(GaAs)_(1-x)Ge_(2x)半导体合金材料的电子结构及其基态性质

本文根据闪锌矿-金刚石结构的有序-无序相变模型,引入序参量M,在改进的虚晶格近似下,利用从第一性原理出发的自治LMTO-ASA方法,研究了(GaAs)_(1-x)Ge_(2x)半导体合金的电子结构和基态性质.计算结果与现有的非自治计算结果和实验结果进行了比较.计算表明,合金材料中轻、重空穴有效质量依赖于合金的有序度.计算也表明合金材料的晶格常数和体弹性模量将随组份x变化而呈现类似“V”形变化.这都说明,在有序和无序的组份区域,合金性质随组份的变化规律是不同的,应分区描述.     

(A~ⅢB~V)_(1-x)C_(2x)~Ⅳ 型三元合金的有序结构

本文将原子位形几率波理论推广到三元复式格子体系,研究了(A~ⅢB~Ⅴ)_(1-x)C_(2x)~(Ⅳ)型合金最稳定超晶格的原子排列,由理论得到十九种基态有序结构,揭示了原子有序分布的形成规律。     

几种纳米管的电子性质

利用紧束缚方法及密度泛函方法研究了几种纳米管的电子性质。     

掺杂和空位对过渡金属碳化物电子结构的影响

本文通过发展ＬＭＴＯ－ＬＣＡＯ方法，给出了典型的过渡金属碳化物的紧束缚参量。在虚晶格近似和相干势近似下计算了有缺陷的复合材料的能带结构和态密度，从而比较好地揭示了掺杂和空位对材料的电子结构及物性的影响。该方法具有一定的可应用性。     

ORDERED STRUCTURES IN TERNARY(A~ⅢB~Ⅴ)_(1-x)C_(2x)~Ⅳ SEMICONDUCTOR ALLOYS

本文将原子位形几率波理论推广到三元复式格子体系,研究了(A~ⅢB~Ⅴ)_(1-x)C_(2x)~(Ⅳ)型合金最稳定超晶格的原子排列,由理论得到十九种基态有序结构,揭示了原子有序分布的形成规律。     

PMN-PNN-PT陶瓷晶粒异常长大研究

采用两步法和等离子放电烧结技术制备出了致密的单一钙钛矿相的PMN-PNN-PT陶瓷,对其高温热处理后晶粒异常长大进行了研究.发现添加5%(质量分数)过量PbO有助于晶粒的异常长大,观察到了3种典型的异常长大晶粒,为下一步固态法制备该组成单晶打下了基础.