贮氢材料LaNi_5的表面分凝

本文报告了贮氢材料LaNi_5的表面分凝及其影响因素。AES的深度剖面分析发现,气氛中的氧引起镧的表面分凝,在LaNi_5表层中,镧扩散到表面并且氧化。与此同时,镍以金属态析出,最表层为富镧贫镍层;次表层为富镍贫镧层。表面分凝层的厚度与分凝速度随温度增加而增加。在室温、超高真空中,清洁LaNi_5的表面分凝速度相当迅速,且与氧有关。表面分凝在贮氢材料研究中十分重要,它为改善材料活化、表面催化性质,为阐明贮氢表面机制提供实验数据。     

用低能电子衍射谱仪(LEED)观察氢终止的Si(111)表面

本文描述了一种得到无重构的理想的氢终止Si（111）表面的化学处理方法，用这种方法得到的表面，可以用低能电子衍射谱仪（LEED）进行结构研究。本实验使用我们自己设计加工的电子背轰击式加热器，作品可加热到800℃以上，亦可冷却到液氮温度。文中对氢终止Si（111）表面的研究的初步结果作一概述，给出了表面覆盖氢化物的LEED研究证据。     

Pd-化合物半导体界面的价带研究

利用同步辐射光电子能谱对 Pd/GaAs、Pd/InP、Pd/InSb及 Pd/PbS界面形成过程中价带的变化进行了研究.在覆盖度θ(?)40A范围.上述界面体系的价带谱均主要由Pd4d带构成,并在Permi能级附近存在一个由Pd与衬底原子相互作用反键轨道形成的过渡肩峰;随着覆盖度增加,这一过渡肩峰逐渐被Pd4d带主峰所覆盖;对Pd4d带双峰进行解谱,得出了峰位置、峰半高宽及峰分裂间距随θ的变化关系,并由此对各体系中的界面过程进行了讨论.不同界面体系中,两类基本的界面过程——表面偏析与化学相互作用过程——的贡献各不相同,其中衬底负离子组份化学活性较强的界面体系中,化学相互作用过程为主被证明.     

等离子体处理和接枝共聚改性PET纤维表面的光电子谱研究

X光电子谱和物化实验分析表明,经过辉光放电等离子体的作用,PET材料表面的组分和结构发生了变化。主要表现为材料表面上的羰基减少和氧含量大量增加。利用等离子体活化的PET表面上的自由基和过氧化基,可直接用丙烯酸等单体进行接枝。表面的亲水性大大改善,且经久不退。     

过渡金属Co与半导体单晶MoS_2 highly edge surface相互作用

本文利用XPS(X—射线光谱)、UPS(紫外光谱)和LEED(低能电子衍射)对过渡金属Co在单晶MoS_2(垂直于B、Z的方向)高边缘密度表面亚原子单层的淀积过程进行了研究。在某亚原子单层淀积以后,MoS:芯态电子向高B、E(结合能)移动0.15ev,价带谱向高B、E移运了0.3ev,而且,在费米能级E_F以下0.8ev处有一新的“肩膀”态出现,且此“肩膀”态随着淀积的增加而增加。作者从物质的电子性质出发对这些实验结果进行了分析。     

金刚石薄膜表面的HREELS研究

用高分辨电子能量损失谱(HREELS)研究了用热丝CVD(HF CVD)方法生长的多晶金刚石薄膜表面的振动谱。发现HREELS可以用来研究多晶金刚石薄膜表面的吸附分子的振动。生长的样品不作任何处理,表面是以H终止的。振动的损失谱主要是位于160meV附近的一个损失峰,对应于CH_2(或CH_3)的“剪”振动;360meV的一个损失峰,对应于CH的伸长振动;305meV的“剪”振动的二次谐振损失峰。以及一些较弱的峰,在105meV的对应于C—C伸长振动的损失峰;455meV的“剪”振动的三次谐振损失峰;520meV的损失峰,对应于“剪”振动与伸长振动的结合。将金刚石加热到900℃或用Ar~+轰击,各种振动损失峰消失,出现一连续谱。对退火或Ar~+轰击处理的样品吸原子H或原子D,主要的振动损失峰重新出现。     

用低能电子衍射研究氢离子轰击硅表面所产生的相变

文章描述了用低能电子衍射（ＬＥＥＤ）观察氢离子对碳杂质稳定的Ｓｉ（１１１）－（１×１）及清洁再构的Ｓｉ（１００）－（２×１）表面轰击，然后加热退火所产生的相变．实验发现：碳杂质稳定的Ｓｉ（１１１）－（１×１）表面经氢离子轰击并在８００℃退火后产生清洁再构的Ｓｉ（１１１）－（７×７）结构；而Ｓｉ（１００）－（２×１）表面经离子氢及氩的混合气体轰击后，在９００℃退火产生一个亚稳态Ｓｉ（１００）－ｃ（４×４）结构，进一步在７００℃退火后，我们得到一个稳定的Ｓｉ（１００）－ｐ（２×２）结构．文章对实验观察到的相变     

金刚石膜和类金刚石膜的电子能量损失谱和喇曼光谱的研究

用电子能量损失谱(EELS)研究了金刚石膜、类金刚石膜和高取向石墨的特征能量损失峰.金刚石膜的特征峰主要是5.4eV和15eV的带间跃迁,23eV和34eV的表面等离子激元和体等离子激元.类金刚石膜的特征峰主要是 4.5eV的π电子的体等离子激元,13eV的带间跃迁,22.4eV的(π+ σ)电子的体等离子激元.石墨的特征峰主要是6eV的π电子的等离子激元,13eV带间跃迁和C轴方向等离子激元,20eV的C轴方向的等离子激元和25.6eV的基面等离子激元.比较了α-C和α-C:H能量损失谱和喇曼光谱,利用hω_(p(π+σ))和hω_(p(x))峰位计算了类金刚石膜中sp~3键和sp~2键的比例.研究了不同CH_4浓度生长的金刚石膜的能量损失谱,利用hω_(p(π+σ))和hω_(p(x))峰位计算金刚石膜中类金刚石第二相内的sp~2键和sp~3键的比例,利用第二相的体等离子激元损失峰hω_(p(π+σ))与金刚石的体等离子激元损失峰hω_(p(σ))的强度比来估价第二相的多少.     

贮氢材料TiFeMm中毒与再生的研究

本文概括叙述了贮氢材料TiFeMm的贮氢特性及其表面中毒与再生机制。在贮氢材料TiFe中添加少量混合稀土金属Mm,改善了它的活化条件。我们发现,当使用98％工业纯氢气吸氢时,由于表面中毒,贮氢量下降。第一个吸放氢循环,其吸氢量下降约23％;第三个循环,其下降约61％。尽管如此,TiFeMm的抗毒性能还是比TiFe要好。中毒后的TiFeMm,经三次纯氢循环再生后,贮氢容量可回升到96％。由UPS分析表明,TiFeMm表面上过渡金属铁的d带峰强度是预测催化性质的重要依据。从AES、XPS分析结果指出,TiFeMm表面上的钛与铁分别呈TiO和金属态铁,还有少量氧与碳的表面污染。很明显,表面中毒以后,分别形成TiO_2和Fe_3O_4的表面化合物,从而抑制氢分子H_2→2H催化分裂和氢的渗透,致使贮氢量下降。从应用观点出发,我们相信,试验结果对于类似贮氢材料是很重要的。