薄膜波导光隔离器和光电子单片集成技术

叙述了Ｂｉ，Ａｌ：ＹＩＧ薄膜的液相外延生长，研究了这种薄膜材料的光吸收系数、法拉第旋转角、磁光优值及生长感生磁各向异性与Ｂｉ含量的关系。在此基础上，连续外延生长了作单模磁光波导的双层Ｂｉ，Ａｌ：ＹＩＣ薄膜。光纤偏振器的使用使薄膜波导光隔离器向实用化迈进了一步，恒磁薄膜作偏磁场为器件集成化作出了贡献。采用ＭＯＣＶＤ技术，在ＧＧＧ（钆镓石榴石）基片上同时外延生长Ⅲ－Ⅴ族半导体薄膜和钇铁石榴石（ＹＩＧ）薄膜，把光隔离器和磁光光源直接集成在一起，是一种非常有前景的光电子集成组件。     

YIG及Bi—YIG薄膜材料的光吸收谱的微观机理研究

采用ＤＶ－Ｘα方法计算了ＹＩＧ薄膜的电子结构，在能态密度的基础上，得出了导致光吸收的两种电荷转移跃迁。在１２￣２０ｃｍ＾－１×１０＾３波长范围，计算出了与实验一致的吸收谱。Ｂｉ＾３＋离子的掺入，增大了跃迁的振子强度，其增大量与铋离子的浓度成正比。在此基础上得出的Ｂｉ－ＹＩＧ的理论谱与实验谱符合得较好。     

非晶磁性材料的磁阻抗(MI)效应

介绍了非晶磁性线的MI效应、基本特点,以及非晶磁性线、非晶磁性薄膜的制备。这种MI效应在传感器技术中有广泛的应用。     

微带法测试薄膜0.5～5G磁导率

提出了可以在0.5～5GHz频带扫频测量磁性薄膜复磁导率μr的微带线法,推导出了由倒置短路微带线单端口网络的反射系数R(S11)表示μr的理论公式.对微带线夹具进行了设计,并结合虚拟仪器技术,以LabVIEW为软件平台建立了一套测量薄膜微波复磁导率的自动测量系统.给出了FeCo基磁性纳米颗粒膜的磁导率测试曲线,表明微带法具有准确性较高、既适宜于面内各向异性薄膜又适合于各向同性薄膜的测量和容易操作等优点.     

高性能纳米磁性薄膜材料的湿法工艺

介绍了纳米磁性薄膜材料特性，类型，综述了近年来兴起的湿法工艺及其用湿法工艺制备的纳米磁性薄膜材料的特性。     

静磁表面波（MSSW）－静磁反向体波（MBVW）级联非色散延迟线研究

本文从理论上对ＭＳＳＷ－ＭＢＶＷ级联延迟线的色散特性进行了分析．通过计算机计算，得到了在宽的频带范围内，级联延迟线具有非色散特性．设计了一种将ＭＳＳＷ、ＭＢＶＷ级联在一个腔体中的换能器结构．在Ｓ波段，实验上得到了在３００ＭＨＺ频宽范围内这种级联延迟线具有良好的非色散延迟线特性．     

微波用La:YIG单晶薄膜液相外延生长中的几个问题

本文从微波器件、静磁波器件的要求出发研究了La:YIG单晶薄膜的外延生长。文中对La:YIG的熔体组分进行计算,并讨论了La作为大离子调节薄膜晶格常数的作用及铁磁共振线宽与生长参数、微观结构参数的关系。本文提供了一条La:YIG薄膜生长的La的分配系数曲线,并就La:YIG薄膜中的La效应实验现象作了初步探讨。     

单层吸波材料的逆向优化方法

根据单层吸波材料的吸收机理，提出了吸波材料电磁参数的逆向优化方法，并用该方法对单层吸波材料进行了分析设计，得到了电磁参数的最佳配合下吸波材料反射率的幅频特性，分析讨论了电磁参数的频散效应及厚度对吸波性能的影响。     

尖晶石型铁氧体薄膜的化学镀技术及其应用

介绍了最新的铁体磁性薄膜的化学镀技术，沉积机理及其应用 。     

低损耗Mn-Zn铁氧体电磁参数与烧结温度的关系研究

本文研究了在不同烧结温度下 ,低损耗Mn Zn铁氧体材料的功耗、起始磁导率、饱和磁通密度、居里温度、电阻率、Zn挥发情况及微观结构等因素的变化 ,结果表明 :随着烧结温度的升高 ,功耗先下降 ,后上升 ;样品的烧结密度、起始磁导率都升高 ;Zn的挥发严重 :饱和磁通密度和居里温度基本上没有什么变化 ;晶粒的微观结构也受烧结温度的直接影响。由此说明烧结温度是决定Mn Zn铁氧体材料性能的关键因素之一