铬酸钡光度法测定煤矿废水中硫酸盐

用铬酸钡光度法对四种煤矿废水中的硫酸盐进行了测定。方法的精密度好，准确度较高。酸性矿井水中硫酸盐含量明显高于其它废水。     

永磁同步电机模糊PID控制建模与仿真

永磁同步电机（PMSM）作为一种非线性、强耦合、参数时变的被控对象,传统PID对其控制效果欠佳。为此在PID的基础上,结合模糊控制的优点,设计了一种PMSM的模糊自适应PID控制策略,并对系统建模仿真。结果表明,与PID控制相比,该模糊PID控制方案具有自适应强、超调量小等特点。     

基于导航系统的低功耗全集成频率综合器设计

针对双模卫星导航接收系统对集成度、功耗和面积的需求,研究了频率综合器的电路结构和频率规划,分析了频率综合器环路的参数设计,实现了片上集成环路滤波器,版图采用MIM和MOS电容堆叠的方式节省了面积,电容电阻采用了加权的方式,使环路带宽可调.采用高速TSPC结构的D触发器构成双模预分频器,降低了整体电路的功耗.利用基于0.18 μmRF CMOS工艺实现了低功耗全集成的频率综合器,芯片面积0.88 mm2,功耗18.5 mW,相位噪声-94 dBc/Hz@100 kHz,杂散-68 dBc.测试结果证明了该电路系统参数设计和结构改进是合理和有效的,各参数性能满足系统要求.     

宽温范围高温度稳定性曲率互补电压基准设计

针对当前射频系统中电源管理芯片在宽温度范围下对带隙基准稳定性的较高要求,提出了一种新型互补带隙基准电路结构,通过将带隙基准与MOS弱反型区基准的温度系数曲率互补叠加,实现了极宽温度范围内带隙电压基准的高温度稳定性输出.采用0.35 μm CMOS工艺对所设计的电路进行了流片验证,测试结果表明,基准电压源工作电压为5V时,输出基准电压1.28 V,在-55 ～125℃温度范围内,温度系数可达4.5×10-6/℃,频率1 kHz时,电源抑制比(PSRR)可达-60 dB,100 kHz时,PSRR可达-55 dB,电压基准源芯片面积为0.22 mm×0.15 mm.     

一款灌入/拉出3A电流跨导驱动快速瞬态响应低漏失稳压器

本文设计了一款可以灌入(sink)和拉出(source)3A电流,低电源、低功耗的CMOS低漏失电压线性稳压器。采用电流镜像结Gm(跨导)驱动的LDO架构可以获得高稳定性和快速负载瞬态响应。基于UMC 0.5um标准CMOS工艺投片验证,芯片面积为1.0mm2。空载时该LDO静态电流为220uA,最大带载3A。测试表明,使用30uF陶瓷电容,在-1.8A到 1.8A 0.1us负载跳变时,该LDO可以在低于2us的时间达到稳态,且过冲小于1mV。     

德国EPIS公司嵌入式控制系统

德国EPIS公司专业开发和生产的各种通用嵌入式控制系统,把PLC功能、点位运动控制功能、测量功能、PID调节(如温度)功能、人机界面功能、现场总线通信功能和高级语言编程及大量通用的库函数集成在一起形成系列通用控制系统EMD。该系列控制系统体积小、功耗低、模块化,而且平台开放、功能强大、可靠性高、灵活通用。面对多元化的应用需求,EPIS公司都能快速提供完美的控制方案。     

用于功率放大器的随温度可调负压偏置电路

设计了一种应用于GaN功率放大器栅极调制的随温度可调负压偏置电路。电路由电压基准模块、温度传感器模块、比较器阵列以及误差放大器及其对应的功率管与反馈电阻等组成,通过基准电压与温度传感器输出电压的比较,输出数字控制信号到反馈电阻中的可变电阻模块,改变可变电阻阻值进而改变电路输出电压,实现芯片电压随温度可调。电路结构简单、易于实现、应用方便,同时电路中引入了修调电阻结构,极大提高了基准输出精度。电路芯片面积为1.10 mm×0.64 mm,采用0.5μm CMOS工艺进行了流片并完成了后期测试验证。结果表明,芯片可实现输出电压的随温度可调,有效解决了GaN功率放大器在相同的栅极偏置电压下输出功率随温度升高而减小的问题。     

一种用于高压PMOSFET驱动器的电压跟随电路

通常PMOSFET栅源电压为-20~20 V,而用于GaN功率放大器的高压PMOSFET驱动器,其工作电压为28~50 V,因此需要一种新型电路结构来保证PMOSFET栅源电压工作在额定范围。设计了一种新型电压跟随电路,采用新型多环路负反馈结构,核心电路主要为电压基准单元、减法器单元、误差放大器单元和采样单元,可产生稳定的跟随电压。该电路具有宽电源电压范围、高输出稳定性以及低温度漂移等特性。基于0.5μm BCD工艺对电路进行流片,测试结果表明,采用该电路的驱动器芯片,其电源电压为15~50 V,输出电压变化量约为0.6 V,在-55~125℃温度范围内,电压漂移量约为0.12 V,满足大多数PMOSFET栅源电压的应用要求。