金属-氧化物扩散障的理论计算SCIEI

本文在Luthra模型基础上考虑到氧化物的加入对元素通过短路通道的扩散没有阻碍作用,建立了金属-氧化物扩散障的修正模型。计算结果与实验规律吻合。     

金刚石薄膜表面的HREELS研究

用高分辨电子能量损失谱(HREELS)研究了用热丝CVD(HF CVD)方法生长的多晶金刚石薄膜表面的振动谱。发现HREELS可以用来研究多晶金刚石薄膜表面的吸附分子的振动。生长的样品不作任何处理,表面是以H终止的。振动的损失谱主要是位于160meV附近的一个损失峰,对应于CH_2(或CH_3)的“剪”振动;360meV的一个损失峰,对应于CH的伸长振动;305meV的“剪”振动的二次谐振损失峰。以及一些较弱的峰,在105meV的对应于C—C伸长振动的损失峰;455meV的“剪”振动的三次谐振损失峰;520meV的损失峰,对应于“剪”振动与伸长振动的结合。将金刚石加热到900℃或用Ar~+轰击,各种振动损失峰消失,出现一连续谱。对退火或Ar~+轰击处理的样品吸原子H或原子D,主要的振动损失峰重新出现。     

金刚石膜和类金刚石膜的电子能量损失谱和喇曼光谱的研究

用电子能量损失谱(EELS)研究了金刚石膜、类金刚石膜和高取向石墨的特征能量损失峰.金刚石膜的特征峰主要是5.4eV和15eV的带间跃迁,23eV和34eV的表面等离子激元和体等离子激元.类金刚石膜的特征峰主要是 4.5eV的π电子的体等离子激元,13eV的带间跃迁,22.4eV的(π+ σ)电子的体等离子激元.石墨的特征峰主要是6eV的π电子的等离子激元,13eV带间跃迁和C轴方向等离子激元,20eV的C轴方向的等离子激元和25.6eV的基面等离子激元.比较了α-C和α-C:H能量损失谱和喇曼光谱,利用hω_(p(π+σ))和hω_(p(x))峰位计算了类金刚石膜中sp~3键和sp~2键的比例.研究了不同CH_4浓度生长的金刚石膜的能量损失谱,利用hω_(p(π+σ))和hω_(p(x))峰位计算金刚石膜中类金刚石第二相内的sp~2键和sp~3键的比例,利用第二相的体等离子激元损失峰hω_(p(π+σ))与金刚石的体等离子激元损失峰hω_(p(σ))的强度比来估价第二相的多少.     

渗 Al 处理对低压等离子喷涂金属—氧化物扩散障作用的影响

本文研究了渗 Al 处理对低压等离子喷涂金属-氧化物扩散障作用的影响。发现短时间渗Al 处理,能提高扩散障对涂层与基体之间元素互扩散的阻碍作用。延长渗 Al 时间,扩散障中弥散细小的 Y_2O_3颗粒聚集成较大颗粒,并在扩散障与外涂层的交界上高度聚集,对涂层与基体的结合性能产生不利的影响。     

金属-氧化物扩散障对涂层和基体间元素互扩散的阻碍作用

本文研究了低压等离子喷涂的Ni_3Al-Y_2O_3扩散障层对外层涂层与基体间元素互扩散的阻碍作用,发现阻碍扩散的作用与扩散障层中氧化物含量有关。当Y_2O_3含量为8wt-%时,扩散障对元素互扩散没有明显的阻碍作用;当Y_2O_3含量为30wt%时,对Al,Co和Cr等元素的扩散有明显的阻碍作用。并且,阻碍作用随元素不同而不同。     

SiO_2层对金刚石膜初期生长影响的研究

用俄歇子能谱（AES）研究了热丝法生长金刚石膜中未经划痕处理的单晶硅衬底在不同沉积时间下的表面结构及Si，C，O元素浓度的深度分布。结果表明：在沉积过程中，随沉积时间增加时，基材表面C浓度增加，O浓度下降，但SiC过渡层的生长缓慢。700℃沉积4h时仍无结构完整的SiC层生成，这是表面SiO2层阻碍了SiC的形成。分析了不经划痕处理的基材形核率低的原因。用高分辨电镜（HREM）观察了生长良好的金刚石膜的膜—基界面，发现没有SiO2层存在。     

金属-氧化物扩散障对涂层和基体间元素互扩散的阻碍作用SCIEI

本文研究了低压等离子喷涂的Ni_3Al-Y_2O_3扩散障层对外层涂层与基体间元素互扩散的阻碍作用,发现阻碍扩散的作用与扩散障层中氧化物含量有关。当Y_2O_3含量为8wt-%时,扩散障对元素互扩散没有明显的阻碍作用;当Y_2O_3含量为30wt%时,对Al,Co和Cr等元素的扩散有明显的阻碍作用。并且,阻碍作用随元素不同而不同。     

低压气相合成金刚石的机理研究新进展

本文第1部分评述了低压气相合成金刚石的进展。第2部分介绍了用表面分析方法和HREM对金刚石(111)和(100)面的生长机理,原子氢和氧对金刚石生长本身的影响,亚稳态条件下金刚石的晶形显露规律,硅衬底上的形核机理和初期生长规律进行研究所取得的重要进展。