自由振动低频扭摆的内耗值计算公式

从自由振动扭摆的运动方程出发，不作任何近似、推导了内耗值的计算公式，将严格公式与近似公式Ｑ＾－１＝δ／π进行比较，说明了近似公式的适用范围，并从试验上说明在不适当范围内使用近似公式计算内耗值造成的后果。     

非晶态PdCuSi的内耗和DSC研究

用葛摆测量了ａ－ＰｄＣｕＳｉ合金的内耗－温度曲线，证明在该合金的Ｔｇ和Ｔｘ温度附近有两个内耗峰Ｐ１和Ｐ２．Ｐ２峰是与非晶晶化有关的内耗峰，而Ｐ１峰可能是弛豫型的内耗峰．分析了倒扭摆和Ｃｏｌｌｅｔｔｅ摆的灵敏度，阐述了这两种摆不适用于测量ａ—ＰｄＣｕＳｉ类合金的内耗峰．     

La1-xCaxMnO3(0.50≤x≤0.85)在电荷有序态下的合作Jahn-Teller效应与内耗关系研究

运用X射线衍射和内耗测量技术研究了La1-xCaxMnO3(0.50(≤x≤0.85)在电荷有序态下的合作Jahn-Teller晶格畸变.随着温度从高温降至电荷有序相变温度TCO,切变模量出现明显软化.在T＜TCO时,由于合作Jahn-Teller晶格畸变的形成导致切变模量出现大的硬化,而切变模量的相对硬化程度△G/G随Ca2+离子掺杂量的变化而变化,反映了电荷有序态下的合作Jahn-Teller晶格畸变的大小随Ca2+离子掺杂量的变化而变化,△G/G在x=0.75时达到最大值.内耗研究表明,对应于TCO时出现相变内耗峰,其高度随着测量频率增大而减小,峰的位置不随测量频率变化,表现出典型的结构相变特征.电荷有序相变的内耗行为与测量频率呈非线性关系,此非线性关系可以通过公式Q-1max/Q-1min=a×f-b进行拟合.     

非晶Pd—Cu—Si合金的流变行为

在连续温条件下，测量了非晶Ｐｄ－Ｃｕ－Ｓｉ合金的应变速率和粘度随温度的变化曲线，在玻璃转变和晶化温区分别观测到伴随玻璃转变和晶化过程的粘度极小值，研究了升温速率对粘度极小值的影响，用结构转变的界晶模型解释了非晶Ｐｄ－Ｃｕ－Ｓｉ合金的粘滞行为。     

偏铌酸铅陶瓷低频内耗的研究

用低频倒置扭摆对改性偏铌酸铅铁电陶瓷的内耗进行了研究．在新加工的样品中发现了六个内耗峰,分别位于７０℃（Ｐ_１峰）、 ９０℃（Ｐ_２峰）、２００℃（Ｐ_３峰）、２６０℃（Ｐ_４峰）、４３０℃（Ｐ_５峰）和５１０℃（Ｐ_６峰）处．对引起Ｐ_３、Ｐ_１、Ｐ_２和Ｐ_４峰的物理机制进行了详细探讨．分析结果表明,Ｐ_３峰的本质是一定化的 Ｄｅｂｙｅ弛豫内耗峰。相应的激活能和指前因子分别为１．０１４Ｖ和 ２．４×１０^－１４ｓ．它源于氧空位与畴壁的相互作用． Ｐ_１、 Ｐ_２和 Ｐ_４峰与试样的切割加工密切相关,可归结为点缺陷与位错的交互作用．     

自由衰减法测量线性内耗的准确公式

本文推导出了自由衰减系统线性内耗准确计算公式，并讨论了原有的自由衰减系统线性内耗近似计算公式应用范围。最后文章用准确公式和近似公式分别对有关实验结果进行了计算，并对计算结果进行了比较、分析与讨论。     

La_(1-x)Ca_xMnO_3(O.50≤x≤0.85)在电荷有序态下的合作Jahn-Teller效应与内耗关系研究

运用X射线衍射和内耗测量技术研究了La1-xCaxMnO3(0.50≤x≤0.85)在电荷有序态下的合作Jahn-Teller晶格畸变.随着温度从高温降至电荷有序相变温度TCO,切变模量出现明显软化.在T相似文献   

不同GFA锆基非晶的内耗行为

利用内耗法研究了5种不同GFA(非晶形成能力)的锆基非晶(分别为Zr_(41.2)Ti_(13.8)Cu_(12.5)Ni_(10)Be_(22.5)、Zr_(55)Al_(10)Ni_5Cu_(30)、Zr_(45)Cu_(45)Ag_5Al_5、Zr_(65)Al_(7.5)Ni_(10)Cu1_(7.5)、Zr_(57)Ti_5Al_(10)Cu_(20)Ni_8的力学行为,探索了内耗与GFA之间的关系。内耗温度曲线结果表明,GFA越大,非晶试样所产生的内耗峰值越高,且通过计算过冷液相区的激活能与从内耗的物理意义相联系,提出了一个表征同种体系GFA的新参数—内耗峰峰值。此外根据内耗频率曲线考察了不同GFA的锆基非晶的力学弛豫行为,GFA越大,其在过冷液相区内原子失稳的数量越多,力学弛豫时间越短。     

共析成分Zn-Al合金的相变内耗和DSC的研究

利用低频内耗和示差扫描量热计（ＤＳＣ）等技术研究了共析成分Ｚｎ－Ａｌ合金共析转变过程中的能量耗散问题，发现相变潜热和热滞均与相变的路径有关。相变内耗峰的峰高与频率倒数之间呈非线性关系，而对数减缩量与频率例数之间呈线性关系。证明了共析转变过程的内耗不仅具有滞弹性的性质，而且具有线性粘弹性的性质，相变内耗峰主要是线性粘弹性内耗的贡献。用Ｍａｘｗｅｌ模型对实验结果进行了解释。