电化学脉冲腐蚀法制备窄峰发射的多孔硅微腔

用电化学脉冲腐蚀方法制备了多孔硅微腔 ,讨论了脉冲电化学腐蚀的参数——周期、占空比对多孔硅多层膜制备的影响 ,并用了以 HF酸扩散为基础的多孔硅动态腐蚀机理对实验结果进行解释 ,认为在用电化学脉冲腐蚀法制备多孔硅微腔的过程中 ,不但要考虑到 HF酸对硅的纵向电流腐蚀 ,也要考虑到 HF酸对多孔硅硅柱的横向浸泡腐蚀 .可通过选取合适的周期、占空比 ,使二者对多孔硅的作用达到适中 ,以制备出高质量的多孔硅多层膜和微腔 .并用正交实验法优化了制备多孔硅微腔的参数 ,根据优化的实验参数 ,制备出了发光峰半峰宽为 6 nm的多孔硅微腔     

分子束外延ZnSe/ZnSxSe1-x超晶格光学特性

用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上生长了高质量的ZnSe/ZnSxSe1-x(x=0.12)超晶格结构,通过X射线衍射谱和光致发光谱,对其结构特性和光学特性进行了研究.结果表明:在4.4K温度下,超晶格样品显示较强的蓝光发射,主发光峰对应于阱层ZnSe的基态电子到重空穴基态的自由激子跃迁,而且其峰位相对于ZnSe薄膜的自由激子峰有明显蓝移.从理论上分析计算了由应变和量子限制效应引起的自由激子峰位移动,理论和实验结果相吻合.     

砷化镓晶体在氯化硫溶液中腐蚀速率的研究

本文研究了不同条件下S2Cl2对GaAs晶体的腐蚀行为，特别是溶液浓度、温度以及摇动程度等几个重要因素对腐蚀作用的影响．在此基础上提出了S2Cl2处理的较佳条件：对于S2Cl2钝化，应选择低浓度的钝化液（＜20％）在较低的室温下进行，而S2Cl2作为GaAs外延预处理手段则选用较高浓度的溶液在较短时间内完成可以得到较好的效果；对于以上两种情形，溶液温度一般控制在20℃以下．     

用脉冲腐蚀制备发光多孔硅

采用脉冲腐蚀方法，研究多孔硅的动态腐蚀过程，测定了动态电流和时间的关系，提出并讨论了动态腐蚀机理．用脉冲腐蚀制备得到发光多孔硅，与直流腐蚀相比较，脉冲腐蚀能得到均匀性更好、发光更强的多孔硅，而且ＰＬ峰位有一定的蓝移，我们认为脉冲腐蚀是一种更优秀的制备方法，并对此作了初步的讨论．     

电子能谱仪中能量分析器的沾污及其消除方法

本文阐述了电子能谱仪的关键部件——电子能量分析器的一种慢性故障现象(沾污)及其消除方法。着重地描述和讨论了分析器沾污对能谱仪工作的影响以及导致产生慢性故障的原因和症结——分析器减速栅极带电。利用辉光放电的方法对分析器减速栅极进行了清洗,使谱仪恢复到正常工作状态,效果显著。     

离子溅射在GaP极性表面引起的损伤及其消除

离子束处理在器件工艺和材料表征技术中有着广泛的应用．本文采用低能电子衍射、Ｘ光电子能谱和角分辨紫外光电子能谱对ＧａＰ极性表面经Ａｒ离子溅射后的损伤情况进行了研究．主要探讨表面损伤及其消除、表面能带弯曲等问题．     

温度：影响多孔硅光学特性的一个关键参数

The optical properties of porous silicon（PS） samples fabricated by pulse etching in a temperature range from-40 to 50-C have been investigated using reflectance spectroscopy,photoluminescence spectroscopy,and scanning electron microscopy（SEM）.The dependence of the optical parameters,such as the refractive index n and the optical thickness（nd） of PS samples,on the etching temperature has been analyzed in detail.As the etching temperature decreases,n decreases,indicating a higher porosity,and the physical thickness of PS samples also decreases.Meanwhile,the reflectance spectra exhibit a more intense interference band and the interfaces are smoother.In addition,the intensity of the PL emission spectra is dramatically increased.     

获得多孔硅蓝绿光发射的新方法

对多孔硅进行“胺液浸泡 快速热氧化”处理 ,光致发光谱显示 ,经处理样品的发光峰值波长短到 5 0 0nm ,而且在干燥空气中存放 160d后 ,发光强度变化很小。红外吸收谱表明 ,处理后的多孔硅的主要成分是硅和氧 ,胺液没有在发蓝绿光的样品中留下残迹 ,电子自旋共振谱表明 ,这种蓝绿光样品有相当低的悬挂键密度。这些结果揭示 ,量子限制效应和表面态在多孔硅蓝绿光发射中起着关键性的作用。这种制备发蓝绿光样品的方法简单易行 ,成功率可达 70 %。     

硫钝化Ⅲ-Ⅴ族半导体生长高质量薄膜

表面钝化是Ⅲ-Ⅴ旅半导体工艺的难题之一，硫钝化技术是目前解决这一难题最有效的方法，文中综述了硫钝化技术在钝化Ⅲ-Ⅴ族半导体生长高质量薄膜所取得的成就。     

GaAs表面钝化的新方法：S_2Cl_2处理

本文用光致发光谱（ＰＬ）结合俄欧电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ），首次研究了Ｓ２Ｃｌ２钝化的ＧａＡｓ（１００）表面．结果表明，ＰＬ强度较钝化前样品提高了将近两个数量级．钝化后的表面ＡＥＳ谱显示含有Ｓ，Ｇａ，ＡＳ，Ｃ和少量Ｃｌ原子而不含Ｏ原子．ＸＰＳ谱说明Ｓ原子和Ｇａ、Ａｓ原子都成键．与（ＮＨ４）２Ｓ处理的比较结果显示，几秒钟的．Ｓ２Ｃｌ２处理即可达到或超过几十分钟（ＮＨ４）２Ｓ处理的钝化效果．