智能工作站主机的MMPIS实验模型研究──一个全互连式结构MMPIS硬件环境的设计与实现

本文介绍中日国际合作开发研究的Ａ１型智能网（Ａ１型ＩＮ）智能工作站（ＩＷ）主机的并行推理硬件结构的实验模型设计与实现，给出了一种并行推理硬件支持环境实现方案和该方案在实现中若干问题的解决方法。     

碘的简并四波混频信号的饱和效应研究

本文研究了常温下I2四波混频(DFWM)信号强度与泵浦光能量的关系以及0℃下I2的DFWM光谱随压强的变化．本实验采用后向四波混频光路，用脉冲Nd：YAG激光器泵浦染料激光器，其输出波长在552～570nm范围内连续可调，脉宽为10nm，激光重复频率为10Hz．通过选定I2的共振波长，改变泵浦光能量Ef，测得常温、     

竹红菌甲素衍生物13－SO_3Na－DDHA电化学及光诱导还原的研究

本工作研究了化合物１３－ＳＯ＿３Ｎａ－ＤＤＨＡ在不同ｐＨ的缓冲溶液中的电化学氧化还原行为．实验证明：化合物中羰基的还原电位与ｐＨ之间存在线性关系，其直线的斜率为６０ｍＶ／ｐＨ．并证明了此过程为一步两电子、两质子还原过程：Ｑ＋２Ｈ￣＋＋２ｅ＝ＱＨ＿２．ＤＭＦ作为非质子溶剂，具有很好的稳定自由基的作用．向缓冲溶液中加入ＤＭＦ后，化合物１３－ＳＯ＿３Ｎａ－ＤＤＨＡ为两步单电子还原过程，相应溶液中的光诱导电子转移吸收光谱证实了以上电化学的结果．     

基于模型匹配的精馏塔产品质量非线性控制

将非线性系统模型匹配问题（MMP）应用于精馏塔产品质量控制器的设计,得到精馏塔的MMP非线性控制器,理论分析和仿真表明,该控制器实现了对部分干扰的解耦,具有良好的跟踪和调节特性。     

OSOD:一个油田开发规划优化决策系统

油田开发规划是一项复杂的系统工程,在一定投资下,要使得利润最大、产量最大,并且尽量降低成本,需要通过数学规划的方法进行科学合理的决策。为此,该文开发了油田开发规划优化决策系统,可以作为长期或短期油田开发规划的决策工具。     

Ku波段宽带氮化镓功率放大器MMIC

基于0.25μm栅长GaN HEMT工艺,采用三级放大拓扑结构设计了一款Ku波段GaN功率放大器.放大器设计从建立大信号模型出发,输出匹配网络和级间匹配网络均采用电抗匹配减小电路的损耗,从而提高整体放大器的功率效率.测试结果表明,该放大器在14.6~18GHz频带内,小信号增益30dB,脉冲饱和输出功率达15W,功率附加效率(PAE)大于32%;在14.8GHz频点处,放大器的峰值功率达19.5W,PAE达39%.该结果表明GaN MMIC具有高频高功率高效率的优势,具有广阔的应用前景.     

C波段pHEMT单片Gilbert混频器

采用0.5μmpHEMT工艺研制了Gilbert式单片混频器,设计采用了电流注入技术及跨导级源端负反馈技术,在C波段测试表明:变频增益大于1.5dB,单边带噪声系数典型值为12.5dB,变频带宽约为DC～1GHz,所需本振功率实测值为1.6dBm。     

CO2驱油与封存的地面注入工艺技术

延长油田靖边乔家洼油区开展了CO2驱油与封存先导试验,初步建成单井CO2注入能力为10~20 t/d的地面注入系统。该系统主要由低温储罐、屏蔽泵、注入泵、水浴式汽化器及阀门仪表组成,储罐为系统连续供液,屏蔽泵为注入泵预增压,水浴式汽化器为储罐增压。运行初期发现储罐充液速度慢,注入泵进口压力低、预冷周期长、易气阻。通过工艺改造和操作优化,该系统逐步实现了正常注入,为低渗油藏中小规模CO2注入工艺积累了经验。     

基于90 nm CMOS工艺的超宽带分布式混频器设计

基于TSMC 90 nm CMOS工艺设计了一款18~100 GHz的超宽带无源漏极混频器,混频器采用了均匀分布式结构,通过牺牲延迟来获得超宽带带宽。同时,提出了一种栅极电压优化技术,通过优化偏置电压VGS来最小化CMOS混频器的传输损耗。混频器带宽为18~100 GHz,带宽内变频损耗为(4±1)dB,端口隔离度优于15 dB,45 GHz处1 dB压缩点输入功率为4 dBm,芯片面积仅为0.36 mm2。该混频器在低功耗的环境下具有良好的变频损耗性能,非常适合用在低功耗的通信系统当中。     

Ka波段低相位噪声GaAs MHEMT单片压控振荡器

报道了一种低相位噪声VCOMMIC芯片,采用传统的源端反馈形成负阻来消除谐振回路中的寄生电阻,通过合理的输出匹配实现起振条件并抑制谐波,利用南京电子器件研究所0.15μmGaAsMHEMT工艺,研制的Ka波段GaAsMHEMT压控振荡器,典型振荡频率为39.34GHz,频率变化范围38.6～41.3GHz之间,调谐带宽2.7GHz,典型输出功率6.97dBm,频偏100kHz,相位噪声为-81.1dBc/Hz。