隔河岩枢纽垂直升船机设计研究

隔河岩水利枢纽升船机为钢丝绳卷扬全平衡垂直提升式，其上游水位变幅和总提升高度是目前国内在建升船机中最大的。隔河岩升船机与三峡升船机型式相同，是三峡升船机的中间试验机，二者具有相类似的技术难题，如对上闸首设备布置与结构型式、船厢运行中的安全保障、提升力以及其安全制动系统等进行了较深入的研究，其设计研究成果对于三峡升船机和国内其它同类升船机的建造有一定的借鉴价值     

卷扬式垂直升船机纵向地震下TMHCF耦合动力学分析

针对钢丝绳卷扬式垂直升船机纵向地震下的动力学特性问题,建立了升船机塔柱二维纵向集中质量等效模型,提出了分析升船机纵向地震下时程响应的新理论模型,研究了承船厢纵倾稳定性及升船机各系统的响应特性。以预研中的200 m级钢丝绳卷扬式垂直升船机为研究对象,建立了考虑系统阻尼的塔柱（tower,T）-主提升机械传动系统（main hoist mechanical transmission system,M）-液压调平系统（hydraulic leveling system,H）-承船厢（ship chamber,C）-厢内浅水晃动（shallow fluid sloshing,F）(TMHCF)的耦合动力学模型,运用4阶定步长龙格库塔法对耦合系统进行时程响应计算。结果表明：塔柱的二维串联多自由度集中质量等效模型能够较准确地反映塔柱纵向的模态特性,与三维有限元模型的固有频率误差不超过5.6%;TMHCF各子系统中,响应速度最快的是液压调平子系统,稳定性最好的是塔柱子系统;与液压动态调平工作状态相比,纵向地震下承船厢子系统纵倾运动稳定性降低了8.4%,但设计吊点中心距62.0 m可以保证承船厢在纵向...     

质子在砷化镓材料中产生位移损伤的Geant4模拟

本文使用Geant4模拟了1、5、10、20、50、100、500、1000 MeV能量的质子入射GaAs的位移损伤情况。随入射质子能量的增大,产生的初级离位原子（PKA）数目增加、种类增多;PKA能谱分布总体上呈递减趋势,PKA在低能量区间所占份额降低,在高能量区间所占份额升高。研究结果表明,辐射缺陷浓度在质子入射方向上遵循布拉格规律。     

纳米器件质子在轨单粒子翻转率预计方法

研究了纳米器件在空间轨道中质子引起单粒子翻转(SEU)率的预计方法。以65 nm SRAM为样品,利用加速器进行了质子和重离子单粒子翻转试验,分别基于质子试验数据和重离子试验数据,预计了空间轨道中质子引起的单粒子翻转率。结果表明,用重离子试验数据预计的质子单粒子翻转率比用质子试验数据预计的低1.5个数量级。研究认为,为了评估纳米器件单粒子翻转敏感性,需进行质子单粒子翻转试验,并基于质子试验数据进行在轨质子翻转率预计。     

彭水水电站500 t级垂直升船机总体布置

彭水水电站通航建筑物由一级船闸和一级垂直升船机组成.升船机布置在下游,最大通航水头66.6 m,通过中间渠道与上游的船闸连接,船闸最大通航水头15 m,二者联合运转,可克服枢纽81.6 m的最大通航水头.升船机采用钢丝绳卷扬全平衡垂直提升型式.船舶过坝时,通过上、下闸首驶入钢质承船厢内.承船厢由多根钢丝绳悬吊,通过设于承重塔柱顶部机房内的主提升机驱动,使之沿承重塔柱导轨垂直升降运行,运送船只过坝.全面介绍了彭水水电站500 t级垂直升船机的总体布置与设计特点,并对升船机主体设备、金属结构以及电气设备等的设计作了简要论述.     

CCD外围商用器件单粒子效应试验研究

采用中科院近代物理研究所回旋加速器产生的重离子(Kr),对商用的CCD外围器件进行单粒子效应试验研究,包括CCD信号处理器AD9945、高速视频D/A转换器ADC7123以及CCD时钟驱动器CXD3400等.试验得到AD9945、ADV7123在离子线性能量转移(Linear Energy Transfes,LEF)为...     

386EX CPU抗辐射能力研究

文章以《实践五号》和《海洋一号》卫星上天成功运行为背景，揭示科技人员地面试验的情况。一方面交流386EX CPU单粒子效应和总剂量试验方法。另一方面通过对试验数据的计算分析，得出386EX计算机抗辐射能力研究结果，为卫星设计人员提供参考。文章提供的抗辐射数据，为386EX成为小卫星公用平台计算机奠定了基础。     

SiC器件单粒子效应敏感性分析

新一代航天器需要使用耐高压、功率损耗低的第3代半导体SiC器件,为了给器件选用和抗辐射设计提供依据,以SiC MOSFET和SiC二极管为对象,进行单粒子效应敏感性分析。重离子试验发现,在较低电压下,重离子会在SiC器件内部产生永久损伤,引起漏电流增加,甚至单粒子烧毁。SiC MOSFET和SiC二极管试验结果类似。试验结果表明SiC器件抗单粒子能力弱,与器件类型关系不大,与SiC材料有关。为了满足空间应用需求,有必要进一步开展SiC器件辐射效应机理、试验方法和器件加固技术等研究。