亚原子单层膜的蒸镀及厚度计算

本文给出了超高真空蒸镀的实验条件及其镀层厚度的计算公式和部分实验结果。     

金刚石薄膜表面的HREELS研究

用高分辨电子能量损失谱(HREELS)研究了用热丝CVD(HF CVD)方法生长的多晶金刚石薄膜表面的振动谱。发现HREELS可以用来研究多晶金刚石薄膜表面的吸附分子的振动。生长的样品不作任何处理,表面是以H终止的。振动的损失谱主要是位于160meV附近的一个损失峰,对应于CH_2(或CH_3)的“剪”振动;360meV的一个损失峰,对应于CH的伸长振动;305meV的“剪”振动的二次谐振损失峰。以及一些较弱的峰,在105meV的对应于C—C伸长振动的损失峰;455meV的“剪”振动的三次谐振损失峰;520meV的损失峰,对应于“剪”振动与伸长振动的结合。将金刚石加热到900℃或用Ar~+轰击,各种振动损失峰消失,出现一连续谱。对退火或Ar~+轰击处理的样品吸原子H或原子D,主要的振动损失峰重新出现。     

金刚石膜和类金刚石膜的电子能量损失谱和喇曼光谱的研究

用电子能量损失谱(EELS)研究了金刚石膜、类金刚石膜和高取向石墨的特征能量损失峰.金刚石膜的特征峰主要是5.4eV和15eV的带间跃迁,23eV和34eV的表面等离子激元和体等离子激元.类金刚石膜的特征峰主要是 4.5eV的π电子的体等离子激元,13eV的带间跃迁,22.4eV的(π+ σ)电子的体等离子激元.石墨的特征峰主要是6eV的π电子的等离子激元,13eV带间跃迁和C轴方向等离子激元,20eV的C轴方向的等离子激元和25.6eV的基面等离子激元.比较了α-C和α-C:H能量损失谱和喇曼光谱,利用hω_(p(π+σ))和hω_(p(x))峰位计算了类金刚石膜中sp~3键和sp~2键的比例.研究了不同CH_4浓度生长的金刚石膜的能量损失谱,利用hω_(p(π+σ))和hω_(p(x))峰位计算金刚石膜中类金刚石第二相内的sp~2键和sp~3键的比例,利用第二相的体等离子激元损失峰hω_(p(π+σ))与金刚石的体等离子激元损失峰hω_(p(σ))的强度比来估价第二相的多少.     

贮氢材料LaFe_yNi_(5-y)的研究

本文报道采用不同工艺获得亚稳态氧化物LaFe_yNi_(5-y)H_6,并在室温下对LaFe_yNi_4Hx进行了X射线衍射测量和Mossbauer效应的研究,得到一些有关氢化物相变的信息。     

A STUDY OF LaFe_yNi_(5_y) STORING HYDROGEN MATERIALS

本文报道采用不同工艺获得亚稳态氧化物LaFe_yNi_(5-y)H_6,并在室温下对LaFe_yNi_4Hx进行了X射线衍射测量和Mossbauer效应的研究,得到一些有关氢化物相变的信息。     

Tb淀积在WO_(2.7～2.9)(兰色氧化钨)表面的XPS研究

兰色氧化钨(以下简称兰钨)的还原程度是W深加工的关键。而兰钨是有氧空位的,其密度决定于W还原程度。我们在兰钨表面淀积Tb,研究它们的相互作用及化学活性的变化。Tb负电性小于W,易于与兰钨中的氧结合,自身被氧化而使部分兰钨还原,生成WO_2。兰钨表面既有铽的氧化物又有钨的氧化物,致使氧呈不同状态。