首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   63篇
  免费   5篇
  国内免费   28篇
综合类   2篇
化学工业   1篇
机械仪表   12篇
无线电   79篇
一般工业技术   2篇
  2019年   2篇
  2015年   1篇
  2014年   1篇
  2013年   3篇
  2012年   2篇
  2011年   3篇
  2010年   2篇
  2009年   4篇
  2008年   3篇
  2007年   3篇
  2006年   6篇
  2005年   11篇
  2004年   10篇
  2003年   6篇
  2002年   14篇
  2001年   9篇
  2000年   8篇
  1999年   1篇
  1998年   1篇
  1997年   1篇
  1996年   2篇
  1995年   1篇
  1993年   1篇
  1983年   1篇
排序方式: 共有96条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
氯甲烷气体分析,一般采用量气管测定样品气被乙醇吸收的数量来计算含量的方法。该方法操作比较繁琐,误差较大。为此,我们选择气相色谱法进行了研究,初步确立了一个比较快速,简便气相色谱法。  相似文献   
2.
文章提出一种关于非对称电极低串扰数字光开关的新型设计方案,在Y分叉后端引入S弯曲波导,通过在Y分叉处的非对称电极和弯曲波导的弯曲电极处施加一定的同步电压,实现了比没有S弯曲的开关更低的串扰.此种设计采用有限差分光束传播方法(FDBPM)来分析,模拟结果显示,在光波长为1.55 μm时,开关电压8 V,串扰<-25 dB.  相似文献   
3.
基于全内反射原理和光生载流子注入效应,研究了一种Y分叉全内反射型全光开关.当控制光(波长为805nm)的强度达到150W/mm2时,对于1310nm波长,其开关的消光比可以达到18dB,并对光注入开关机理做了简单的探讨.  相似文献   
4.
基于全内反射原理和光生载流子注入效应,研究了一种Y分叉全内反射型全光开关.当控制光(波长为80 5 nm)的强度达到1 5 0 W/ m m2时,对于1 31 0 nm波长,其开关的消光比可以达到1 8d B,并对光注入开关机理做了简单的探讨  相似文献   
5.
光可变衰减器的研究进展   总被引:2,自引:0,他引:2  
光可变衰减器(VOA)作为波分复用(WDM)网络中关键的功率管理器件,能够实现信道均衡和自动增益控制功能.微电机械系统(MEMS)型和热光型VOA以其衰减范围宽、功耗低、体积小、易于集成等优点成为研究重点,热光特性极佳的聚合物材料则成为最引人注目的热光材料.文章对已有的VOA器件作了概括分类,介绍了各种MEMS型VOA,还从热光材料的角度,总结了聚合物材料的研究成果,对已见报道的基于聚合物的各种热光型VOA进行了重点的描述和分析.最后给出了VOA的两种网络实例.  相似文献   
6.
文章概述了多模干涉耦合器的结构、工作原理和目前常用的分析方法,重点阐述了多模干涉耦合器的光传输特性.最后,详细介绍了多模干涉耦合器在光纤通信系统的多种用途.  相似文献   
7.
非互易波导光栅的滤波特性与应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
根据磁光材料的非互易特性和波导光栅的滤波特性,介绍了一种磁光波导光栅的非互易滤波特性及其应用.该磁光波导光栅采用法拉第旋转系数为4800°/cm的掺铈钇铁石榴石(Ce:YIG)材料、单模的脊型补偿墙截面结构和cosine型变迹光栅结构的设计.利用有限差分法和等效折射率法模拟该磁光波导光栅非互易效应的大小,同时结合耦合模理论和转移矩阵法对该磁光波导光栅的非互易滤波特性进行分析.结果表明,对于TE模和1550 nm波段,该磁光波导光栅正反向传输的中心波长偏移0.8 nm,带宽0.4 nm(-20 dB).这种非互易滤波特性可以用来实现波长选择光隔离器和光分插复用器(OADM)等集成光学器件.  相似文献   
8.
光可变衰减器是密集波分复用网络中的重要器件之一.介绍了一种新型聚合物光可变衰减器(VOA)的设计方法,利用聚合物的热光效应,动态范围可达25dB.这种新型聚合物VOA不仅体积尺寸小,插入损耗小,功耗低的优点,而且表现出良好的偏振独立性,对该器件进行了相关性能的分析和模拟.  相似文献   
9.
初步分析了基于GaAs/AlGaAs量子阱材料的光致折射率变化规律,利用自洽方法计算了光生载流子浓度对传输光的折射率改变量。当805nm的控制光注入强度为6×103W/cm2(8×103W/cm2)时,在垂直材料表面内1μm深度处,对1.55μm(1.31μm)的传输光可以达到-1-0 2的折射率变化量级。与GaAs体材料相比,量子阱材料所需控制光强度能够减少约20%,有助于降低全光开关与全光调制器的功耗。  相似文献   
10.
对微谐振腔Q值相关机理进行模型分析,提出利用定向耦合原理对微谐振腔和总线波导之间的耦合分析。利用微碟谐振腔的高Q值理论对基于InP半导体材料的光开关设计并进行性能分析,设计的微碟光开关自由频谱范围(FSR)为3.4nm,光开关消光比可达20dB左右。此外负耦合(negative gap)结构使微碟与总线波导耦合的效率明显提高。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号