Pb(Mg_(1+x)/3Nb_(2-x)/3)O_3铁电材料中有序-无序相变的理论研究

基于Kikuchi自洽迭代方法,利用有序-无序相变理论,并取最近邻相互作用近似,研究了Pb(Mg_((1+x)/2)Nb_((2-x)/2)O_3晶粒中在x=0.5时有序区形成的原因,提出Mg~(2+)∶Nb~(5+)=1∶1(离子数比)时,形成B位有序排列最为有利,并且弱的空间电荷场不影响这种有序排列的形成,同时给出了温度-组份的有序-无序相图。     

金属铜缺陷的正电子湮没寿命谱的理论研究

金属缺陷的研究工作一直是凝聚态物理中比较活跃的领域之一,这不但在学术上有重要价值,而且在实际应用领域有着深远意义。正电子技术使我们有可能在低浓度和A尺度上研究缺陷的电子结构。通过金属缺陷的研究可以使我们加深缺陷对金属材料性能的影响的理解,以便找出提高材料性能的方法。本文我们研究了Cu中1、2、3、4、6、 9、10、13、15空位团,Cu中H-、He-空位团复合体(1、2、3空位)的电子结构和正电子湮没寿命谱。我们采用胶体模型,利用密度泛函理论和交换能关联能的局域密度近似。在本模型中我们对缺陷作了球对称近似,这时正电荷分布n_(ext)(r)为:     

用正电子湮没方法研究Fe_(38)Ni_(40)Mo_4B_(18)等非晶合金中空洞

实验所用非晶合金样品是由液态合金轧辊法制备的非晶薄带材,有Fe_(38)Ni_(40)Mo_4B_(18)、Fe_(32)Si_5B_(13)、(Fe_(0.5)Ni_(0.5))_(78)Si_8B_(14)、(Fe_(0.1)Ni_(0.3)Co_(0.55)Mo_(0.05))_(78)Si_8B_(14)等不同成分的非晶合金。各种材料又经过适当的热处理后完成非晶态的晶化过程作为相应的晶化样品。     

侧向表面磁超晶格结构中的电子输运

对侧向表面磁超晶格结构中电子的隧穿输运现象作了深入系统的研究。揭示了简单磁垒结构中依赖于结构构型和入射电子动量的传输共振的特性以及周期磁超晶格结构中共振劈裂效应和波矢过滤效应的特征。     

充氢变形铁的变温正电子寿命谱研究

选用两对纯度为99.99％的退火铁样品1号和2号,将1号拉伸6.3％,2号拉伸10％,然后将1号样品用电解充氢法充氢两小时,充氢电流密度为64mA/cm~2,将两组样品分别从室温逐步升温至250℃,测量各温度下样品的正电子寿命谱。测量结果用positronfit程序进行三寿命分量的分解。     

(GaAs)_(1-x)Ge_(2x)半导体合金材料的电子结构及其基态性质

本文根据闪锌矿-金刚石结构的有序-无序相变模型,引入序参量M,在改进的虚晶格近似下,利用从第一性原理出发的自治LMTO-ASA方法,研究了(GaAs)_(1-x)Ge_(2x)半导体合金的电子结构和基态性质.计算结果与现有的非自治计算结果和实验结果进行了比较.计算表明,合金材料中轻、重空穴有效质量依赖于合金的有序度.计算也表明合金材料的晶格常数和体弹性模量将随组份x变化而呈现类似“V”形变化.这都说明,在有序和无序的组份区域,合金性质随组份的变化规律是不同的,应分区描述.     

磁势垒构中隧穿现象的研究

本用转移矩阵方法研究了具有纳米尺度的非对称磁势垒结构中电子隧穿效应。结果表明和电子穿越对称双磁势垒结构相比，电子隧穿非双磁势垒结构和传输几率和电导都强烈减小，并且非对称磁势垒结构具有重强的波矢过滤特性。     

三元Ⅲ一V半导体合金长程有序结构的研究

运用原子位形几率波理论对合金中出现的长程有序结构进行了研究。考虑到合金外延生长的特点及合金中相互作用能情况，采用了二维平面模型，并在此基础上提出了平面会构的方法，从而建立起合金外延生长的理论模型，得到了三元Ⅲ一Ｖ半导体合金中所有可能出现的长程有序结构，较好地说明了实验中出现的长程有序现象。     

几种纳米管的电子性质

利用紧束缚方法及密度泛函方法研究了几种纳米管的电子性质。