La1-xCaxMnO3(0.50≤x≤0.85)在电荷有序态下的合作Jahn-Teller效应与内耗关系研究

运用X射线衍射和内耗测量技术研究了La1-xCaxMnO3(0.50(≤x≤0.85)在电荷有序态下的合作Jahn-Teller晶格畸变.随着温度从高温降至电荷有序相变温度TCO,切变模量出现明显软化.在T＜TCO时,由于合作Jahn-Teller晶格畸变的形成导致切变模量出现大的硬化,而切变模量的相对硬化程度△G/G随Ca2+离子掺杂量的变化而变化,反映了电荷有序态下的合作Jahn-Teller晶格畸变的大小随Ca2+离子掺杂量的变化而变化,△G/G在x=0.75时达到最大值.内耗研究表明,对应于TCO时出现相变内耗峰,其高度随着测量频率增大而减小,峰的位置不随测量频率变化,表现出典型的结构相变特征.电荷有序相变的内耗行为与测量频率呈非线性关系,此非线性关系可以通过公式Q-1max/Q-1min=a×f-b进行拟合.     

PdSe2半导体薄膜的真空硒化法制备研究

PdSe₂薄膜主要通过机械剥离法和气相沉积法制得, 本研究采用一种简单有效的可在SiO₂/Si衬底上制备PdSe₂薄膜的方法。通过高真空磁控溅射技术在SiO₂/Si衬底上沉积一层Pd金属薄膜, 将Pd金属薄膜与Se粉封在高真空的石英管中并在一定的温度下进行硒化, 获得PdSe₂薄膜。根据截面高分辨透射电镜(HRTEM)照片可知PdSe₂薄膜的平均厚度约为30 nm。进一步研究硒化温度对PdSe₂薄膜电输运性能的影响, 当硒化温度为300 ℃时, 所制得的PdSe₂薄膜的体空穴浓度约为1×10¹⁸ cm^-3, 具有最大的室温迁移率和室温磁阻, 分别为48.5 cm²·V^-1·s^-1和12%(B=9 T)。值得注意的是, 本实验中通过真空硒化法获得的薄膜空穴迁移率大于通过机械剥离法制得的p型PdSe₂薄膜。随着硒化温度从300 ℃逐渐升高, 由于Se元素容易挥发, Pd薄膜的硒化程度逐渐减小, 导致薄膜硒含量、迁移率和磁电阻降低。本研究表明：真空硒化法是一种简单有效地制备PdSe₂薄膜的方法, 在贵金属硫族化合物的大面积制备及多功能电子器件的设计中具有潜在的应用价值。     

防止高炉铁口漏煤气的设计对策

本文就包钢高炉铁口漏煤气问题,提出高炉铁口区砌筑最佳结构,并已付诸实施。     

La_(1-x)Ca_xMnO_3(O.50≤x≤0.85)在电荷有序态下的合作Jahn-Teller效应与内耗关系研究

运用X射线衍射和内耗测量技术研究了La1-xCaxMnO3(0.50≤x≤0.85)在电荷有序态下的合作Jahn-Teller晶格畸变.随着温度从高温降至电荷有序相变温度TCO,切变模量出现明显软化.在T相似文献   

湖北省防汛抗旱队伍应急抢险警地实战演练的启示

演练是实战的预演,是提高防汛抗旱应急队员实战能力的重要措施。2014年,湖北省地方防汛抗旱应急队伍联合武警水电部队开展实战演练,在场地选择、预案制定、后勤保障方面创新思维,在合作机制、抢险技术、演练常态化方面走出新路子,建立了省抢险总队与武警水电七支队联合开展应急抢险的合作机制,取得良好效果,为今后应急抢险工作的顺利开展奠定了基础。     

PrBi4Fe0.5Co0.5Ti3O15多铁陶瓷的性能研究

采用传统固相反应法与两步合成法制备了PrBi₄Fe_0.5Co_0.5Ti₃O₁₅陶瓷, 研究了Pr与Co共掺杂对Bi₅FeTi₃O₁₅陶瓷的结构、磁性能以及介电性能的影响。X射线衍射分析显示, 传统固相反应法制备的样品比两步法制备的样品更容易形成单相结构。铁电和磁性测量证明样品具有多铁性, 并且Pr与Co共掺杂能大幅提高材料的磁性能, 固相反应法与两步合成法制备的样品在室温下的剩余磁化强度(2M_r)分别为0.315, 0.576 Am²/kg, 比文献报道的Bi₅FeTi₃O₁₅陶瓷的2M_r ( 2.7 Am²/kg ) 高5个数量级, 比掺Co的Bi₅Fe_0.5Co_0.5Ti₃O₁₅陶瓷2M_r ( 7.8×10^-3 Am²/kg ) 高2个数量级。