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利用SIMS和变温霍尔测量手段对P型Hg0.77Gd0.23Te液相外延材料的Ag掺杂技术、机理及掺杂碲镉汞材料的性能进行了研究。结果表明采用AgNO3溶液直接浸泡方式对该材料进行掺Ag是成功的,掺杂浓度与被掺杂材料中的汞空位浓度是一致的,掺杂后,P型碲镉汞材料的受主能级比掺杂前有明显的减小,从实验结果可看到掺Ag碲镉汞材料的电学性能在室温下保持稳定。 相似文献
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