“游程总数”法诊断Meta分析中发表偏倚的准确度评价

目的评价利用文献的发表时间信息以＂游程总数＂构建的发表偏倚诊断方法（＂游程总数＂法）的准确度,为其推广应用提供理论依据。方法运用Matlab 7.0软件产生有偏和无偏Meta分析研究模拟数据,计算并比较＂游程总数＂法与Egger法的灵敏度和特异度,对＂游程总数＂法的诊断准确度进行评价。结果 ＂游程总数＂法与Egger法的灵敏度较低（分别为：0.3302±0.0574和0.360 7±0.1856）,而特异度（分别为：0.7062±0.030 8和0.7896±0.0108）较好;＂游程总数＂法的灵敏度和特异度均低于Egger法,但相差幅度小;＂游程总数＂法的灵敏度与Meta分析中的子研究个数有关。结论新构建的＂游程总数＂法与Egger法具有相似的灵敏度和特异度,由于其特殊的理论基础,与基于漏斗图的常用方法联合使用对发表偏倚进行诊断,有利于改善目前灵敏度较低的现状。     

2007年与2010年江西省16所市级综合医院房屋设备比较研究

目的通过江西省16所市级综合医院实施＂卫生服务能力建设工程＂前后房屋、编制床位数和设备的比较分析,综合描述江西省2007年与2010年市级综合医院房屋、编制床位数和设备现状,对市级综合医院＂卫生服务能力建设工程＂的实施效果做出客观评价。方法采用调查问卷的方式分别调查2007年底和2010年2个时点江西省市级综合医院房屋、床位、设备情况,并对2个时点数据进行对比分析。结果 16所市级综合医院2010年与2007年比较,房屋建筑面积平均由60 956 m2增加到63 206 m2,业务用房平均由41 371 m2增加到42 770 m2,编制床位数平均由533张床增加到655张床,设备总价值平均由5 701万元增加到7 530万元,百万医疗设备台数平均由9.1台增加到11.3台。结论通过实施＂卫生服务能力建设工程＂,江西省市级综合医院房屋、编制床位数、设备均有所提高。2010年16所市级综合医院的房屋、设备、编制床位数平均来看已基本达到相关规定的要求。但各医院发展不平衡,尚有部分医院与相关标准存在一定差距。     

6H-SiC同质外延层上Si1-yCy合金的生长

用化学气相淀积(CVD)的方法, 在6H-SiC衬底上同质外延生长SiC层, 继而外延生长了Si1-yCy合金薄膜, 用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、拉曼散射等方法对所得的样品进行了表征测量, 着重研究了生长得到的Si1-yCy合金的晶体结构。SEM结果显示6H-SiC外延层上生长的Si1-yCy合金薄膜表面平整, 晶粒大小均匀; XRD衍射谱仅显示单一的特征衍射峰(2θ约为28.5°), 表明得到的合金薄膜晶体取向单一, 其晶体类型为4H型; 粗略估算, 合金薄膜中C含量约为3.7%。拉曼谱显示：随生长气源中的C/Si比的增加, Si1-yCy合金薄膜中替位式C含量逐渐增大, 当C/Si比达到一定值时, 合金薄膜中有间隙式C出现, 造成晶体缺陷, Si1-yCy合金薄膜晶体质量下降。     

Si1-x Gex:C缓冲层的生长温度对Ge薄膜外延生长的影响

用化学气相淀积方法,在Si(100)衬底上生长Si1-x Gex:C合金作为缓冲层、继而外延生长了Ge晶体薄膜,用X射线衍射(XRD)、俄歇电子能谱(AES)、拉曼(Raman)衍射光谱等对所得到的样品进行了表征测量,着重研究了Si1-x Gex:C缓冲层生长温度对样品结构特征的影响.结果表明:Si1-x Gex:C缓冲层中的Ge原子浓度沿表面至衬底方向逐渐降低,其平均组分随着生长温度的升高而降低.这与较高生长温度(760～820℃)所导致的原子扩散效应相关;在Si1-x Gex:C缓冲层上外延生长的Ge薄膜具有单一的晶体取向,薄膜的晶体质量随着温度的升高而降低.     

