高密度记录磁头系统的结构和工作原理

现代计算机技术的迅速发展，对硬盘的驱动器读写磁头提出了更高的要求，要求能满足高密度、一体化、小型化、集成化、高可靠、低能耗的需要，硬盘双元件薄膜读写磁头恰好能满足这些要求。简单介绍了双元件薄膜读写磁头的结构和工作原理。     

纳米晶软磁薄膜Fe-Ti-N的结构、磁学性能和热稳定性研究

在高溅射功率900W下用RF磁控溅射方法制备了厚为630－780nm的e-Ti-N薄膜。结果表明：当膜成分（原子分数，％，下同）在Fe-3.9Ti-8.8N和Fe-3.3Ti-13.5N范围内，薄膜由α′和Ti2N沉淀组成，磁化强度4πMs超过纯铁，最高可达2.38T；而矫顽力Hc下降为89A／m，可以满足针对1.55Gb/cm^2高存储密度的GMR／感应式复合读写磁头中写入磁头的需要，N原子进入α-Fe使α′具有高饱和磁化强度；Ti的加入，阻止α′→α γ′的分解，稳定了强铁磁性相α′，是Fe-Ti-N具有高饱和磁化强度的原因。由于由晶粒度引起的对Hc的影响程度Hc^D与晶粒度D有以下关系：Hc^D∝D^6，晶粒度控制非常重要。N原子进入α-Fe点阵的八面体间隙，引起极大的畸变，使晶粒碎化。提高溅射功率也使晶粒度下降。两者共同作用，能使晶粒度下降到约14nm，使Hc下降。晶界是择优沉淀地点，在α′晶界上沉淀Ti2N能起钉扎作用，阻止晶界迁移，使纳米晶α′不能长大。薄膜的结构和Hc的稳定温度不低于520℃。     

高纯Fe中氢损伤规律的研究

本文采用正电子湮没技术研究了高纯Fe中的氢损伤规律,实验结果表明,在0.5mol/L H_2SO_4溶液中不加毒化剂电解充氢时,产生氢损伤的临界电流密度为20 mA/cm~2;而在0.5mol/L H_2SO_4溶液中加少量As_2O_3作为毒化剂电解充氢时,即使很小的电流密度也会产生氢损伤,配合慢拉伸试验,还发现试样内部产生氢损伤以后,它将控制随后的形变和断裂过程     

含杂质碳氮薄膜的X射线衍射研究

自从Niu等首次获得接近β-C3N4的电子衍射谱以来，许多研究小组都报道说已制备出β-C3N4微晶。但在本实验中发现，当含有铁等杂质时，碳膜和碳氢膜的X射线衍射谱中都出现几条与β-C3N4的理论计算相近的谱线。这提示在β-C3N4的研究中，需要排除杂质的影响，制备出纯净的样品，以便得出明确可靠的结论。     

14.5舰用机枪枪机体滞后破坏断口的研究

<正> 一、前言 14.5舰用机枪枪机体是致密镀镉部件,轮轴和枪机体的配合有少许过盈量,使紧配合处处于装配应力状态,另一方面由于镀镉渗氢使部件性能变坏,特别是退镉重镀零件,由于氢在零件内积蓄量较多,其性能更差,这种零件库存一定时间后,在紧密配合     

用正电子湮灭多普勒增宽技术研究稀土钢

包头钢铁公司利用加入微量稀土试制成功抗氢脆钢40MnNbR(含Mn 1.25％,Nb 0.04％,R代表稀土),但抗氢脆性能的机理尚有待进一步研究。本文通过测量各种热处理的40MnNbR和16MnR(含Mn1.25％)钢样的多普勒增宽线形参数随稀土含量的变化,研究加入稀土对钢的微观结构的影响,研究正电子在Fe和稀土之间的亲合性,以探索稀土钢的抗氢脆机理。     

用微波等离子体CVD制备C3N4薄膜

采用微波等离子体化学气相沉积法（ＭＰＣＶＤ）,使用高纯Ｎ２（９９．９９９％）和ＣＨ４（９９．９％）作反应气体,在多晶Ｐｔ（９９．９９％）基片上沉积Ｃ３Ｎ４薄膜。Ｘ射线能谱（ＥＤＸ）分析结果表明Ｎ／Ｃ原子比为１．０～１．４,接近Ｃ３Ｎ４的化学比;Ｘ射线衍射谱（ＸＲＤ）说明薄膜主要由β－和α－Ｃ３Ｎ４组成;Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）、傅立叶变换红外谱（ＦＴ－ＩＲ）和喇曼（Ｒａｍａｎ）谱说明在Ｃ３Ｎ４薄膜     

磁控溅射Fe-N薄膜的结构和性能

研究了氮流量对磁控溅射Ｆｅ－Ｎ薄膜的磁性和结构的影响．加氮薄膜的软磁性能明显优于纯铁的．当氮的流量为１．０ｍＬ·ｍｉｎ~（－１）时,矫顽力 Ｈ_ｃ达到最小值２０５Ａ／ｍ．当氮流量为０．８ｍＬ·ｍｉｎ_（－１）时,饱和磁化强度达到Ｍ_ｓ＝２．３６Ｔ．在 Ｆｅ－Ｎ薄膜中未发现γ’－Ｆｅ４Ｎ和 α”－Ｆｅ１６Ｎ２．     

磁控溅射Fe-N单层膜的研究

本文研究了在不同温度的基片上进行磁控溅射,氮流量对Ｆｅ－Ｎ薄膜的磁性和结构的影响。实验表明,基片温度为２００℃有助于提高Ｆｅ－Ｎ薄膜的办磁性能,基片为曙和１００℃,氮流量在０～２ｓｃｃｍ范围内变化时,未发现ｒ－Ｆｅ４Ｎ和ａ－Ｆｅ１６Ｎ２,薄膜中只有Ｎ在ａ－Ｆｅ蝇的固溶体。基片温度２００℃,氮流量大于１．０ｓｃｃｍ时,薄中出现ｒ－Ｆｅ４Ｎ,但仍未发现ａ－Ｆｅ１６Ｎ２,加氮后薄膜的软磁性能明显小于纯铁     

RF溅射的Fe-N薄膜的磁导率研究

研究了用RF溅射法制备的Fe-N薄膜经过250℃磁场热处理后高频磁导率的变化情况.实验结果发现,在优化生长条件下生长的Fe-N薄膜样品,在1～10 MHz的频率范围内,易磁化方向的高频磁导率较小,但其难磁化方向的相对磁导率可以高达1500,并且基本恒定,说明这种Fe-N薄膜已能满足作为高密度存储写入头材料的要求.