InSb焦平面探测器背面钝化的研究

对N型（111）面的InSb衬底采用两种方法进行钝化处理;一种是直接溅射ZnS,另一种是先用（NH4）2S化学硫化,然后溅射ZnS。C-V测试和器件性能测试表明,在（NH4）2S溶液中进行化学硫化的方法能有效改善ZnS/InSb的界面,这种方法能满足InSb焦平面器件的使用性能。本文还对不同的硫化方法及实验条件进行了对比实验。     

混成式焦平面阵列芯片倒装互连技术研究

介绍了为保证倒装焊接性能，设备所采取的措施。对比了不同形貌铟柱的优缺点，分析了互连可靠性与铟柱高度的关系，介绍了考核互连可靠性的方法。通过互连技术研究，我们实现了较高性能的倒装互连，互连条件选择温度在60℃-140℃范围，压力范围0．1克／铟柱-0．5克／铟柱。互连连通率〉99．9％，互连后的芯片组件在低温（77K）与常温（23℃）间不少于100次的反复冲击的情况下，测试接触性能及InSb二极管性能都无变化，满足了互连器件可靠性要求。     

InSb焦平面器件表面末处理技术研究

InSb焦平面器件经过减薄后,表面有细微的划痕,且存在一定厚度的损伤层,影响芯片性能.通过对InSb焦平面器件表面末处理工艺方法的探索,确定了器件抛光后,去除表面损伤层和表面溅射ZnS抗反射膜的工艺实施方案,有效地改善了器件的表面质量,提高了焦平面器件的性能.