射和正电子湮没研究

采用Ｘ射线衍射和正电子湮没多普勒展宽测量相结合，研究了纳米晶态材料Ｆｅ７３．５Ｃｕ１Ｎｂ３Ｓｉ１３．５Ｂ９的结构随退火温度的变化。实验结果表明：急冷非晶样品在４８０℃开始明显晶化，基体中析出体心立方结构的α－Ｆｅ（Ｓｉ）固溶体。随着退火温度的高，非晶漫峰不断减弱，而晶态相的衍射谱逐渐增强。进一步计算对衍射谱的分离，给出了晶化分数和非晶相平均原子间距随退火温度的变化规律。正电子湮没实验证实了约５５０     

高温超导中多个正电子捕获位及其对正电子湮没参数的影响

从正电子陷阱物理图象出发，引入正电子在陷阱中湮没的竞争机制，提出了一个新的陷阱湮没模型，并采用此模型分析了高温超导材料中正电子在陷阱中湮没的特征。     

用符合多普勒展宽谱(CDB)研究不锈钢中氢与缺陷的相互作用

采用正电子湮没寿命谱(PALS)和符合多普勒展宽谱(CDB)等方法研究了AISI 304不锈钢中氢与缺陷的相互作用.PALS实验结果表明:氢致缺陷尺寸随充氢电流密度的增大而变大,缺陷数量随充氢电流密度的增大而增多.进一步地,通过比较CDB实验的商谱曲线,发现在电解充氢后,高动量区出现了明显的峰,且峰位不随充氢条件改变;这表明氢可能会与空位发生相互作用,氢进入样品内部以后,可以作为聚集空位的核心而形成空位团,即形成氢与缺陷的复合体,导致缺陷化学环境的变化.     

不同方式变形时高纯铁的正电子寿命研究

采用正电子寿命研究了压缩，冷轧和拉伸变形时高纯铁的正电子寿命随形变量的变化规律（τ（ε）曲线），实验结果表明，若单考虑某一种方式的形变过程，其结果与前人的结果一致。实验中还发现压缩变形时的τ（ε）曲线明显高于拉伸的τ（ε）曲线，而冷轧时的τ（ε）曲线人于两者之间，这种τ（ε）曲线的不同可归因子不同方式变形时导致的缺陷结构不同。     

纳米氢氧化镁/氧化镁相转变的正电子湮没研究

用添加聚乙二醇(Polyethylene Glycol,PEG)表面活性剂的直接沉淀法合成氢氧化镁纳米粉末,将其在不同温度下煅烧得到的纳米氢氧化镁和纳米氧化镁,采用正电子湮没寿命谱(Positron Annihilation Lifetime Spectroscopy,PALS)、X射线衍射(X-ray Diffraction,XRD)、热重分析(Thermal Gravimetric Analysis,TGA)、场发射扫描电子显微镜(Field Emission Scanning Electron Microscope,FESEM)和氮气吸附脱附实验(N2adsorption-desorption)等方法研究了纳米氢氧化镁转变为氧化镁过程中的微观变化机制。研究结果表明:实验制得的纳米氢氧化镁为厚度15 nm左右的片状形貌,在300oC左右热分解为直径30 nm左右的纳米球状氧化镁,颗粒大小均匀,分散性较好。正电子寿命测量发现两个长寿命分量τ3、τ4分别反映样品内部微孔和介孔的信息,在250~300oC的相转变温度区间,I4显著升高,同时I3却迅速减小,说明纳米氢氧化镁转变氧化镁时介孔数量突然增大,而微孔的数量迅速减少。由改进的Tao-Eldrup模型计算得到的孔径尺寸与氮气吸附脱附实验测量孔径分布的最可几孔径(2~4 nm)基本吻合,有理由推测在片状氢氧化镁转变球状的氧化镁时因晶粒长大、重组导致大量微孔发生迁移聚集成了较大的介孔;另一方面,水分子的脱离促进了晶粒内空位团和微孔不断产生、迁移和聚集。     

