电化学脉冲腐蚀法制备窄峰发射的多孔硅微腔

用电化学脉冲腐蚀方法制备了多孔硅微腔 ,讨论了脉冲电化学腐蚀的参数——周期、占空比对多孔硅多层膜制备的影响 ,并用了以 HF酸扩散为基础的多孔硅动态腐蚀机理对实验结果进行解释 ,认为在用电化学脉冲腐蚀法制备多孔硅微腔的过程中 ,不但要考虑到 HF酸对硅的纵向电流腐蚀 ,也要考虑到 HF酸对多孔硅硅柱的横向浸泡腐蚀 .可通过选取合适的周期、占空比 ,使二者对多孔硅的作用达到适中 ,以制备出高质量的多孔硅多层膜和微腔 .并用正交实验法优化了制备多孔硅微腔的参数 ,根据优化的实验参数 ,制备出了发光峰半峰宽为 6 nm的多孔硅微腔     

砷化镓晶体在氯化硫溶液中腐蚀速率的研究

本文研究了不同条件下S2Cl2对GaAs晶体的腐蚀行为，特别是溶液浓度、温度以及摇动程度等几个重要因素对腐蚀作用的影响．在此基础上提出了S2Cl2处理的较佳条件：对于S2Cl2钝化，应选择低浓度的钝化液（＜20％）在较低的室温下进行，而S2Cl2作为GaAs外延预处理手段则选用较高浓度的溶液在较短时间内完成可以得到较好的效果；对于以上两种情形，溶液温度一般控制在20℃以下．     

离子溅射在GaP极性表面引起的损伤及其消除

离子束处理在器件工艺和材料表征技术中有着广泛的应用．本文采用低能电子衍射、Ｘ光电子能谱和角分辨紫外光电子能谱对ＧａＰ极性表面经Ａｒ离子溅射后的损伤情况进行了研究．主要探讨表面损伤及其消除、表面能带弯曲等问题．     

温度：影响多孔硅光学特性的一个关键参数

The optical properties of porous silicon（PS） samples fabricated by pulse etching in a temperature range from-40 to 50-C have been investigated using reflectance spectroscopy,photoluminescence spectroscopy,and scanning electron microscopy（SEM）.The dependence of the optical parameters,such as the refractive index n and the optical thickness（nd） of PS samples,on the etching temperature has been analyzed in detail.As the etching temperature decreases,n decreases,indicating a higher porosity,and the physical thickness of PS samples also decreases.Meanwhile,the reflectance spectra exhibit a more intense interference band and the interfaces are smoother.In addition,the intensity of the PL emission spectra is dramatically increased.     

氮化铝薄膜的低温沉积

介绍了一种 ECR微波放电和脉冲激光沉积相结合低温沉积 Al N薄膜的新方法 .在 ECR氮等离子体环境中用脉冲激光烧蚀 Al靶 ,以低于 80℃的衬底温度在 Si衬底上沉积了 Al N薄膜 .结合样品表征和等离子体光谱分析 ,探讨了膜层沉积的机理 ,等离子体中活性氮物质的存在是 Al- N化合的重要因素 ,等离子体对衬底的辐照促进膜层的形成     

GaAs表面钝化的新方法：S_2Cl_2处理

本文用光致发光谱（ＰＬ）结合俄欧电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ），首次研究了Ｓ２Ｃｌ２钝化的ＧａＡｓ（１００）表面．结果表明，ＰＬ强度较钝化前样品提高了将近两个数量级．钝化后的表面ＡＥＳ谱显示含有Ｓ，Ｇａ，ＡＳ，Ｃ和少量Ｃｌ原子而不含Ｏ原子．ＸＰＳ谱说明Ｓ原子和Ｇａ、Ａｓ原子都成键．与（ＮＨ４）２Ｓ处理的比较结果显示，几秒钟的．Ｓ２Ｃｌ２处理即可达到或超过几十分钟（ＮＨ４）２Ｓ处理的钝化效果．     

用低能电子衍射研究小面结构——在Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体表面的应用

从形成有序小面的晶体表面观察到的LEED图样变化可以确定该表面的结构.本文介绍了这一基本方法,以及它在Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体表面上的应用.对于最近在GaAs(111)和InP(111)面上观察到的现象的分析表明,这些面上主要存在的可能是(110)晶向的小面.根据小面结构的特征,我们对 GaAs(111)(3 ×3)再构提出了一种可能的原子排列模型.     

用ARUPS研究Al_x Ga_(1-x)As(100)表面态(英文)

The surface states of Al0.7Ga0.3As(100) were studied by angle resolved ultraviolet photoelectron spectroscopy. It is first found that there exist two surface states on Al0.7Ga0.3As(100) surface, which can be removed by the adsorption of 1500L hydrogen. The evolution of these two surface states with thermal annealing was investigated. These two surface states were well developed by the annealing at 450℃. The ARUP spectra were measured to study their energy dispersions in k space. These results are discussed and compared with those of the GaAs(100)c(4×2) surface.     

β-GaS钝化的GaAs表面的光电子能谱

在 Ga As表面淀积β- Ga S是一种可行的 Ga As表面钝化方法 .用光电子能谱研究了超薄Ga S淀积后的 Ga As表面 ,分析了表面成分 .并发现 Ga S的淀积能使 Ga As原有的表面能带弯曲减小 0 .4e V,这意味着表面费米能级钉扎在一定程度上得到消除 .给出了一个半定量的理论模型 ,来解释 Ga S淀积引起的能带弯曲减小与以前湿法钝化引起的能带弯曲增大之间的不同     

ECR等离子体对单晶硅的低温大面积表面处理

利用电子回旋共振 ( ECR)微波放电等离子体对单晶硅表面进行了低温大面积氮化和氧化处理的探索 ,在低于 80℃的温度下得到了均匀的厚度约为 7nm氮化硅和二氧化硅薄层 .结合等离子体光学诊断和成分探测 ,分析讨论了 ECR等离子处理机理 .结果表明 ,利用这种方法可以在低温条件下在硅表面获得均匀的大面积氮化硅和二氧化硅表层 .