碳化硼材料的制备技术

本文综述了国内外碳化硼粉末和碳化硼陶瓷制备技术的研究现状与进展情况,重点介绍了碳管炉、电弧炉碳热还原法、自蔓延高温合成法、激光诱导化学气相沉积法、溶胶凝胶碳热还原法合成碳化硼粉末以及热压、热等静压、无压烧结、放电等离子烧结和反应烧结制备碳化硼陶瓷的研究进展。     

煅烧温度对多组分SrFe_(0.5)CoO_(3-δ)氧化物结构的影响(英文)

采用柠檬酸法合成了多组分的SrFe_(0.5)CoO_(3-δ)氧化物,并分析了锻烧温度对样品结构的影响。实验结果显示不同锻烧温度后所得样品主要由钙钛矿结构的SrFe_(0.5)Co_(0.5)O_3构成,随着锻烧温度的降低,样品的杂相减少,而钙钛矿结构的SrFe_(0.5)Co_(0.5)O_3相衍射峰的强度也有所降低,锻烧温度为1200℃时所得样品由高纯钙钛矿结构的SrFe_(0.5)Co_(0.5)O_3晶相构成。随着锻烧温度的降低,无规则形态结构样品的粒子尺寸随之降低。     

硅纳米管的研究进展

元素硅是sp3杂化,而不是易于形成石墨管状结构的sp2杂化,所以具有这种sp3杂化键的物质难于形成中空一维硅纳米材料,即硅纳米管.综述了硅纳米管及性能的理论研究,同时论述了采用模板法合成硅纳米管的最新实验进展情况,指出了目前硅纳米管的研究中需要解决的一些问题,并展望了发展.     

球状纳米硅氧化物的制备

以硅、二氧化硅为原料,采用水热沉积法制备了球状纳米硅氧化物.用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、能量色散谱仪、荧光光度计等测试手段观测了样品的形貌,分析了样品的成分、结构及光致发光(PL)特性.扫描电镜、透射电镜的研究结果表明,所得样品为高纯、直径较均匀的球状纳米硅氧化物.选区电子衍射结果表明,所得纳米硅氧化物球为无定形结构.PL测试表明,样品具有较强的蓝光发射能力.     

纳米碳纤维制备方法的研究进展

本文介绍了当前碳纳米纤维制备的研究状况，对各种制备方法的优缺点进行了评述，并讨论了影响气相生长的碳纳米纤维的各种因素。     

硅纳米管的制备及应用前景

自组生长的硅纳米管是在一定条件下由一个个原子自己搭建生成、内部排列有序的一种新型的一维纳米材料,它完全可以体现硅纳米管的真实特性,同时具备碳纳米材料和硅纳米线材料的性能,在传感器、晶体管、光电器等纳米器件及场发射显示屏等方面具有广泛的应用前景。作者采用全新的水热溶液生长法合成硅纳米管。这种硅纳米管是国际上第一次合成自组生成的硅纳米管,为将来制造纳米电子器件提供了继碳纳米管、硅纳米线后的又一种全新的纳米材料。     

一维锗酸盐纳米材料的合成及应用

一维锗酸盐纳米材料具有良好的光催化、传感、电学及光学特性,在纳米光催化、纳米光学、纳米电学及传感领域具有很好的应用潜力。本文综述了一维锗酸盐纳米材料的合成、性能及应用的研究现状与最新进展情况,重点讨论了利用热蒸发、水热法、化学气相沉积等方法合成锗酸盐纳米线、纳米棒与纳米带以及一维锗酸盐纳米材料在磁性器件、电化学传感器、光催化及锂离子电池方面的应用进展情况,同时指出了一维锗酸盐纳米材料的发展方向。     

硅纳米线纳米电子器件及其制备技术

硅纳米线由于特殊的光学及电学性能如量子限制效应及库仑阻塞效应等,在纳米电子器件的应用方面具有潜在的发展前景。介绍了采用电子束蚀刻技术(EB)、反应性离子蚀刻技术(RIE)、金属有机物化学气相沉积(MOCVD)等制备技术及场效应晶体管、单电子探测器及存储器、双方向电子泵及双重门电路等硅纳米线纳米电子器件的最新进展情况,并对其发展前景作了展望。     

多孔硅的应用研究进展

多孔硅是一种新型的纳米半导体光电材料,室温下具有优异的光致发光、电致发光等特性,易与现有硅技术兼容,极有可能实现硅基光电器件等多个领域的应用．扼要论述了多孔硅在绝缘材料、敏感元件及传感器、照明材料及太阳能电池、光电器件以及作为合成其它材料的模板等多个领域内的应用进展情况,并对其发展前景作了展望。