首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   4篇
  免费   2篇
化学工业   2篇
矿业工程   2篇
一般工业技术   2篇
  2022年   1篇
  2021年   1篇
  2011年   1篇
  2010年   1篇
  2009年   1篇
  2008年   1篇
排序方式: 共有6条查询结果,搜索用时 312 毫秒
1
1.
首先合成了两种氨基树脂型膨胀阻燃剂(简称FR)并应用于软质聚氨酯泡沫塑料(简称SPUF),所得阻燃SPUF采用热重分析、锥形量热仪研究其热解、阻燃性能,并用Kissinger方程计算SPUF的动力学参数热解活化能的变化,结果发现,阻燃SPUF的热量释放、烟气、CO和CO2排放大大降低,剩炭率增加,添加质量分数30%的阻燃剂可使材料氧指数(LOI)达27左右,有较好的阻燃效果,并根据其对力学性能的影响选出了适宜的SPUF阻燃剂。阻燃SPUF热解活化能降低~50 kJ/mol,表明阻燃剂对SPUF的热解具有催化成炭作用。  相似文献   
2.
提出了采用离心复合力场回收金属的新工艺,建立了废弃材料高效离心分选系统,分析了Falcon分选机的分选机理及强化回收机制。本研究引入重选评价指标对Falcon分选机的分选性能进行评价,Falcon分选-0.5 mm级废弃材料时的I值为0.01,数量效率为93.17%,错配物总量为4.5%,取得了良好的分选效果。该工艺成功解决了-0.5 mm级废弃材料中金属富集体回收的难题,为离心分选机的工业化生产提供了理论依据和技术支持。  相似文献   
3.
李东  李瑞  吴发超  高彩云 《硅酸盐通报》2021,40(7):2380-2387
三氧化钨(WO3)仅对460 nm以下波长的太阳光有响应,大大限制了其对太阳光的利用率。因此,如何拓宽WO3的光谱响应范围是当前的研究重点。本文以仲钨酸铵[(NH4)10H2W12O42·xH2O]为前驱体,通过一步富氧煅烧法制备了具有宽光谱可见光响应能力的N2插入的纳米WO3(N2-WO3)。通过XRD、SEM、EDS、UV-Vis DRS、Raman等表征测试方法,研究了N2插入对WO3结构和性能的影响。结果表明:N2插入有效地窄化了N2-WO3的禁带宽度(2.25 eV),较纯WO3(2.76 eV)减小了0.51 eV;N含量对N2-WO3的可见光吸收能力有显著影响,且随着煅烧温度的升高N含量呈减小趋势。入射光子-电流转换效率(IPCE)的测试结果表明,N2-WO3可以对520 nm以下的可见光产生响应。光催化测试结果表明,N2-WO3的光催化活性优于纯WO3。  相似文献   
4.
压强预处理对煤泥浮选效果的影响   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
郭德  张秀梅  石常省  吴发超 《煤炭学报》2011,36(8):1365-1369
分别将煤泥水抽气到负压状态和充气到加压状态,待恢复到常态后进行浮选实验,同时测量煤粒表面电动电位ζ。实验结果表明:煤泥水浮选前经负压预处理后,煤粒表面电动电位ζ的绝对值有所降低,精煤产率和浮选完善指标降低,浮选效果恶化;经加压预处理后,煤粒表面电动电位ζ的绝对值明显提高,精煤产率和浮选完善指标提高,浮选效果得以改善。分析了核化气泡在浮选中的作用,建立了煤粒表面存在核化气泡时的Stern双电层模型,并验证了该模型的正确性。  相似文献   
5.
李东  李瑞  吴发超  孙文周  高彩云 《功能材料》2022,53(1):1154-1160
三氧化钨(WO3)是典型的半导体材料,因其具有良好的光电化学(PEC)特性而受到了广泛的研究.但经电解后,WO3光阳极会的PEC催化活性将出现急剧地衰减,导致其无法循环使用,造成了浪费.为了解决这一科学问题,实验以钨酸钠(Na2 WO4·2 H2 O)为钨源,HCl为酸源,通过沉淀法制备了WO3粉体.然后,采用刮刀涂布...  相似文献   
6.
氨基树脂膨胀型阻燃剂处理环氧树脂的阻燃机理   总被引:1,自引:1,他引:0  
合成了一种氨基树脂膨胀型阻燃剂(AIFR),将其用于环氧树脂(EP)中。采用热重、红外光谱和扫描电镜研究了阻燃EP的热解性能和阻燃机理。结果表明:AIFR用量为25%时,EP阻燃性能达到UL94V—0级,氧指数28.4%;AIFR使EP热解提前,热解活化能降低,剩炭增加,红外光谱中吸收峰强度减弱;AIFR对EP的热解具有催化成炭作用;AIFR阻燃EP具有很好的膨胀发泡效果,剩炭的连续性、韧性和强度得到了明显改善。  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号