高强高导电Cu-Cr-Zr合金时效过程中组织和性能的演化

为阐明Cu-Cr-Zr合金时效过程中的组织性演化规律,本文对经过连续铸造、固溶和冷拉拔的Cu-1.5Cr-0.2Zr合金进行时效处理,研究了时效温度和时效时间对该合金组织和性能的影响,并对该合金在不同温度下的时效行为进行了分析。结果表明:对Cu-Cr-Zr合金施以450℃/3 h时效可获得最佳的性能组合,其显微硬度和导电率分别为241 HV和72.5%IACS。时效时合金化元素的脱溶使合金基体的过饱和度降低,发生了合金化元素再分配过程。时效态Cu-Cr-Zr合金的断裂机制为微孔聚集型延性断裂。     

Pd-20W合金的热压缩变形行为和显微组织

采用Gleeble-3500热模拟试验机对Pd-20W合金进行热压缩试验,研究了合金在变形温度1000~1200 ℃、应变速率0.001~1.000 s^-1条件下的流变应力以及变形过程中的显微组织。结果表明,合金的流变应力在变形初期随着真应变的增大快速上升,出现峰值应力后逐渐下降并达到稳态或略有下降。该合金热压缩变形的流变应力行为可用Zener-hollomon参数来描述,拟合计算得到了该材料的形变激活能等参数,获得流变应力的本构方程。热压缩变形后合金组织呈现一定程度的协同变形特征,晶界动态再结晶趋势增强,合金的主要软化机制为动态再结晶,表现出典型的应变诱发晶界形核机制特点。     

Ag-6Cu-1Zn-0.5Ni合金变形行为的高通量研究

对Ag-6Cu-1Zn-0.5Ni合金楔形试样进行轧制,获得了变形量从33%-80%连续变化的高通量实验样品,并对合金显微组织和性能进行了表征。结果表明,合金塑性变形后,晶粒发生变形,沿形变方向被压扁并拉长,最后全部转变为纤维组织。合金内晶粒从不均匀变形逐渐转变为均匀变形,晶界为滑移带的发射源。随着变形量的增大了,出现了交叉滑移和平行四边形的亚结构。硬度的变化分为4个阶段,呈台阶形式上升,其强化机制为固溶强化和位错强化的共同作用的结果。     

银-石墨烯复合材料的滑动摩擦磨损性能

采用球磨混粉、冷等静压和真空烧结的工艺流程制备了含0.5%~2.0%石墨烯的银-石墨烯复合材料,并对复合材料进行销盘式摩擦磨损试验以研究其大气环境滑动摩擦磨损性能。研究结果表明,因石墨烯易团聚,石墨烯含量限于1.5%时能够有效改善复合材料的性能。与未增强的银相比,由于在接触表面形成自润滑碳质膜,银-石墨烯复合材料表现出较低的摩擦系数、较少的磨损量和较低的接触表面温度。随石墨烯含量的增加,复合材料的摩擦系数和磨损量均下降。复合材料的主要磨损机制为粘着磨损和磨料磨损。     

ARMS中数据采集终端的通信协议分析与研究

ARMS(自动抄表系统)一般包括数据采集系统、通信子系统、中心处理子系统,其中的数据采集系统是ARMS的基础.由于国内采用的电能表的多样性,造成了数据采集系统中数据传输规约多种多样.     

双调制锁相频率合成器的设计与实现

通过调制VCO实现FSK调制的锁相频率合成系统,由于环路误差传递函数的高通特性会使低频调制频偏(或相偏)降低甚至消失,针对这个缺点,提出了双调制的方法,即同时对基准源和环路的VCO进行调制。在一定条件下,双调制后的频偏不受环路的影响且又能保证调制载频的高稳定度,通过计算给出了满足这种条件的关系式和实际电路的表现特征及实现方法。实验证明该方法效果显著,可实现低频至直流任意信号的调制。     

基于FPGA的DDS信号源设计

描述了直接数字频率合成(DDS)的特点和原理,给出了一种用Altera的FPGA器件(EP1C3T144)设计DDS信号源的实现方案,同时给出了系统外围电路的设计方法及测试结果.     

一种晶体管电容／电压变换电路

本介绍一种电容传感器变换电路的工作原理，对其特性进行了简要分析并给出了实验数据，讨论了该变换电路在料位测量方面的实际应用。     

不同碳质相增强银基复合材料的电接触行为

采用粉末冶金工艺制备碳质相质量分数为3%的不同碳质相(石墨、碳纳米管和石墨烯)增强银基复合材料,并对其微观组织和物理性能进行表征。对复合材料触头进行直流阻性负载条件下的电弧侵蚀试验,研究了不同碳质相对复合材料电弧特征、材料转移和质量净损耗的影响。结果表明,银-碳纳米管复合材料具有最佳的致密度、硬度和抗拉强度;而银-石墨烯复合材料具有最好的导电率。复合材料触头的材料转移方式均为阴极向阳极转移。同等电接触参数条件下,银-石墨烯复合材料具有最佳电接触性能,其燃弧时间最短、燃弧能量最低、材料转移量和质量净损耗最少。