纳米晶软磁薄膜Fe-Ti-N的结构、磁学性能和热稳定性研究

在高溅射功率900W下用RF磁控溅射方法制备了厚为630－780nm的e-Ti-N薄膜。结果表明：当膜成分（原子分数，％，下同）在Fe-3.9Ti-8.8N和Fe-3.3Ti-13.5N范围内，薄膜由α′和Ti2N沉淀组成，磁化强度4πMs超过纯铁，最高可达2.38T；而矫顽力Hc下降为89A／m，可以满足针对1.55Gb/cm^2高存储密度的GMR／感应式复合读写磁头中写入磁头的需要，N原子进入α-Fe使α′具有高饱和磁化强度；Ti的加入，阻止α′→α γ′的分解，稳定了强铁磁性相α′，是Fe-Ti-N具有高饱和磁化强度的原因。由于由晶粒度引起的对Hc的影响程度Hc^D与晶粒度D有以下关系：Hc^D∝D^6，晶粒度控制非常重要。N原子进入α-Fe点阵的八面体间隙，引起极大的畸变，使晶粒碎化。提高溅射功率也使晶粒度下降。两者共同作用，能使晶粒度下降到约14nm，使Hc下降。晶界是择优沉淀地点，在α′晶界上沉淀Ti2N能起钉扎作用，阻止晶界迁移，使纳米晶α′不能长大。薄膜的结构和Hc的稳定温度不低于520℃。     

电镀工艺条件与高饱和磁感应CONiFe软磁薄膜的性能

研究电沉积钴镍铁合金工艺条件如电流密度、pH和温度以及镀层厚度对膜层性能的影响。用振动样品磁强计测试膜层的矫顽力Hc、磁化强度Ms及磁滞回线,用高频电感法测试膜层的磁导率μi,用四探针法测试膜层的电阻率ρ。结果表明,膜层的电磁性能与镀覆工艺条件相关,在最佳镀覆工艺条件下(电流密度10mA/cm2,pH=2.8,施镀温度25℃,时间10min)所得合金镀层光亮、致密,有较好电磁特性,Bs达1.9T,矫顽力Hc为1.15Oe,电阻率为45μΩ.cm,在1MHz下磁导率μi为602。     

数字磁记录编码技术的新发展

先进的编码技术对提高数字磁记录系统的位密度和可靠性作用很大。本文扼安地叙述了编码技术的发展过程,重点介绍改进型调频制(MFM)和成组编码制(GCR)广泛应用后,新提出的几种实用价值较高的游程长度受限码(RLLC):固定长度的按组编码(0,3;8,9;1);可变长度固定变比的按组编码(1,7;2,3;2);可变长度固定变比的位间相关型按位编码[(1,3;1,2;2)或改进的改进型调频制(M~2FM)]和固定长度的位间相关型按位编码[(1,3;1,2;1)或零调制(ZM)]。(0,3;8,9;1)和(1,7;2,3;2)的位密度极限分别比GCR和MFM约高12～23％和20～30％。M~2FM具有比MFM更大的相位余量,是软盘系统的一种倍密度(6.400～6,536位/英寸)实用方案。ZM具有不包含直流成分的独特优点,已在采用旋转磁头的IBM3850大容量磁带存储系统中应用。     

数字磁记录用无反射型余弦均衡器

在数字磁记录读出信道中,采用脉冲压缩方法是减少脉冲拥挤、提高位密度和可靠性的一种有效技术途径。鉴于数字磁记录系统的实际读出脉冲总是或多或少地存在不对称性,故本文对一种既能适应对称读出脉冲、又能适应不对称读出脉冲的无反射型会弦均衡器进行了分析研究,介绍了它的设计考虑和调整方法,并给出了它在磁盘上的试验数据。结果表明,在读出脉冲不对称时,它能获得比反射型余弦均衡器更好的均衡效果。     

高速高密度数字磁记录存储器

引言本文論述了使用纵向記录和环形磁头来改善一般数字磁記录特性的方法。所进行的理論和实驗研究,主要是从靜态分辨能力和易于写入着手。研究所采用的磁层是具有不同矫頑力、剩磁、厚度以及矩形比的鎳-鈷合金鍍层。     

RF溅射的Fe—N薄膜的磁导率研究

研究了用RF溅射法制备的Fe-N薄膜经过250℃磁场热处理后高频磁导率的变化情况。实验结果发现,在优化生长条件下生长的Fe-N薄膜样品,在1－10MHz的频率范围内,易磁化方向的高频磁导率较小,但其难磁化方向的相对磁导率可以高达1500,并且基本恒定,说明这种Fe-N薄膜已能满足作为高密度存储写入头材料的要求。     

一种新的存储装置——软磁盘

将单面或者双面涂有磁层的米拉(Mylar)材料制成磁盘;在装有磁头的底板上旋转,可用来作为一种信息存储装置。它的示意结构如图所示。当盘子转动时,盘子和底板之间形成25微米的间隙。在底板下面接有一根带有阀门的管子,控制阀门可以改变吸入空气的量,也即改变了盘子本身和底板之间的距离。这个装置的主要特性参数是盘子和底板之间的间隙。严重影响间隙大小的因素是:盘子的材料和它的厚度,轮毂下表面和底板之间的距离,轮毂半经和进气口半径之比,盘子的角速度,从进气口吸入空气的速     

YD-174双面软磁盘驱动器

前言塑料盘作为输入装置已实用达数年之久。使用表明,它具有相当高的可靠性,目前已用作外存储器。因为塑料盘价格低廉,并具有随机取数功能,故已广泛用于台式计算机、灵巧终端设备、微处理机、小型计算机等方面。因而,迫切要求产品扩大存储容量。目前的塑料盘正以此为目标提高其性能。表1为 IBM 公司在这方面的发展动向:1.从磁盘单面记录到双面记录(1976年4月);2.从单密度到倍密度(1977年4月)。存储容量增加到2～4倍,即从250千字节/盘,     

软盘的新品种——双面和微型软盘

提起廉价的外存储器时,自然会想到正在普及的软盘。从去年到今年,已发表了容量增至2～4倍的双面和倍密度记录的驱动器。目前,日本各公司正在研制双面软盘。双面软盘的时代即将到来。国外正向更小的微型磁盘方向发展。控制器的大规模集成化也将迅速实现。