6542型高速钢变温穆斯堡尔谱的研究

本文通过测定9种温变(26℃≤T≤530℃)下6542型高速钢和纯铁的穆斯堡尔谱,给出各种温度下实验数据拟合结果和其无反冲因子随温度变化规律,并讨论了高速钢随着温度的提高发生相结构变化的规律。     

用穆斯堡尔方法研究材料的磨损现象

本文描述了研究材料磨损的一种方法。介绍了用失重法测量合金工具钢(9Cr2Mo)和高锰耐磨钢(Mn13)与刚玉、玻璃磨料在不同磨损速度下的磨损率。用穆斯堡尔透射法确定了上述材料在不同磨损速度下,磨屑相结构发生变化的规律:含残余奥氏体32％的9Cr2Mo与刚玉磨损时,磨屑中残余奥氏体量随磨损速度的增加而减少。在磨损速度为0.292m/s时,减少到2％左右,之后又近似线性地增加。在磨损速度为1.85m/s时,     

处理正电子湮灭寿命谱的程序

正电子在某些材料中的寿命与现有仪器的时间分辨率很接近,要从这些材料的实验数据中得到寿命的正确结果,一定要考虑仪器的分辨函数。为此调试了Positronfit-Extended程序(简称P-E程序)和编排了提供近似分辨函数的程序,并用这组程序探讨了以近似分辨函数代替仪器精确分辨函数的可能性。     

金属铜缺陷的正电子湮没寿命谱的理论研究

金属缺陷的研究工作一直是凝聚态物理中比较活跃的领域之一,这不但在学术上有重要价值,而且在实际应用领域有着深远意义。正电子技术使我们有可能在低浓度和A尺度上研究缺陷的电子结构。通过金属缺陷的研究可以使我们加深缺陷对金属材料性能的影响的理解,以便找出提高材料性能的方法。本文我们研究了Cu中1、2、3、4、6、 9、10、13、15空位团,Cu中H-、He-空位团复合体(1、2、3空位)的电子结构和正电子湮没寿命谱。我们采用胶体模型,利用密度泛函理论和交换能关联能的局域密度近似。在本模型中我们对缺陷作了球对称近似,这时正电荷分布n_(ext)(r)为:     

应用背散射技术研究固体薄膜

应用背散射(R.B.S)方法测量了单层金属膜(Fe膜、Au膜)、双层金属膜(Ti-Fe膜)、双层介质膜(Si-Si○_2-Si_3N_4 膜)的厚度。在对Si-Si○_2-Si_3N_4双层介质膜测厚的同时,还测出Si_3N_4膜中含有一定量氧的存在,检验了它的生长质量。用背散射方法对错(Zr)的氧化进行了初步研究,测定了在1964年于400 ℃干燥空气中分别氧化7＇、14＇、28＇、80＇的ZrO_2膜的厚度。实验结果大体上与锆氧化的抛物线规律     

用Mssbauer谱研究Zn_2SnO_4的湿敏机理

本文用 Mssbauer 谱学方法,对半导体陶瓷 Zn_2SnO_4的湿敏机理做了分析,得出结论:Sn 原子对Zn_2SnO_4的湿敏机理是有贡献的,Zn_2SnO_4湿敏机理是电子离子混合型传导,作为湿敏机理分析方法,M(?)ssbauer 谱是比较合适的。     

用穆斯堡尔谱研究奥贝球铁应变时残余奥氏体的结构及其转变

用穆斯堡尔谱学对奥贝球铁在拉伸应变和循环疲劳应变中残余奥氏体含量与结构变化进行了研究。研究表明：在这两种应变下残余奥氏体含量随拉伸应变量或循环应变幅的增加而减少，同时残余奥氏体的结构可以分解成Ｆｅ原子周围无碳原子存在和Ｆｅ原子周围有碳原子存在两种结构。     

氢在中子辐照硅单晶中的特性

我们采用样品熔融-气体色谱分析方法测得氢气氛区熔的硅单硅中含氢量为1—1.5×10~(17)cm~3,将这种硅单晶放在反应堆内辐照到2×10~(17)n/cm~2的中子剂量,然后作等时和等温退火,测量电阻率、正电子湮没寿命谱。     

穆斯堡尔谱学在材料科学中的应用

穆斯堡尔谱学作为一种微观探测工具,在材料科学研究中得到了广泛的应用。本文阐述了穆斯堡尔谱学在材料科学中应用的一些重要方面,其中包括:对材料进行物相分析、相变研究,确定材料是否为非晶态以及非晶态材料的分解、晶化过程的研究;研究材料的磁性,如确定材料的磁有序化温度、磁织构与非晶材料的磁有序结构,内磁场的分布及原子的平均磁矩,研究微晶、材料表面磁性和磁弛豫过程;确定穆斯堡尔原子的价态、