磁力研磨加工技术

阐述了磁力研磨加工的原理、装置及特点 ,概述了磁性磨料的特性和制作方法 ,论述了各种因素对磁力研磨加工的影响规律 ,介绍了国内外研究状况及应用现状 ,探讨了磁力研磨加工技术的发展趋势     

自由曲面磁粒光整加工的研究

磁粒的加工能力不仅受加工间隙、磁场强度、磁粒的成分和粒度、磁极的旋转速度和进给速度、加工材料的导磁性能以及磨料液等因素的影响，而且受磁极形状的影响。本文在介绍自由曲面磁粒光整加工原理的基础上，通过实验对采用球头磁极加工曲面存在的问题进行了研究分析，并找到了具体解决的办法。实验表明工具磁极表面开槽可以大幅度地提高磁粒加工的能力和使用范围     

利用化学和机械协同作用的CVD金刚石抛光机理与技术

正金刚石是集多种优越的物理、化学、光学和热学性能于一身的材料极品。它不但是自然界已知材料中硬度最大、摩擦因数最小、导热性能最好的材料,而且具有优良的电绝缘性、较宽的透光波段、优秀的半导体特性和化学惰性,被视为21世纪最有发展前途的工程材料,具有广泛的应用前景和巨大的市场潜力。化学气相沉积(CVD)金刚石的出现打破了天然金刚石数量稀少、尺寸过小及价格昂贵等限制,使金刚石的应用不再局限于传统的刀具和模具领域,逐渐向光学、热学、电子半导体及声学等高科技领域发展。然而由于其生长机制的限制,CVD金刚石晶粒粗大,表面粗糙度和精度较差,无法满足上述领域对金刚石超光滑、高精度和低损伤的表面质量要求。平坦化技术已经成为CVD金刚石应用于高新技术领域的关键技术之一。     

电解加工小孔方案优化及实验研究

小孔法是工程中残余应力测量最常用的方法,传统机械加工小孔会引入塑性变形与附加应力,影响测量结果的准确性.采用无应力产生的电解加工方法进行小孔加工在残余应力测试方面具有显著优势.利用不受加工结构限制的3D打印技术制造中空循环电极,搭建动液电解加工小孔装置;利用Fluent软件进行流场仿真,以电解加工表面电解液流速大小和流场均匀性为评价标准,优化中空循环电极内部流道结构;根据流场与电场仿真结果表明中空循环电极环形隔板壁角β对电解加工精度有较大影响.以纯铁(DT4E)为实验材料,进行不同壁角β下电解加工小孔实验,壁角β为60°时小孔孔形最佳.     

磁流体研磨法研磨陶瓷球的试验研究

介绍了陶瓷球的磁流体研磨法。通过对四种不同陶瓷球的研磨试验，得出了基本研磨参数与研磨效率的关系，证明了磁流体研磨法对陶瓷球精密加工的高效性和高质量性。     

一种面向化学机械抛光终点检测系统的信号处理方法

提出了一种针对基于摩擦的化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing,CMP）终点检测系统的信号处理方法。该信号处理方法采用小波阈值去噪的方法去除包含在原始测量信号中的噪声;从去噪后的信号中提取卡尔曼滤波新息作为特征信号;根据CMP过程中卡尔曼滤波新息的特征来判断何时达到CMP终点。应用该信号处理方法,进行了铜CMP过程的终点检测试验。试验结果表明,该信号处理方法可以判断出铜CMP过程的终点。     

多级粗糙表面对抛光液微流动影响的数值分析

由于特征线宽的进一步细微化,超大规模集成电路的进一步发展受到平坦化技术发展水平的制约.抛光液流动性能是影响平坦化加工性能和效率的重要因素之一,为增强抛光液的流动性,在抛光垫表面增加沟槽是有效的技术手段.以带沟槽抛光垫多级粗糙表面的抛光液微流动为研究对象,采用多级粗糙表面计算机模拟生成技术和计算流体动力学新方法格子Bol...     

Model analysis and experimental investigation of the friction torque during the CMP process

A model for calculating friction torque during the chemical mechanical polishing(CMP) process is presented,and the friction force and torque detection experiments during the CMP process are carried out to verify the model.The results show that the model can well describe the feature of friction torque during CMP processing. The research results provide a theoretical foundation for the CMP endpoint detection method based on the change of the torque of the polishing head rotational spindle.     

硅片化学机械抛光时运动形式对片内非均匀性的影响分析

分析了目前几种常见的化学机械抛光机中抛光头与抛光垫的运动关系，针对不同的硅片运动形式，计算了磨粒在硅片表面的运动轨迹；通过对磨粒在硅片表面上的运动轨迹分布的统计分析，得出了硅片在不同运动形式下的片内材料去除非均匀性。从硅片表面材料去除非均匀性方面，对几种抛光机的运动形式进行了比较，结果表明，抛光头摆动式抛光机所产生的硅片内非均匀性最小。该研究为化学机械抛光机床的设计和使用中选择和优化运动参数提供了理论依据。     

一种用于化学机械抛光的加压装置设计研究

low-k材料的使用,使低下压力技术成为化学机械抛光(CMP)设备研发设计必须面临的关键技术之一,为适应该需求,提出了弹性组合元件加压技术,即通过改变加压元件的变形量来实现压力调整的机械调压技术。对该加压模式的设计要求及加压精度进行了理论分析,并进行了加压精度及压力-变形线性关系的实验验证。实验所得的加压精度与理论分析结果比较接近,加压装置的压力与变形之间基本呈线性关系。加压元件可以实现压力从零开始的低下压力、高精度压力调整。