Al2O3/ZrO2纳米复合陶瓷的微结构及缺陷的正电子寿命研究

纳米Al_2O_3/ZrO_2复合陶瓷具有优良的力学性能,良好的高温稳定性和化学稳定性,并具有良好的抗辐照效应,是目前极具潜力的一种纳米陶瓷材料。采用正电子寿命谱分析同时配合着X射线衍射(X-ray Diffraction,XRD)和透射电子显微镜(Transmission Electron Microscope,TEM)对纳米Al_2O_3、ZrO_2和Al_2O_3/ZrO_2复合陶瓷在不同退火温度下(室温-1 000℃)的微结构及缺陷进行了研究。XRD研究表明:Al_2O_3、ZrO_2和Al_2O_3/ZrO_2纳米复合陶瓷三种样品退火温度低于500℃时,晶粒尺寸保持不变;随着退火温度的增加,Al_2O_3晶粒尺寸变化不大,ZrO_2和Al_2O_3/ZrO_2有所增加,但由于Al_2O_3的抑制,Al_2O_3/ZrO_2的晶粒生长更缓慢。正电子寿命分析表明:样品内主要缺陷是空位、空位团和微孔洞,缺陷主要集中在晶界处。对比ZrO_2纳米陶瓷内缺陷,Al_2O_3和Al_2O_3/ZrO_2纳米复合陶瓷内空位团或微孔洞缺陷尺寸更大,而相对数量更少。退火温度低于500℃时,三种样品内平均缺陷密度基本不变,高于500℃时由于晶粒生长,缺陷开始恢复,ZrO_2变化更明显,而Al_2O_3/ZrO_2由于相互抑制对方的晶粒生长,稳定性更高,这与XRD结果一致。纳米Al_2O_3的TEM图显示出晶粒大小基本不随退火温度变化发生改变,而纳米Al_2O_3/ZrO_2只有在退火温度高于500℃时,晶粒开始慢慢长大,并且发生了团聚,非常直观地证实了XRD和正电子的实验结果。     

Fe_（73．5）Cu_1Nb_3Si_（13．5）B_9非晶合金化过程的X射线

采用Ｘ射线衍射和正电子湮没多普勒展宽测量相结合，研究了纳米晶态材料Ｆｅ７３．５Ｃｕ１Ｎｂ３Ｓｉ１３．５Ｂ９的结构随退火温度的变化。实验结果表明：急冷非品样品在４８０℃开始明显晶化，基体中析出体心立方结构的α－Ｆｅ（Ｓｉ）固溶体。随着退火温度的升高，非晶漫射峰不断减弱，而晶态相的衍射谱逐渐增强。进一步计算对衍射谱的分离，给出了品化分数和非晶相平均原子间距随退火温度的变化规律。正电子湮没实验证实了约５５０℃退火时样品内出现以Ｎｂ、Ｂ原子为主的晶界非晶相，Ｓ参数随退火温度的变化与非晶相平均原子间距随退火温度的变化规律一致。     

掺杂Y2O3的铁锡复合氧化物的穆斯堡尔谱学研究

采用化学共沉淀法合成α－Ｆｅ２Ｏ３－ＳｎＯ２和α－Ｆｅ２Ｏ３－ＳｎＯ２－Ｙ２Ｏ３的铁锡复合氧化物,应用Ｘ射线衍射和穆斯堡尔谱学等手段研究材料的微结构和微粒生长情况,实验结果表明,掺杂Ｙ２Ｏ３对晶粒生长有明显抑制作用,不同温度热处理可制得不同尺寸大小的纳米晶α－Ｆｅ２Ｏ３－ＳｎＯ２－Ｙ２Ｏ３材料。     

浅谈计算机软件在数学学习中的应用---借助《几何画板》软件愉快学习抽象函数

由于函数的高度抽象性,在学习函数时,复杂函数的图像难以想象,因此给我们高中生在学习函数时带来了不少的困难,尤其在讨论极值、最值、单调性、对称性和含参数问题时,经常让同学们觉得云山雾罩,摸不着头绪,平添了诸多的烦恼,甚至让我们对数学学习失去了信心.但是借助计算机软件《几何画板》的强大功能,会使函数的学习从此变得生动有趣,简单高效.本文主要根据笔者的学习经历探讨《几何画板》软件在函数学习中发挥的重要作用.