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针对4-Mask工艺铜数据线腐蚀造成的锯齿状不良现象进行系统研究,发现铜腐蚀发生的工艺步骤和机理,并找到有效的措施。首先,通过显微镜对每道刻蚀工艺后铜数据线形貌进行观测,确定铜腐蚀发生的工艺步骤。接着,通过扫描电子显微镜和X射线电子能谱测量腐蚀生产物成分,对腐蚀机理提出合理解释。最后在铜腐蚀发生机理基础上,提出有效的改善措施。铜腐蚀是在有源半导体层干刻和光刻胶的灰化综合作用下发生,其主要产物为氧化铜、氯化铜。通过先进行灰化工艺然后进行有源半导体层干刻的工艺措施,在铜数据线两侧形成氧化铜保护膜,可以彻底改善铜腐蚀。改善措施可以解决铜腐蚀的问题,彻底消除铜数据线锯齿状不良。 相似文献
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本文对氮化硅的增强电容耦合等离子刻蚀进行研究,为氮化硅刻蚀工艺的优化提供参考。针对SF_6+O_2气体体系,通过设计实验考察了功率、压强、气体比、氦气等对刻蚀速率和均一性的影响,并对结果进行机理分析和讨论。实验结果表明:功率越大,刻蚀速率越大,与源极射频电力相比,偏置射频电力对刻蚀速率的影响更为显著;压强增大,刻蚀速率增大,但压强增大到一定程度后,刻蚀速率基本不变,刻蚀均匀性随着压强增大而变差;在保证SF_6/O_2总流量保持不变下,O_2的比例增大,刻蚀速率先增大后减小,刻蚀均匀性逐步变好;He的添加可以改善刻蚀均匀性,但He的添加量过多时,会造成刻蚀速率降低。 相似文献
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针对基于静态质量法与标准表法相结合的高精度宽量程大口径液体流量标准装置研制这一关键技术问题,通过储水池防波稳流构造、水泵变频调速稳压、稳压罐结构优化及罐内液体状态监测、管路优化布置和管道流场监测等技术集成,形成了集“源-输-管-测”于一体的液体流量标准装置流场稳定保障技术。通过换向智能测控、高精度标准器及自动核查、阀门泄露监测、数据自动识别等技术,提升了装置的可靠性和准确度。 相似文献
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各膜层对光刻胶灰化的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
研究各膜层对灰化速率的影响,增强对灰化工艺的了解,为四次光刻工艺改善提供参考。采用探针台阶仪测量在相同灰化条件下不同膜层样品的灰化速率和有源层损失量,对结果进行机理分析和讨论。实验结果表明:有源层会降低灰化速率,源/漏金属层可以增大灰化速率,栅极金属层对灰化速率无影响。对于正常膜层结构的阵列基板,源/漏层图形密度越大,灰化速率越小,图形密度每增大1%,灰化速率下降14nm/min。有源层和源/漏金属层对灰化等离子体产生影响,从而影响灰化速率。 相似文献
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目前湿喷混凝土正逐步取代干喷混凝土,但相关支护机理及设计依据缺乏研究。为了探究湿喷混凝土的力学特性与破坏机制,基于干、湿喷混凝土的力学试验,采用声发射(AE)装置监测试样的单轴抗压、轴心抗压及巴西劈裂失稳的全过程。获得了试样破坏全过程的声发射能量、撞击数等数据,以及试样破坏点出现的时空特征。根据试验结果,探究干、湿喷混凝土的破坏机制,对比分析了两者不同龄期下的单轴抗压强度、轴心抗压强度和劈裂抗拉强度,并进一步研究了两者AE参数中的应力、撞击数、能量与应变4者之间的关系,通过AE试件定位结果定量分析损伤变量与应变之间的关系,建立干、湿喷混凝土损伤变量的本构模型。结果表明:相对于干喷混凝土,湿喷混凝土的早期和长期力学性能均有显著的提升,且均质性也明显提高。以AE能量表示的损伤变量随应变的增加而增大,在各自特定的应变下试样内部裂纹均开始逐步贯通,但在达到峰值应变前湿喷混凝土损伤变量的增长率较为缓慢,而在达到峰值应变后增长率则较快。通过对比干、湿喷混凝土的试验曲线和计算曲线,表明该本构模型可以适用于干、湿喷混凝土破裂能量的损伤比较。 相似文献