最新液晶显示技术追踪

本文介绍近年来在显示性能的提高、ρ－Ｓｉ ＴＦＴ－ＬＣＤ的开发、反射式彩色液晶显示和塑料基板ＬＣＤ等方面的研究开发工作的进展情况和发展趋势。     

中国大陆第一条TFT-LCD生产线的引进与发展

上世纪末，吉林彩晶公司率先引进了中国大陆的的第一条TFT-LCD生产线。其点滴变化都受到了国内外同行的广泛关注。历经7年的曲折发展，在经营管理、技术的消化吸收和创新等各个方面都积累了相当的经验。本文回顾了彩晶的发展历程，整理总结了一些彩晶公司在长期实践中积累的经验，与国内同行共同探讨。     

驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作

a-Si：H／SiNx：H TFT在长时间栅偏应力作用下，会产生阈值电压漂移，这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象，文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同，利用PECVD制作了不同N／Si比（0．87～1．68）的氮化硅绝缘材料，对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱（EDS）测试。制作了不同的MIS结构电容，对其进行老化实验和C-V测试分析，结果表明稍富氮（N／Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1．33）的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显，表明其缺陷态密度相对较小，能够有效减小半导体／绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si：H TFT像素电路及其阵列版图，优化了电路中的几个关键参数，即T1的W／L=2．5、T2的W／L=25和存储电容Cs=0．8pF。运用7PEP生产工艺，制作了13cm（5．2in）的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试，其开态电流为10μA，开关比为10^6；对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试，其最高亮度为341cd／m^2。     

向列液晶的表面锚定能的温度依赖性

通过测量扭曲液晶盒中液晶分子的指向矢与摩擦方向的偏角,用作者自行建立的方位表面锚定能的测量方法测定了向列液晶(5CB)—摩擦的聚酰亚胺界面的锚定能及其温度依赖性,并分析了其临界性质。液晶的表面锚定能随温度的增加而减小;外推长度d_e随温度的增加而增加,其与温度之间的关系为d_e=34.5[(T_c—T/T_c]~(-0.45);在低于T_c0.5℃时d_e达到400nm,液晶的表面锚定能变为50.×10~(-6)Jm~(-2)。热力学理论的分析结果表明,向列液晶的表面锚定能的临界性质体现了液晶—聚酰亚胺界面的复杂性质,为研究界面的微观性质提供了有益的信息。     

聚合物分散液晶(PDLC)膜电光特性的研究

采用光聚合作用引诱相分离法,选择适宜的单体Photobond及液晶BL001,通过较精确地控制固化条件能制作具有响应速度快,对比度高的PDLC膜,本文给出了制备PDLC膜的条件及实验测试结果,并对这些结果进行了讨论。     

平行排列液晶盒在不对称弱锚定边界条件下的Freedericksz转变

应用液晶弹性形变的连续体理论，分析了平行取向的液晶层在不对称弱锚定边界条件下的Ｆｒｅｅｄｅｒｉｃｋｓｚ转变，给出了确定指向矢分布的方程，以及阈值电压与两侧基板表面锚定强度的关系，对称弱锚定和对称强锚定情形的阈值电压可以作为特例给出。在不对称弱锚定边界条件下，指向矢分布不再关于液晶层中心对称，在液晶层中指向矢极大倾角的位置随锚定强度和外加电压所改变。     

a-Si:H TFT亚阈值区SPICE模型的研究

研究了将非晶硅薄膜晶体管（a-Si：H TFT）在电路模拟程序（SPICE）中使用的亚阈值区模型,将亚阈值区分为亚阈值前区和亚阈值后区并建立了模型,对比了不同模型下的模拟结果,发现亚阈值区的TFT特性依赖于材料性质,而且亚阈值前区和亚阈值后区的特性受栅源电压Vcs和漏源电压V DS的影响,呈指数变化。提出的新模型考虑了前界面态、后界面态、局域态、材料及制作工艺等因素,体现了该区域电流对漏源电压Vvs强烈的依赖关系。使用新模型对实验数据的拟合结果优于以往的模型,能够比较精确地模拟亚阈值区的特性,可用来预测a-Si：H TFT的性能．对TFT阵列的模拟设计具有重要价值。     

利用微锥膜改善反射式液晶显示器件的视角

提出了一种可以改善反射式彩色液晶显示视角的微锥结构膜。模拟计算结果表明,当光从微锥的底部人射时,该膜起到准直作用,当光从微锥的顶部入射时,该膜起到散射作用。利用微锥膜可显著改善反射式干涉滤光膜的视角依赖性。由于微锥膜的作用不依赖了液晶盒结构,所以,可对多种结构的反射式彩色液晶显示有效。