CCD多晶硅层间复合绝缘介质研究

电荷耦合器件(CCD)多晶硅交叠区域绝缘介质对成品率和器件可靠性具有重要的影响。将氮化硅和二氧化硅作为CCD多晶硅层间复合绝缘介质,采用扫描电子显微镜(SEM)和电学测试系统研究了多晶硅层间氮化硅和二氧化硅复合绝缘介质对CCD多晶硅栅间距和多晶硅层间击穿电压的影响。研究结果表明,多晶硅层间复合绝缘介质中的氮化硅填充了多晶硅热氧化层的微小空隙,可以明显改善绝缘介质质量。多晶硅层间击穿电压随着氮化硅厚度的增加而增大,但太厚的氮化硅会导致CCD暗电流明显增大。由于复合绝缘介质质量好,可以减小CCD多晶硅的氧化厚度。     

横向抗弥散多光谱TDI CCD图像传感器

时间延迟积分电荷耦合器件(TDI CCD)主要应用于弱光信号探测,其在强光应用场合容易出现弥散现象。针对该问题,研制了横向抗弥散多光谱TDI CCD图像传感器。该器件包含四个多光谱段(B1～B4区),有效像元数为3 072元,像元尺寸为28μm×28μm。大像元可以在弱光环境下提供良好的光谱区分能力,通过滤光片可获得蓝光、绿光、红光和近红外波段的图像。为了减小抗弥散对器件满阱电子数的不利影响,采用了紧凑的抗弥散结构,仅占像元面积的7.1%。器件满阱电子数为500ke-,抗弥散能力为100倍,读出噪声小于等于70e-,动态范围大于等于7143∶1。     

Si衬底上Ge外延薄膜与器件研究进展

随着Si基器件发展遇到瓶颈,具有更优异性能且与Si基CMOS工艺良好兼容的Ge基器件展现出了应用于集成电子与光电子领域的广阔前景.然而,Si基Ge器件性能会受制于Si与Ge之间较大的晶格失配所产生的高密度位错.因此,控制Si衬底上Ge外延薄膜的位错密度成为高性能Ge器件制备的研究重点.文章着重介绍了插入层、低温成核层和选区外延生长技术3种Si衬底上Ge外延薄膜位错控制技术的基本原理及研究进展,讨论了Si基Ge器件的最新研究进展,并展望了Si基Ge薄膜生长和器件制备的发展前景.     

英飞凌全新34mm Advantage系列IGBT模块及其在逆变焊机中的应用特点及优势

详细介绍英飞凌公司针对逆变焊机应用而推出的全新34 mm Advantage系列IGBT模块,包括其电气特性、开关特性及热特性的特点及优势,通过参数性能对比及在终端客户焊机上的实际温升测试,证明英飞凌34 mm Advantage系列是焊机客户的高性价比选择,并提供了方便客户设计的直流母排安装方式。     

东芝电脑开启真爱旅程

每个人都会在不同的领域里扮演着不同的角色，开朗的、坚强的、独立的……为了生存而努力隐藏真实的自己，或许这就是所谓的生存之道罢。然而在爱情面前，     

单相PFC的数字控制技术

针对于PFC的数字控制技术，本文从拓扑结构，控制算法，采样算法三个方面进行了总结和回顾，对于各种现已提出的控制方案进行了分析和比较，展望了数字控制功率因数控制技术今后的发展趋势。     

老化处理对玉米中淀粉含量及其糊化与消化特性的影响

通过对玉米进行老化处理,模拟老化后的生理状态,研究其淀粉含量、淀粉酶活性、淀粉糊化特性及消化性变化规律对人工老化处理的响应,以期为玉米淀粉应用及玉米合理储藏提供理论参考。以郑单958、伟科702、浚单29为材料,采用高温高湿(42℃、100%RH)人工老化的方法,分析玉米淀粉含量、总淀粉酶活性、α-淀粉酶活性、淀粉去分支酶活性、淀粉糊化特性及消化性与老化时间的相关性。结果表明:玉米总淀粉含量、支链淀粉含量、快速消化淀粉含量、总淀粉酶、α-淀粉酶及淀粉去分支酶活性与老化时间呈显著负相关(p<0.05),总淀粉及支链淀粉含量下降率幅度分别为3.98%~7.07%、4.20%~6.37%,酶活下降率幅度40.47%~55.71%;直链淀粉含量、慢消化淀粉、抗性淀粉含量及峰值时间与老化时间呈显著正相关(p<0.05),直链淀粉含量增加率幅度为13.92%~20.89%,峰值时间增加范围为0.47 mim~0.66 min;淀粉的峰值黏度、低谷黏度、最终黏度、崩解值、消减值与老化时间呈显著负相关(p<0.05),对照组及老化处理8 d,郑单958淀粉峰值黏度、低谷黏度、最终黏度、崩解值、消减值均高于伟科702及浚单29。