肖特基C-V法研究Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结界面二维电子气

通过对 Pt/ Al0 .2 2 Ga0 .78N/ Ga N肖特基二极管的 C- V测量 ,研究分析了 Al0 .2 2 Ga0 .78N/ Ga N异质结界面二维电子气 (2 DEG)浓度及其空间分布 .测量结果表明 ,Al0 .2 2 Ga0 .78N/ Ga N异质结界面 2 DEG浓度峰值对应的深度在界面以下 1.3nm处 ,2 DEG分布峰的半高宽为 2 .3nm ,2 DEG面密度为 6 .5× 10 1 2 cm- 2 .与 Alx Ga1 - x As/ Ga As异质结相比 ,其 2 DEG面密度要高一个数量级 ,而空间分布则要窄一个数量级 .这主要归结于 Alx Ga1 - x N层中～ MV / cm量级的压电极化电场和自发极化电场对 Alx Ga1 - x N/ Ga N异质结能带的调制和 Alx Ga1 -     

江西省城市社区卫生服务中心基础设施配置的调查分析

目的全面、客观地了解江西省城市社区卫生服务中心基础设施状况,评价2007-2010年间江西省城市社区卫生服务中心基础设施改善情况。方法采用普查的方法。并对2010年江西省131所城市社区卫生服务中心采用江西省社区卫生服务中心卫生服务能力建设工程终期调查表进行调查。用描述性指标对2010年江西省城市社区卫生服务中心的基础设施状况进行分析,并与2007年的数据进行比较。结果 2010年平均每中心的房屋建筑面积、业务用房面积均较2007年有所下降,分别下降了361.45、208.11m2。房屋来源中仍以政府提供为主（2010年为28.24%,较2007年减少了1.61%）。2010年每中心的西药品种数、中药品种数、中成药种数、急救药品种数均较2007年稍有下降,分别减少了65.17、27.37、2.69和1.99种。2010年的设备总达标率有所上升,较2007年上升了6.84%。结论江西省城市社区卫生服务中心基础设施改善良好,但仍存在不足,需要进一步加大基础设施的建设力度。     

溶胶-凝胶法制备ZnO基稀释磁性半导体薄膜

用溶胶－凝胶法制备了具有良好光学性质和C轴取向的ZnO:Fe薄膜。ZnO:Fe薄膜具有尖锐的带边发光，禁带宽度约为3.3eV，半高宽13nm。磁性测量表明，ZnO：Fe薄膜在室温下具有铁磁性，饱和磁化强度约为10^-3emu量级，矫顽力为30奥斯特（Oe)。     

额外HCl和氮化对HVPE GaN生长的影响

在氢化物气相外延(HVPE)生长Ga N过程中,发现了一种在成核阶段向生长区添加额外HCl来改善Ga N外延薄膜质量的方法,并且讨论了额外HCl和氮化对Ga N形貌和质量的影响.两种方法都可以大幅度地改善Ga N的晶体质量和性质,但机理不同.氮化是通过在衬底表面形成Al N小岛,促进了衬底表面的成核和薄膜的融合;而添加额外HCl则被认为是通过改变生长表面的过饱和度引起快速成核从而促进薄膜的生长而改善晶体质量和性质的     

用氢化物气相外延(HVPE)法生长的氮化铟薄膜的性质研究

在自制设备上用氢化物气相外延(HVPE)方法在α-Al2O3以及GaN/α-Al2O3衬底上生长了InN薄膜,并对其性质进行了研究.重点研究了生长温度的变化对所获得的InN薄膜的影响,并利用X射线衍射研究了InN薄膜的结构,用扫描电子显微镜研究了其表面性质,用霍尔测量研究了其电学性质.X射线衍射的结果表明,直接在α-Al2O3上生长得到的是InN多晶薄膜;而在GaN/α-Al2O3上得到的InN薄膜都只有(0002)取向,并且没有金属In或是In相关的团簇存在.综合分析可以发现,在650℃时无法得到InN薄膜,而在温度550℃时生长的InN薄膜具有光滑的表面和最好的晶体质量.     

额外HCl和氮化对HVPE GaN生长的影响

在氢化物气相外延(HVPE)生长GaN过程中,发现了一种在成核阶段向生长区添加额外HCl来改善GaN外延薄膜质量的方法,并且讨论了额外HCl和氮化对GaN形貌和质量的影响.两种方法都可以大幅度地改善GaN的晶体质量和性质,但机理不同.氮化是通过在衬底表面形成AlN小岛,促进了衬底表面的成核和薄膜的融合;而添加额外HCl则被认为是通过改变生长表面的过饱和度引起快速成核从而促进薄膜的生长而改善晶体质量和性质的.