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为了研制出高性能电荷耦合器件(CCD),减少硅片清洗工艺Fe离子沾污是关键。利用表面光电压(SPV)法,研究了硅片清洗过程的Fe离子沾污。研究表明,SPM(H2SO4/H2O2)→SC-1清洗,去除Fe离子污染的效果比较差;用SPM→SC-1→SC-2清洗,去除Fe离子杂质的效果较好,Fe离子污染减少了2个数量级。增加SC-1和SC-2清洗次数可以减少Fe离子沾污,但效果不明显。当化学试剂中金属杂质含量由1×10^-8 cm^-3减少到1×10^-9 cm^-3,清洗工艺Fe离子沾污减少到8.0×1010 cm^-3。 相似文献
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电荷耦合器件(CCD)多晶硅交叠区域绝缘介质对成品率和器件可靠性具有重要的影响。将氮化硅和二氧化硅作为CCD多晶硅层间复合绝缘介质,采用扫描电子显微镜(SEM)和电学测试系统研究了多晶硅层间氮化硅和二氧化硅复合绝缘介质对CCD多晶硅栅间距和多晶硅层间击穿电压的影响。研究结果表明,多晶硅层间复合绝缘介质中的氮化硅填充了多晶硅热氧化层的微小空隙,可以明显改善绝缘介质质量。多晶硅层间击穿电压随着氮化硅厚度的增加而增大,但太厚的氮化硅会导致CCD暗电流明显增大。由于复合绝缘介质质量好,可以减小CCD多晶硅的氧化厚度。 相似文献
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利润-CVaR准则下的二级供应链定价与订货策略研究 总被引:1,自引:0,他引:1
传统的定价与订货策略研究多是建立在风险中性的假设之上,近来也有利用风险度量CVaR研究风险厌恶对库存的影响.因此,以期望利润和CVaR的加权平均为目标函数,研究零售商的订货策略,并在此基础上研究上游供应商的定价策略.这样的利润-CVaR目标既反映了决策者追求高利润的愿望,又反映了其对潜在风险的控制. 相似文献
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为探究在线评价因素和奖惩机制对供应链运营策略的影响,分别在无在线评价奖惩机制与存在在线评价奖惩机制中,利用Stackelberg博弈模型分析了单位物流效用、单位距离成本等在线评价因素与奖惩因子对供应链成员的决策、利润影响,并探讨了在线评价奖惩机制的有效性。结果表明,无论奖惩机制是否存在,单位物流效用总是能提高供应链成员的定价。奖惩机制下,不但价格与物流服务质量会更高,而且成员的利润与在线评价均值均增加。而奖惩机制的有效性依赖于随着单位物流效用和奖惩力度的增加而增强的物流服务质量阈值。 相似文献
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