利用Ni纳米岛模板制备半极性晶面GaN纳米柱

报道了在GaN表面以Ni纳米岛结构作为模板,利用电感耦合等离子(ICP)刻蚀制备GaN纳米柱的研究结果。原子力显微镜(AFM)测试结果表明,金属Ni薄膜在快速热退火(RTA)作用下形成了平均直径和高度大约分别为325 nm和70 nm的纳米岛状结构。通过电子扫描显微镜(SEM)照片看出,以GaN表面所形成的Ni纳米岛作为模板图形,通过控制ICP刻蚀时间,在一定的刻蚀时间内(2 min)获得有序的并拥有半极性晶面的GaN纳米柱阵列。这种新颖的半极性GaN纳米柱作为氮化物量子阱或者超晶格结构的生长模板,可以有效减小甚至消除极化效应,提高光电子器件的效率和性能。     

基于功率MOSFET的慢升快降型高压脉冲信号源

利用MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）导通过程中某一时段输出电流和门电压成比例的特点来获得前沿缓慢而后沿陡降的高压脉冲信号,通过栅极电阻降低脉冲前沿的上升速度;通过低驱动内阻对栅极电容电荷的快速泄放提高脉冲后沿的下降速度。在50Ω负载下脉冲的最大幅度为800V,下降沿约为15ns。     

阳极多孔氧化铝的斜孔形成过程及机理

研究了在草酸、磷酸不同电压条件下,阳极氧化铝(AAO)的孔结构特点。在较高电压下(60～120V),孔发生倾斜,并随电压的增大而加剧。通过建立与阻挡层/金属界面的应力有关的流模型对这一现象进行解释,并发现孔倾斜是AAO从无序到有序的一个自组织的现象。     

OpenCV在印刷质量检测系统中的应用

本文依据印刷质量检测系统的要求,通过分析用于数字图像处理的开放源代码的计算机视觉类库OpenCV的特点与功能,分析了OpenCV在印刷质量检测系统中的可行性。提出OpenCV可以用于印刷质量检测系统的开发。     

某混水供热系统高低区并联直供改造技术方案研究

本文对常见供热系统的形式进行了介绍,并分别阐述了其应用特点。此外,通过实际项目介绍了板换串联混水加压式机组的应用形式,并针对某小区混水换热系统运行中存在的问题进行分析,提出一套高、低区并联混水直供的改造方案,对热网一级、二级换热器分别进行部分及整体解列,减少热网阻力,以及采用"软水阻"变频调节的控制策略,保证供水温度并提升末端的供热效果。实际调节效果表明,改造方案能够使系统稳定运行,操作调节更加简便,支持无人值守,节能降耗效果明显。     

谈建筑工程安全管理监督

针对建筑工程安全管理监督等内容进行具体的分析和阐述,提出为了从根本上加强建筑工程安全管理体系,应注重对施工现场的监督和管理,这样才会有效的达到控制安全事故发生的目的。     

基于WinCC和S7-300 PLC的多路充放电控制系统

介绍了一套基于WinCC和S7-300 PLC的多路充放电控制系统.S7-300 PLC根据选择的硬件模块进行系统组态,确保模块的型号和位置正确,否则不能进行系统数据下载,同时根据实际应用,修改CPU模块中的循环时间,完成硬件配置并下载后,再进行软件程序开发.WinCC则根据控制需要将图形界面分为显示、控制和触发时序控制区域,其实际的控制功能主要通过脚本系统实现.     

GaN电感耦合等离子体刻蚀的优化和损伤分析

通过分别改变电感耦合等离子体(ICP)刻蚀过程中的ICP功率和DC偏压,对ICP刻蚀GaN材料的工艺条件和损伤情况进行了系统的研究。刻蚀后表面的损伤和形貌通过扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、电子能谱(EDS)、荧光光谱(PL)等技术进行表征和分析。实验结果表明,刻蚀速率随ICP功率和DC偏压的增加而增加;刻蚀损伤与DC偏压成正比,而与ICP功率的关系较为复杂。实验中观测到刻蚀后GaN样品的荧光光谱带边发射峰和黄带发射峰的强度均有明显下降,这意味着刻蚀产生的缺陷中存在非辐射复合中心,并且该非辐射复合中心的密度与DC偏压成正比。为了兼顾高刻蚀速率和低刻蚀损伤,建议使用高ICP功率(450 W)和低DC偏压(300 V)进行ICP刻蚀。     

高稳定度大功率交流恒流源设计

从高稳定度大功率交流恒流源的实际需求出发,通过两种方案的比较以及实验数据的测试验证了晶体管功率放大方案的可行性以及其优势与劣势,提供了一种高稳定度恒流源的设计思路,使得电流标准源的需求得到满足。     

基于历史数据分析的电厂SIS系统性能优化

本文阐述了SIS系统的结构、功能及目前存在的问题。针对这些问题,给出了一种新的思路:向一线生产方向沉淀,为生产运行服务,做"小而精"的实用功能模块。实践证明,该思路在实际使用过程中,取得了良好的效果,为企业带来较大的经济效益。