科技成果转化的探讨

近几年来,我国每年研究开发出各类实用技术数十万项,其中包括应用技术成果、专利技术、各种生产使用的工艺、方法等。这些技术的推广应用,将会有力地推动传统产业的结构调整和新兴产业的兴起,推动整个国民经济的快速发展。但是,由于科技体     

掺锗CZSi原生晶体中氧的微沉淀

利用锗硅单晶(锗浓度约为1019cm-3)切制成的籽晶和一般无位错硅单晶生长的缩细颈工艺以及从晶体头部至尾部平稳降低拉速的工艺,生长了直径为60、50和40mm,掺锗量为0.1%和0.5%(锗硅重量比)的锗硅单晶.利用化学腐蚀-金相显微镜法、扫描电子显微镜(SEM)能谱分析和X射线双晶衍射等方法观测了掺锗硅的原生晶体中缺陷及氧的沉淀的状况.发现用CZ法生长的锗硅原生晶体与常规工艺生长的CZSi晶体不同,体内存在着较高密度的氧微沉淀.在晶体尾部,由于锗的分凝使熔体中锗高度富集,出现了"组分过冷"现象,在晶粒间界应力较大处有锗的析出并出现了枝状结晶生长.晶体中高密度氧的微沉淀经过1250℃热处理1h后会溶解消失.     

掺锗CZSi原生晶体中氧的微沉淀

利用锗硅单晶(锗浓度约为1019cm-3)切制成的籽晶和一般无位错硅单晶生长的缩细颈工艺以及从晶体头部至尾部平稳降低拉速的工艺,生长了直径为60、50和40mm,掺锗量为0.1%和0.5%(锗硅重量比)的锗硅单晶.利用化学腐蚀-金相显微镜法、扫描电子显微镜(SEM)能谱分析和X射线双晶衍射等方法观测了掺锗硅的原生晶体中缺陷及氧的沉淀的状况.发现用CZ法生长的锗硅原生晶体与常规工艺生长的CZSi晶体不同,体内存在着较高密度的氧微沉淀.在晶体尾部,由于锗的分凝使熔体中锗高度富集,出现了"组分过冷"现象,在晶粒间界应力较大处有锗的析出并出现了枝状结晶生长.晶体中高密度氧的微沉淀经过1250℃热处理1h后会溶解消失.     

利用装置环形永磁场的直拉炉（PMCZ）生长单晶硅和掺锗硅晶体

设计了一种永磁（钕铁硼）环形磁场装置代替常规电磁场用于直拉炉生长单晶硅和掺锗单晶硅（PMCZ法）．磁力线呈水平辐射状均匀分布．只要磁场强度足够强,即可有效地抑制熔体中热对流和晶体旋转产生的离心强迫对流,从而有效地抑制了固液界面处的温度波动,降低以至消除微观生长速率的起伏,造成了一种类似于空间微重力环境下生长晶体的条件．在这种条件下,杂质和掺杂剂的运动方式受扩散规律控制．利用这种装置生长了掺锗（Ge∶Si重量比为1.0%,5.0%和10.0%）和不掺锗的硅晶体,获得了氧浓度较低,掺杂剂径向分布均匀性好的较高质量的晶体．该装置磁场强度可方便地通过调节磁环之间相对位置及磁环相对固液界面位置进行调控,满足不同工艺条件对不同的场强的要求．     

用PMCZ法生长的单晶硅中氧和电阻率的均匀性

用永磁体环形磁场直拉（PMCZ）炉代替普通的MCZ炉生长了质量较高的单晶硅。在PMCZ炉中水平辐射状磁力线均匀分布，可有效地抑制熔体中不规则的对流和固液界面处的温度波动，降低以至消除微观生长速率的起伏。在用PCMCZ法生长的硅晶体中氧浓度较低，杂质的径向分布均匀性好。简单地讨论了PMCZ法控氧优于普通MCZ法的机理。     

招标对企业发展的推动作用

市场化和专业化是企业发展的出发点和落脚点,是企业应对复杂多变的市场环境的必然选择.招标作为一种公开、公平、公正的采购方式,其本身就与市场化、专业化的发展机制同宗同源.通过引入招标机制,企业不仅可以降低专业化发展的成本,而且还能够与市场化供应链中各个节点形成专业化合作的格局.毫无疑问,招标是推进企业市场化、专业化发展的重要手段.     

关于科技成果转化和技术创新的几点思考

建国50年来,特别是改革开放20年来,我国科技事业取得了长足的进步,科技工作面向经济建设主战场,集中力量解决了一批重大和关键技术问题,不少科技成果得到推广和应用,为国民经济和社会发展作出了重要贡献。经济增长中科技进步的贡献份额不断上升。     

调节物资价格的利器

石油物资分为60大类,除少数自产自用外, 大部分均实行市场供应, 采购价格随市场变化而变化,其中石油专用管等部分重要物资价格还与国际油价相关联,价格变化因素更为复杂。     

掺锗直拉硅体单晶的生长

为了控制锗在硅中的分凝和分布的均匀性 ,抑制熔体中因重力场引起的无规律热对流和质量对流 ,文中设计制造了一种新型的环型永磁场直拉炉 ( PMCZ法 ) ,生长了掺锗量 0 .1～ 5 .0 % ( Ge∶Si重量比 )、 65 mm和 5 2 mm的硅锗体单晶 ,拉速一般控制在 0 .2～ 0 .5 mm/分。当磁场强度较高时 ,熔体中由于重力场引起的热对流和质量对流在一定程度上被抑制 ,类似于空间微重力环境生长晶体的条件 ,晶体中锗和氧杂质分布均匀性的问题得到了较好地控制。文中利用扫描电子显微镜 ( SEM)能谱分析和二次离子质谱 ( SIMS)等方法观测了PMCZ法生长的掺锗 Si单晶中锗的分布状况。发现用 PMCZ法生长的锗硅晶体比常规 CZ法生长的晶体杂质均匀性要好些。同时发现 ,由于晶体生长速率很低 ,使得掺锗硅中产生了大量的过饱和氧的微沉淀。这些微沉淀经过 1 2 5 0°C热处理后会溶解消失。在晶体尾部 ,由于锗在硅中的分凝系数小于 1 ,使得锗在熔体中高度富集 ,产生了“组份过冷现象”,出现了枝状结晶生长。     

第三代半导体材料生长与器件应用的研究

着重论述了以SiC和GaN为代表的第三代半导体材料的生长、器件及应用在近几年的发展情况。分析了目前常用的正在研究的几种衬底材料，介绍了制备SiC和GaN单晶的方法。分析了SiC和GaN器件工艺目前存在的问题和今后的研究方向。总结了SiC和GaN器件的研制情况，指出单晶质量是限制器件发展的主要因素。分析了SiC和GaN器件的目前应用的未来的市场前景，指出了SiC和GaN材料、器件今后的研究重点和今后的发展方向。