室温低压下脉冲等离子体生长立方氮化硼薄膜

运用脉冲高能量密度等离子体，在室温下制成立方氮化硼薄膜．沉积薄膜的衬底材料分别选用单晶硅、氯化钠和ＧＣｒ１５轴承钢，用扫描电镜、透射电镜、红外吸收谱仪、扫描Ａｕｇｅｒ微探针等对沉积的薄膜进行了分析与测试，结果表明，氮化硼薄膜的结构及性质强烈地依赖于实验条件．分析表明立方氮化硼晶核的形成与衬底材料关系不大，但晶核的生长则部分地依赖于衬底．     

脉冲高能量密度等离子体沉积氮化钛膜的结合强度

本文用脉冲高能量密度等离子体技术，在室温条件下，成功地在ＧＣｒ１５钢表面沉积了性能良好的氮化钛薄膜。用自动划痕试验仪测量了氮化钛薄膜的结合强度。研究结果表明：表征薄膜结合强度的临界载荷有相当高的值；氮化钛薄膜的临界载荷随脉冲轰击次数、内外电极的电压变化而变化。对沉积膜结合强度的这些变化给予了理论上的解释与讨论。     

离子束混合形成氮化钛膜的摩擦和光学性能

用载能氮离子束轰击纯铁镀钛膜样品，成功地形成了金黄色氮化钛薄膜。结果表明：注入剂量为０．５×１０＾１７ Ｎ＾＋／ｃｍ＾２的混合样品表面颜色与纯金类似；氮离子束混合样品表面显微硬度及耐磨性都远优于纯铁基体，且随离子剂量的增加，混合样品的表面硬度和耐磨性也提高。     

多层涂层的摩擦学研究进展

多层涂层与单一涂层相比具有优异的力学性能：低的内应力、高附着力、适当的硬度刚度比、低的摩擦及磨损。简要综述了多层涂层在摩擦学领域内新的研究进展，概括了目前多层涂层的制备方法及结构设计，并对今后的发展趋势作了探讨。     

在ITO玻璃衬底上制备锆钛酸铅铁电薄膜

利用射频反应性溅射沉积技术在掺的Ｓｎ的Ｉｎ２Ｏ３导电透明膜衬底上制备了钙钛矿型Ｐｂ（Ｚｒ,Ｔｉ）Ｏ３（ＰＺＴ）铁电薄膜。研究了沉积参量与热处理工艺对铁电薄膜结构和性能的影响。运用Ｘ射线衍射、Ｘ射线光电子能谱和扫描电镜等技术,分析了薄膜的晶体结构、表面形貌和表面元素化学状态。测量了不同处理条件下薄膜的铁电性能。结果表明：在掺Ｓｎ的Ｉｎ２Ｏ３导电透明膜衬底上可以得到表面无裂纹,化学计量比符合要求的ＰＺ     

室温低下脉冲等离子体生长立方氮化硼薄膜

运用脉冲高能量密度等离子体，在室温下制成立方氮化硼薄膜，沉积薄膜的衬底材料分别选用单昌硅，氯化钠和ＧＣｒ１５轴承钢，用扫描电镜，透射电镜，红外吸收谱仪，扫描Ａｕｇｅｒ微探针等对沉积的薄膜进行了分析与测试，结果表明，氮化硼薄膜的结构及性质强烈地依赖于实验条件。     

钼薄膜的制备、力学性能和磨损性能

采用直流磁控溅射技术在GCr15轴承钢底材上沉积了钼薄膜。利用XRD，AFM对不同负偏压下沉积的钼薄膜的结构和表面形貌进行了表征；利用纳米压痕仪对薄膜的硬度和膜基结合强度进行了测定；最后利用DF-PM型动静摩擦系数精密测定仪和扫描电镜(SEM)研究了薄膜的硬度、残余模量与负偏压的关系。结果表明：利用直流磁控溅射法制备的钼薄膜的硬度随负偏压的变化存在最大值，另外负偏压还影响薄膜的微结构、粗糙度以及膜基结合力，但负偏压的改变对钼薄膜的摩擦系数影响不大。