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1.
基于二体碰撞近似理论(BCA),应用分子动力学(MD)和动力学蒙特卡罗(KMC)方法相结合的多尺度模拟方法,研究了单粒子位移损伤(SPDD)缺陷及电流的演化过程。研究结果表明,SPDD事件中引起的缺陷在106 s内分为3个阶段:阶段Ⅰ(1×10-11 s≤t<2×10-3 s)以点缺陷成团为主;阶段Ⅱ(2×10-3 s ≤t<2×102 s)中以缺陷团内部的间隙原子和空位复合反应为主;阶段Ⅲ(t≥2×102 s)中以小缺陷团发射间隙原子和空位为主。提出一种计算粒子在硅二极管中引起的SPDD电流的方法,推导了多种缺陷存在时引起的二极管反向电流增加的计算公式。基于KMC模拟的位移损伤缺陷演化结果,计算了光电二极管的SPDD电流密度及归一化退火因子。结果表明,KMC模拟计算的退火因子与文献实验测量结果相一致,建立的多尺度模拟方法可预估硅器件的SPDD电流。 相似文献
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5.
对藏语拉萨话中单音子及三音子分布情况进行了统计,分析了在藏语大词表连续词表连续语音识别中建立上下文相关声学模型的必要性.选择音素为建模单元,根据藏语特点,建立以音节为单位的发音字典.讨论了利用决策树建立三音子模型的几个关键问题和基本算法,结合国际音标分类和经验知识,确定了38个藏语拉萨话音子类别集及相应的决策树问题集.建立了共20个发音人8 170句的训练语料,在HTK平台上建立和训练得到了基于决策树的藏语拉萨话三音子模型,并分析了不同隐马尔可夫模型状态数及高斯混合度下的识别结果,确定了一套藏语大词表连续语音识别的完整方案. 相似文献
6.
采用数值模拟软件TCAD对影响绝缘体上硅(SOI)PIN微剂量探测器灵敏区电荷收集特性的主要因素进行了模拟与分析。分析了3 MeVα粒子在PIN探测器内沉积能量产生的瞬时电流随探测器偏置电压(10 V至50 V)和掺杂浓度、粒子入射方向的变化。模拟结果表明,随着反偏电压的增大,载流子复合效应降低,瞬态电流增加;当n+区域反偏电压为10 V时,由α粒子入射产生的空间电荷在1 ns内几乎全部被收集,电荷收集效率接近100%;辐射产生的瞬时电流随探测器各端掺杂浓度的增大而减小。 相似文献
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9.
作为新型逆变弧焊电源核心技术的软开关技术,它较好解决了具有关断拖尾特性的IGBT开关转换,同时大大减少了变换器的环路损耗。电源的主要开关功率器件进行的是零开关,减少了功率器件的电压、电流应力。 相似文献
10.