氢化物气相外延氮化镓衬底的制备研究

目前异质外延技术能够得到较高质量的氮化镓(GaN)薄膜,衬底普遍采用蓝宝石、碳化硅以及硅等.各种技术包括缓冲层、外延横向生长技术、悬挂外延技术等是目前最重要的制备氮化镓技术.氢化物气相外延(HVPE)是制备氮化镓衬底最有希望的方法之一.本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了氮化镓体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延原理,分析了HVPE制备自支撑(FS)GaN衬底方法,综述了HVPE技术国内外研究进展.     

电子陶瓷材料

在旧石器时代,人类就与陶器产生了关系。经过新石器时代后的技术上长足的改进和第三代工业化革命,从1900年前后,人们就已开始注意到了陶瓷材料的电学特性。从1950年起,陶瓷材料开始应用于电子部件,经过不到20年的时间,陶瓷就从历来“砖”的形象一跃而变成了时代的宠儿,建立起了电子陶瓷时代。     

掺锗CZSi原生晶体中氧的微沉淀

利用锗硅单晶(锗浓度约为1019cm-3)切制成的籽晶和一般无位错硅单晶生长的缩细颈工艺以及从晶体头部至尾部平稳降低拉速的工艺,生长了直径为60、50和40mm,掺锗量为0.1%和0.5%(锗硅重量比)的锗硅单晶.利用化学腐蚀-金相显微镜法、扫描电子显微镜(SEM)能谱分析和X射线双晶衍射等方法观测了掺锗硅的原生晶体中缺陷及氧的沉淀的状况.发现用CZ法生长的锗硅原生晶体与常规工艺生长的CZSi晶体不同,体内存在着较高密度的氧微沉淀.在晶体尾部,由于锗的分凝使熔体中锗高度富集,出现了"组分过冷"现象,在晶粒间界应力较大处有锗的析出并出现了枝状结晶生长.晶体中高密度氧的微沉淀经过1250℃热处理1h后会溶解消失.     

NTDCZSi的辐照缺陷退火研究

采用四探针法测电阻率、正电子湮灭法和DLTS法测缺陷和缺陷能级变化,研究了NTDCZ Si在350～1200℃等温退火时辐照缺陷的变化,确定了用于制造LSI、压敏器件等的NTDCZ Si消除辐照损伤的退火条件,并对实验现象进行了简要的讨论。     

掺锗CZSi中光致发光谱的研究

本文研究了掺有不同浓度锗的直拉硅在温度３５０℃－５５０℃等时退火后的光致发光谱。结果发现：杂质锗使硅材料的本征激光峰强的增加，ＰＬ谱随着锗浓度的增加，峰位向低能端移动，ＰＬ峰变宽。     

用少子寿命变化监测硅单晶退火工艺的污染

一、前言半导体工业的发展非常迅速,单晶硅锭直径已从φ30mm左右逐渐向大直径过渡。目前世界上有φ200mm硅片投入生产线,而半导体集成电路也已从小规模、中规模向大规模(LSI)进展,大规模的电路已有M位(VLSI和ULSI)电路问世。因此,概括其发展状况可用“三高一大”一句话来表征,即单晶硅的高纯度、高均匀性、高完整和大直径化及器件的高速性、高灵敏度、高可靠性和大集成度化。为了适应半导体工业发展的需要,半导体材料工作者在解决“三高一大”上下了极大工夫,尤其是对晶体的纯度的重要性有了一个新的认识。晶体的纯度直接影响器件质量,而杂质污染又往往和二次缺陷(工艺诱生缺陷)、器